硅材料选择题讲解

C的晶格缺陷是__C__。3下列是晶体的是__B__。A玻璃B硅C松香D塑料人工制备中用的比较少的是__A__。A固相生长B液相生长C气相生长或冶金级硅含量在__D___以上。A90%B92%C95%D97%6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A._C___。A化学清洗Brca清洗C超声波清洗8.半导体硅工业产品不包括__D__.①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④9.硅片制备主要工艺流程是__A__。A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包10.下列说法错误的是__A__。A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D.增大坩埚内径与晶体直径的比值()A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长2、2、多晶硅的生产方法主要包含：()1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？()4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()A、分凝B、蒸发C、坩埚污染6、属于晶体缺陷中面缺陷的是()A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变8、用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于9、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则(111)的面间距是多少？()10、简述光生伏特效应中正确的是()C、平衡载流子破坏原来的热平衡；D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。答案AABADDCBCD1、属于晶体缺陷中面缺陷的是(B)2、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则(111)的面间距是多少？(A)A0.941nmB0.543nmC0.786nmD0.543nm3、用能量(B)禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A低于B等于或大于C大于D小于或等于4、下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是(D)A加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B加料—→熔化—→缩颈生长—→等径生长—→放肩生长—→尾部生长C加料—→熔化—→等径生长—→放肩生长—→缩颈生长—→尾部生长D加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长5、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率(C)6、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素(A)A、损坏B、蒸发C、坩埚污染D、分凝7、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？(D)8、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是(A)晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包单晶生长→整形→硅片检测→抛光→蚀刻→切片→晶片研磨及磨边→打包C1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法A、1234B、123C、2457D、4567超过百分之(A)，而多晶在百分之十几A二十B十五C二十五D三十围的晶格缺陷是__C__。3下列是晶体的是__B__。人工制备中用的比较少的是__A__。或冶金级硅含量在__D___以上。A90%B92%C95%D97%6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A._C___。8.半导体硅工业产品不包括__D__.①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④9.硅片制备主要工艺流程是__A__。A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包10.下列说法错误的是__A__。A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D.增大坩埚内径与晶体直径的比值1.下列关于硅的说法不正确的是()A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是()A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错3.其中不属于多晶硅的生产方法的是()A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法4.关于光生伏特效应叙述中错误的是()5.下列说法错误的是()A调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D内径与晶体直径的比值6.硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是()A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶A①②B.①②③④C.②③④D.③④8.半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④B.①②③④C.②③④D.③④9、硅片制备主要工艺流程是()B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包10、下列说法错误的是()生产B晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割C直拉法生长单晶硅拉晶过程：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶参考答案:CDCCABBDAA1.改良西门子法的显著特点不包括(A)2.制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括(B)及其分布3.晶体缺陷不包含(B)4.铸造多晶硅中的氧主要来源不包括(D)AB用引入的氧C石墨加5.铸造多晶硅中氢的主要作用包括(ABC)6.悬浮区熔的优点不包括(D)CZ主要流程工艺顺序正确的是(B)A加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾B加料--熔化--缩颈生长--放肩--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾8.热处理中氧沉淀的形态不包括(A)9.可用作硅片的研磨材料是(B)A.AL2O3B.MGOC.BA2O3D.NACL10.硅片抛光在原理上不可分为(C)1、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是()答案：B(1)、母相压强等于外压强(2)、三个相的化学势相等(3)、新相压强大于外压强(4)、新相压强必须小于外压强A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)2、一下哪一种属于金刚石结构()答案：AA.SiB.CuC.FeD.Al3、下列不属于三氯氢硅性质的是()答案：CA、无色透明B、易燃易爆C、不易挥发和水解D、有刺激性气味4、下列不属于工业吸附要求的是()答案：CA.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生②N型半导体5、下列与硼氧复合体缺陷无关的是()答案：DA、氧B、硼C、温度D、湿度6、下列属于单晶硅片的一般形状()答案：AA.方形B.三角形C.圆形D.梯形7、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状()答案：AA、形状太凹B、形状太凸C、过于平整D、无变化8、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在()摄氏度以上DA.300B.400C.500D.6009、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段()答案：BA、能B、不能C、不确定D、有时可以，有时不可以10、通过()改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常A、温度场B、磁场C、重力场D、电场1、在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称(B)A．光电效应B．光生伏特效应C．内光电效应D．外光电效应测器。A．光子效应B．霍尔效应C．热电效应D．压电效应3P型半导体中的多数载流子是(A)A.空穴B.电子C.自由电子D.光子4PN结的基本特性是(A)A.单向导电性B.半导性C.电流放大性D.绝缘性5下列哪个不是单晶常用的晶向(B)A(100)B(001)C(111)D(110)6常见的晶格结构有(D)①简单立方结构②体心立方结构③面心立方机构④金刚石结构⑤闪锌矿结构⑥三棱锥结构A①②③④⑥B④⑤⑥C②③④⑤D①②③④⑤7下列哪一个不是半导体的导电类型(D)①本征半导体③P型半导体A②③B①②C②D①②③8下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量(A)D9下列哪个不是半导体材料的分类(D)10原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速(D)A减小，减小B减小，增大C增大，增大D增大，减小类和含量；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；A.①②④B.②④⑤C.①②④⑤D.①②③④⑤2、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率____A_____。A.上升B.下降C.不变D.不确定3、制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是__A___。A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液4、测量硅中氧浓度常用的方法是___D__。A.带电粒子活化法B.熔化分析法C.离子质谱法D.红外光谱分析法6、原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距_______而迅速地___A____。A.增加减小B.减小减小C.增加增加D.不确定7、下列铸造多晶硅的制备方法中，__C_____没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。A.布里曼法B.热交换法C.电磁铸锭法D.浇铸法8、下列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是____B__。A.加热B.化料C.晶体生长D.冷却BA.上部和边缘部分B.中部和边缘部分C.上部和底部D.底部和边缘部分要调整工艺参数，使得多晶硅的晶粒_____,晶界__B___。A.尽量大尽量大B.尽量大尽量小C.尽量小尽量小D尽量小尽量大1.一下哪一种属于金刚石结构(A)A.SiB.CuC.FeD.Al2.下列与硼氧复合体缺陷无关的是(D)A.氧B.硼C.温度D.湿度B.B三类，以下正确的是(B)。(1)、固相生长(2)、液相生长(3)、气象生长(4)、边缘生长A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)4.固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在(D)摄氏度以上进行常规热处理。A、300B、400C、500D、6005.化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是(B)。 (1)、中间化合物的合成(2)、中间化合物的分离提纯 (3)、中间化合物被还原或者是分解高纯硅(4)、中间化合物的去除A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)6..多晶硅的工艺流程是(C)A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段(A)B.以下哪个是错误的(D)(2)杂质对材料的导电类型有影响(3)B.杂质对材料的电阻率会有影响C.杂质对非平衡载流子寿命有影响D.杂质对平衡载流子的寿命有影响熔体中含有杂质浓度为(C)C.试拉单晶为同型CL=C1-C2不同型CL=C1+C2D.试拉单晶为同型CL=C1+C2不同型CL=C1-C210.为保证生产的稳定，减少外来污染引起的电阻率起伏(D)1.下列关于硅的说法中，不正确的是(C)A．硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料B．硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应2.10g含有杂质的CaCO3和足量的盐酸反应，产生CO20.1mol，则此样品中可能含有的杂质是(B)D．无法确定3.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在(D)以上。A.90%B.92%C.95%D.97%4.石墨炸弹爆炸时，能在方圆几百米范围内撒下大量的石墨纤维，造成输电线、电厂设备损坏。这是由于石墨(C)A．有剧毒B．易燃、易爆C导电D．有放射5.二氧化硅是酸酐的原因是(C)A．它溶于水得相应的酸B．它对应的水化物是可溶性强酸C．它与强碱溶液反应只生成盐和水D．它是非金属氧化物6.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是(D)A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错7.晶体生长过程亦即相变过程，也可以看做相界面的推移过程，由此可将晶体生长过程分为三类，以下正确的是(B)。A、固相生长B、液相生长C、气象生长D、边缘生长8.关于光生伏特效应叙述中错误的是(C)C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；9.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段(A)A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光D.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光B.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长10.多晶硅的工艺流程是(C)A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装C.清洗，装料，化料，等径生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装1.硅材料是太阳能电池及电脑芯片不可缺少的材料，随着一批多晶硅生产企业在乐山A．化合反应B．分解反应C．置换反应D．复分解反应2.面心立方晶格中原子密度最大的晶向是?BA[100]B[110]C[111]D[121]3下列哪个不是化学法提纯高纯多晶硅的方法B关于直拉单晶硅的说法错的是C5在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决以下的问题。除了a6铸造多晶硅中的金属杂质形成沉淀有什么影响BA9集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制,不包括D加工高质量的多晶硅时要注意的问题，除了D状1.下列关于硅的说法不正确的是()A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是()A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错3.关于光生伏特效应叙述中错误的是()G.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；4.其中不属于多晶硅的生产方法的是()A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法5.下列说法错误的是()A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D.增大坩埚内径与晶体直径的比值A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶A.①②B.①②③④C.②③④D.③④8.半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A.①②④B.①②③④C.②③④D.③④9.硅片制备主要工艺流程是()A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包10.下列说法错误的是()生产B.晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割C.直拉法生长单晶硅拉晶过程：籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶参考答案:CDCCABBDAA1、单晶硅晶胞常数为0.543nm，(111)晶面的面间距和原子密度为(C)2.如何从石英砂制取硅，步骤是(A)A.加料——熔化——缩颈生长——放肩生长——等径生长——尾部生长D.加料——熔化——放肩生长——缩颈生长——等径生长——尾部生长C.加料——熔化——等径生长——放肩生长——缩颈生长——尾部生长B.加料——熔化——缩颈生长——等径生长——放肩生长——尾部生长3.硅晶体中硅原子两两之间的夹角为(D)A.108°B.120°C.60°D.109°28′4.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段(A)A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光D.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光B.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长5.下列不是多晶硅的铸造方法的是(B)A.硅烷法C.西门子改良法D.流化床法6.下列不是非晶硅薄膜电池的优点是(D)A.材料和制造工艺成本低B.易于形成大规模生产能力C.多品种和多用途D.效率高7.以下哪种制备多晶硅的方法被大多数国家运用(C)A.硅烷法C.西门子改良法D.流化床法8.多晶硅的工艺流程是(C)A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装C.清洗，装料，化料，等径生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装9.下列不是切片主要方法是(D)A.外圆切割B.内圆切割C.多线切割D.单线切割10.以下是制备a-SI的方法是(B)A.三氯氢硅还原法B.辉光放电D.四氯化硅还原法1.一下哪一种属于金刚石结构(A)B.SiB.CuC.FeD.Al2.下列与硼氧复合体缺陷无关的是(D)C.氧B.硼C.温度D.湿度三类，以下正确的是(B)。(1)、固相生长(2)、液相生长(3)、气象生长(4)、边缘生长A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)4.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段(A)A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光D.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光B.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长5.化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是(B)。 (1)、中间化合物的合成(2)、中间化合物的分离提纯 (3)、中间化合物被还原或者是分解高纯硅(4)、中间化合物的去除A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)6..多晶硅的工艺流程是(C)D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装保护气中，在(D)摄氏度以上进行常规热处理。A、300B、400C、500D、6008、以下哪个是错误的(D)(4)杂质对材料的导电类型有影响B.杂质对材料的电阻率会有影响C.杂质对非平衡载流子寿命有影响D.杂质对平衡载流子的寿命有影响中含有杂质浓度为(C)C.试拉单晶为同型CL=C1-C2不同型CL=C1+C2D.试拉单晶为同型CL=C1+C2不同型CL=C1-C210、为保证生产的稳定，减少外来污染引起的电阻率起伏(D)1下列是半导体的是()。A硅B金C木头D水2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是()A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错3下列是非晶体的是()。4.其中不属于多晶硅的生产方法的是()B.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在()以上。A90%B92%C95%D97%6.硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是()A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？()①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶A．①②B.①②③④C.②③④D.③④8.关于光生伏特效应叙述中错误的是()nB.p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；9.电阻率的测量接触法有()。A四针接触法，电容耦合发B拓展电阻法，电感耦合法C四针接触发，拓展10.下列关于硅的说法不正确的是()A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应ADDCDBBCCC1.硅元素的原子序数是(B)A.13B.14C.15D.162.一下哪一种属于金刚石结构(A)A.SiB.CuC.FeD.Al3.下列不属于工业吸附要求的是(C)A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生4.下列不属于三氯氢硅性质的是(C)A.无色透明B.易燃易爆C.不易挥发和水解D.有刺激性气味5.半导体工业所用的硅单晶(C)是用CZ法生长的。A.70%B.80%C.90%D.60%6.下列与硼氧复合体缺陷无关的是(D)A.氧B.硼C.温度D.湿度7.下列属于单晶硅片的一般形状(A)A.方形B.三角形C.椭圆形D.梯形8.下列不属于非晶硅优点的是(C)A.制备方法简单B.工艺成本低C.制备温度高D.可大面积制备9.固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在(D)摄氏度以上进行常规热处理。A.300B.400C.500D.6001、高纯硅不用于以下哪些方面？A、制作二极管B、制作普通玻璃C、整流器D、集成电路2、硅晶体属于什么原子结构？A、氯化钠结构B、金刚石结构C、闪锌矿结构D、纤锌矿A、3*1022个/cm3B、4*1022个/cm3C、5*1022个/cm3D、6*1022个/cm34、工业吸附要求吸附剂满足哪些要求？A、容易再生，易得、低廉B、一定要进口的C、只要效果好，无需考虑成本D、最好是一次性的5、以下哪个不是影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素？A、晶粒尺寸B、固液界面C、热应力D、设备价格A、清洗硅料B、装料C、化料D高温消毒7、以下选项中不是硅片清洗的作用的是？B、在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好8、在给硅片清洗时，通常将杂志分为三类，包括：①分子杂质②原子杂质③化学杂质④离子杂质A、①②④B、①②③C、②③④D、①③④9、在清洗硅片时常用到真空高温处理法，不是其优点是：A、由于硅片处于真空状态，因而减少了空气中灰尘的沾污B、硅片表面可能吸附的一些气体和溶剂分子的挥发性增加C、硅片可能沾污的一些固体杂质在真空高温条件下，易发生分解而除去D、对一些复杂的容器或器件也能清洗：A、SiHClB、SiHClC、SeHClD、SiHCl32333BBCADDCADAA)A、空带B、满带C、价带D、导带志，分凝会使单晶尾部的电阻率。(A)A、降低B、增大C、不变D、未知3.用四探针法测量薄层电阻，若测试样品尺寸比探针间距大的多，则薄层电阻为：R=V/IA、4.5423B、4.5324C、4.3254D、4.34524.当材料共存施主和受主杂质时，材料的导电类型取决于。(B)5.同样的掺杂浓度，载流子的密度越大，材料的电阻率。A、小B、不变C、大D、无关6.下列不是晶体的主要缺陷的是。(A)A、肖特基缺陷B、面缺陷C、线缺陷D、体缺陷求硅的纯度在9以上。(B)8.下列哪种不是单晶和多晶硅的差异。(D)A、形状B、晶体缺陷C、电池片的效率D、制作流程i(C)DA、Cl2B、SiHCl3C、HClD、SiCl4D10.工业砂在电弧炉中冶炼提纯到%并生产工业硅(D)A、95B、96C、97D、981.太阳能级硅和电子级硅的硅含量分别为__和__个9。A.611B.78C.610D.7112.西门子法中间原料三氯氢硅的主要生产方式：322234C.3SiCl+Si+2H→4SiHClD.SiCl+HCl→SiHCl423233.地壳中石英成分占百分之____，仅次于长石。A.10B.11C.12D.134.制备冶金硅的石英要求纯度较高，为____以上。A.98%B.98.5%C.99%D.99.5%5.硅晶胞的原子数为A.8B.9C.7D.106.硅那个晶面中的那个晶面间距最大：A.{111}B.{100}C.{110}D.{101}2A.1500B.1600C.1750D.18208.硅烷法工艺主要流程中加入的原料有A.AlB.HC.NaD.C29.直拉单晶硅的硅片形有A.圆形B.方形C.椭圆形D.六边形10.如果材料很纯，材料的电阻率与杂质浓度的关系A.p=s1sB.p=esC.p=..s1.铸造多晶硅的主要杂质不包括(D)A.氧B.氢C.碳D.硫2.以硅石和碳质还原剂等为原料经过碳热还原法生产的含硅(C)以上的产品，在我国通常称为工业硅或冶金级硅。A.95%B.96%C.97%D.94%3.下列的哪种结构可以包含两种类型的原子(D)A.体心立方B.简立方C.面心立方D.氯化铯结构4.硅晶体(110)晶面的面密度是多少？(C)A.2.00B.2.31C.2.83D.2.355.CZ法生长单晶硅的工艺不包括(D)A：融化B：放肩生长C：等径生长D：抛光6.2002年光伏发电电池及组件产量达559.2MW，其中单晶硅太阳能电池占了(B)A.32.5%B.36.4%C.50.4%D.66.3%7.下面哪个不是硅片的清洗方法(D)A.化学清洗法B.超声清洗法C.真空高温清洗法D.清水清洗法8.下列哪一项不是太阳能级多晶硅的生产方法？(D)A.冶金法B.气液沉淀法C.重掺硅废料提纯法D.硅烷法9.下列哪一个不是铸造多晶硅的方法？(D)A.步里曼法B.热交换法C.浇铸法D.西门子法10.直拉单晶硅的硅片形有(A)A.圆形B.方形C.椭圆形D.六边形A.硅的光吸收处于红外波段B.室温下硅有延展性C.硅的电导率对外界因素高度敏感D.增加硅片厚度可以防止翘曲2、下列的哪种结构可以包含两种类型的原子(D)A.体心立方B.简立方C.面心立方D.氯化铯结构3、硅晶体(110)晶面的面密度是多少？(C)A.2.00B.2.31C.2.83D.2.354、下列条件不满足工业吸附剂的是(C)AB.具有一定的机械强度，耐磨损C.选择性低D.可再生5、改良西门子法与原来的方法相比，系列哪一项不是增加的内容？(A)A.三氯氢硅的合成B.四氯化硅的氢化工艺C.还原尾气干法回收系统D.实现闭路循化6、下列哪一个不是铸造多晶硅的方法？(D)A.步里曼法B.热交换法C.浇铸法D.西门子法7、下列哪一个面是硅晶体的解理面？(B)A.(100)B.(111)C.(010)D.(001)8、下列哪一项是指平衡分凝系数？(A)AA.B.CC.D.9、下列关于单晶硅说法错误的是(C)A.制备方法是直拉单晶法C.杂质浓度低D.材料浪费大、能耗高10、下列哪一个参数不能表示硅片的翘曲度？(D)A.BOWC.WARPB.TTVD.FPD1：粗硅的纯度为()A：70%—75%B：80%—85%C：85%—90%D：95%—99%2：硅的晶体结构是()A：氯化钠结构B：金刚石结构C：面心立方结构D：体心立方结构3：硅晶体(110)晶面的面密度是多少？()A：2.00B：2.31C：2.83D：2.354：下列关于单晶硅说法错误的是()mC.杂质浓度低D.材料浪费大、能耗高5：下列哪些不是工业吸附要求吸附剂所要求的()A：具有较大内表面，吸附量大B：容易再生C：机械强度较低D：易得，廉价6：下列选项中哪个不是高纯度多晶硅制备方法()A：三氯氢硅还原法B：硅烷热分解法C：西门子改良法D：冶金法7：影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素()(1)晶粒尺寸(2)固液界面(3)热反应力(4)来自坩埚的污染(5)晶硅的内部结构A：(1)(2)(3)(4)B:(1)(2)(3)(5)C:(2)(3)(4)(5)D：(1)(3)(4)(5)8：原子面密度最大、面间键密度最小的面为()A：<110>B:<100>C：<111>D<211>9:硅原子轨道杂化后，形成的4sp3杂化轨道之间的夹角为()A：109°48’B：250°52’C：132°48’D：238°26’10、下列哪一个参数不能表示硅片的翘曲度？()A:BOWB:TTVC:WARPD:FPD1.下列对硅材料性质的叙述正确的是(D)(5)硅的抗应拉力远小于抗剪拉力(6)硅的光吸收处于紫外波段(7)69硅可用于制造半导体芯片(8)常温下硅不容易溶解于盐酸，硫酸，硝酸，氢氟酸及王水。2、已知单晶硅晶胞常数为0.543nm，则(100)晶面的面间距和原子密度分别为(A)A.0.543nm,6.783nm-2B.0.768nm,4.748nm-2C.0.941nm,7.801nm-2D.0.476nm,3.392NM-23、下列关于硅的提纯的描述，正确的是(C)A.硅的化学提纯方法是将硅用化学方法直接提纯至所需的纯度B.吸附提纯是物理提纯的范畴C.硅不能采用水平区域提纯法提纯D.杂质的蒸发一般采用平衡蒸汽压来表征4.下列关于铸造多晶硅的方法叙述中，错误的是(B)A.布里曼法的特点是坩埚和热源在凝固开始时做相对位移B.用热交换法时一般在坩埚底部置一热开关，熔化时热开关打开，起加热作用行D.浇铸法的特点是熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行5.下列关于单晶硅的说法中正确的是(B)A.采用区熔技术时，单晶硅适合用水平区熔法反之，当结晶变慢，晶体直径变细时，则可降低拉速，降低温度去控制C.一般而言，直拉单晶硅的头部氧浓度低于尾部，中心氧浓度高于边缘部位D.单晶硅中，氧沉淀的存在会影响载流子的浓度2、下列说法中错误的是(A)B、太阳电池用单晶硅片有两种形状：圆形和方形，对于需要高输出功率的太阳电池，其硅片形状一般为圆形C、总厚度偏差是指鬼片厚度最大值与最小值之差D、硅抛光片的几何参数中最重要的参数是平整度E、翘曲度是指硅片的中面与参考面之间的最大距离与最小距离之差7.P在硅中电离时，能够(D)电子而产生()A.施放，导电空穴B.接受，导电空穴C.接受，导电电子D.施放，导电电子8.关于位错的描述，下列说法正确的是(B)A.位错只存在于晶体材料中B.位错是一种面缺陷C.位错是在晶体外力下形成的9.硅的晶格结构和能带结构分别是(C)A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型10.尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液面的形状(A)。C.形状太凹C、过于平整B、形状太凸D、无变化率。率A、增高减小B、减小增高C、减小减小D、增高增高2、从形态、质量、能耗、大小、晶体形状及电池效率对比直拉单晶硅和铸造多晶硅的B、在质量上单晶的纯度要求高；铸造多晶硅的纯度要求相对较低。C、在能耗上，铸造单晶能耗小于铸造多晶硅。D、在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅。3、晶体生长中调平固液界面的方法错误的是：A、减小坩埚内径与晶体直径的比值B、调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦。C、调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减。D、调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度减小。4、在恒量扩散时，时间，表面浓度，结深。A、增加减少增加B、增加增加减少C、增加减少减少D、增加增加增加5、完善硅太阳能电池制造工艺流程简要方框图。顺序正确的是：引线浸锡→蒸镀反射膜→总测分类A、涂源扩散化学清洗和抛光化学镀镍制备下电极真空蒸镀制备上电极B、涂源扩散化学清洗和抛光真空蒸镀制备上电极化学镀镍制备下电极C、化学清洗和抛光涂源扩散化学镀镍制备下电极真空蒸镀制备上电极D、化学清洗和抛光涂源扩散真空蒸镀制备上电极化学镀镍制备下电极6、使抛光损伤层最小的一种方法为：A、化学抛光B、化学机械抛光C、氧化铬抛光D、硅胶化学机械抛光A、外延层错B、刃位错C、肖特基缺陷D、螺旋位错氢硅的方法错误的是：A、硅烷法B、络合物法C、固体吸附法D、精馏法9、不是直拉法生长单晶硅纵向电阻率均匀性的控制的是：A、稀释溶质B、调平固液界面C、变速拉晶0、晶棒切割不受制于刀片的厚度的是：A、多线切割B、内圆切割C、外圆切割1、A2、C3、A4、D5、D6、D7、C8、A9、B10、A2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是(D)A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错4.其中不属于多晶硅的生产方法的是(C)A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以压UD是(B)A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？(B)①籽晶熔接②引晶和缩颈③等径生长④收晶A．①②B.①②③④C.②③④D.③④8.关于光生伏特效应叙述中错误的是(C)C；9.电阻率的测量接触法有___C___。D10.下列关于硅的说法不正确的是(C)A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应外最外层电子数是次外层电子数的一半，该元素(B)A.在自然界中只以化合态的形式存在B.单质常用作半导体材料和光导纤维C.最高价氧化物不与酸反应D.气态氢化物比甲烷稳定2.下列推断正确的是(A)C．CO、NO、NO2都是大气污染气体，在空气中都能稳定存在D．新制氯水显酸性，向其中滴加少量紫色石蕊试液，充分振荡后溶液呈红色3.下列叙述错误的是(B)A.合金材料中可能含有非金属元素B.人造纤维，合成纤维和光导纤维都是有机高分子化合物C.加热能杀死流感病毒是因为病毒的蛋白质受热变性D.在车排气管上加装“催化转化器”是为了减少有害气体的排放4.下列推断合理的是高考资源网(B)B.金刚石是自然界中硬度最大的物质，不可能与氧气发生反应高考资源网CHSOCu热也能恢复原色5.下列叙述合理的是(A)A．金属材料都是导体，非金属材料都是绝缘体C．水电站把机械能转化成电能，而核电站把化学能转化成电能6.常温下不能和单质硅反应的试剂是(C)A.氢氟酸B.浓硝酸C.氢氧化钾溶液D.氟气A．水玻璃B．氯化钙C．漂白粉D．饱和碳酸钠8.某段周期非金属元素的原子核外最外层电子数是次外层电子数的一半，该元素(B)A.在自然界中只以化合态的形式存在B.单质常用作半导体材料和光导纤维C.最高价氧化物不与酸反应D.气态氢化物比甲烷稳定9.下列推断正确的是(A)10.下列关于硅单质及其化合物的说法正确的是①硅是构成一些岩石和矿物的基本元素②水泥、玻璃、水晶饰物都是硅酸盐制品③高纯度的硅单质广泛用于制作光导纤维④陶瓷是人类应用很早的硅酸盐材料(A)A．①②B．②③C．①④D．③④1.参杂硼元素的半导体是(A)2.下列不属于三氯氢硅性质的是(C)。A、无色透明B、易燃易爆C、不易挥发和水解D、有刺激性气味3.下列不属于工业吸附要求的是(C)。A.具有较大的内表面，吸附容量大D.容易再生4.下列与硼氧复合体缺陷无关的是(D)。A、氧B、硼C、温度D、湿度5.尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状(A)。F、形状太凹B、形状太凸C、过于平整D、无变化6.通过(A)改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中A、温度场B、磁场C、重力场D、电场7.硅的晶格结构和能带结构分别是(C)A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型8.单晶硅与多晶硅的根本区别是(B)A.纯度B.原子排列方式c.导电能力D.原子结构9.固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在()摄氏度以上进行常规热处A、300B、400C、500D、600范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为(A)程分为三类，以下正确的是()。(1)、固相生长(2)、液相生长(3)、气象生长(4)、边缘生长A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)2、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是)。(3)、新相压强大于外压强(4)、新相压强必须小于外压强A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)3、通过()改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中A、温度场B、磁场C、重力场D、电场4、化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是()。(1)、中间化合物的合成(2)、中间化合物的分离提纯(3)、中间化合物被还原或者是分解高纯硅(4)、中间化合物的去除A、(1)、(2)、(4)B、(1)、(2)、(3)C、(4)D、(1)、(2)、(3)、(4)5、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段()。A、能B、不能C、不确定D、有时可以，有时不可以6、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在()摄氏度以上进行常规热处理。A、300B、400C、500D、6007、下列不属于三氯氢硅性质的是()。A、无色透明B、易燃易爆C、不易挥发和水解D、有刺激性气味8、下列不属于工业吸附要求的是()。A.具有较大的内表面，吸附容量大B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀C.不易得，昂贵D.容易再生9、下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。A、氧B、硼C、温度D、湿度A、形状太凹C、过于平整B4、B6、D、C8、C9、DB、形状太凸D、无变化1.太阳能级硅材料要求纯度在(c)A.90%＜b.90%~95%c.99.99%~99.9999%d.99.9999%以上2.参杂硼元素的半导体是adpn3.单晶硅与多晶硅的根本区别是bB.纯度B.原子排列方式c.导电能力D.原子结构4.(d)金刚石的配位数是A.12B.8C.6D.45.硅的晶格结构和能带结构分别是(C)6.A.金刚石型和直接禁带型B.闪锌矿型和直接禁带型C.金刚石型和间接禁带型D.闪锌矿型和间接禁带型7.下列与硼氧复合体缺陷无关的是(d)。A、氧8、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在(d)摄氏度以上进行常规热处理。A、300B、400C、500D、6009、下列与硼氧复合体缺陷无关的是()。A、氧1.太阳能级硅材料要求纯度在(c)A.90%＜b.90%~95%c.99.99%~99.9999%d.99.9999%以上2.参杂硼元素的半导体是apn3.单晶硅与多晶硅的根本区别是