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文档简介

实训二晶体三极管的输入输出特性测试第一页，共十二页，编辑于2023年，星期二预习情况检查1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。第二页，共十二页，编辑于2023年，星期二一.实验目的2.掌握晶体管输入输出特性的图测方法。3.掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。第三页，共十二页，编辑于2023年，星期二二、实验原理1.共射输入特性曲线以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关系。vBEiBovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10V工程上近似为一条输入特性曲线第四页，共十二页，编辑于2023年，星期二2.共射输出特性曲线以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。OiCuCEiB1iB5iB4iB3iB2第五页，共十二页，编辑于2023年，星期二3.三极管输出特性测试电路iB0iB1iB2iB3第六页，共十二页，编辑于2023年，星期二半导体特性图示仪操作面板测试台集电极电源阶梯电源X轴Y轴第七页，共十二页，编辑于2023年，星期二1．晶体管输出特性的测量（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。（3）测量反向击穿电压BVCEO（基极开路，功耗电阻取5kΩ）

（4）测量、。

设VCE=5V，适当选择和记录IBQecb1008：NPN型

三、实验内容第八页，共十二页，编辑于2023年，星期二IC△ICVCE=5ViC△IB第九页，共十二页，编辑于2023年，星期二2．晶体管输入特性的测量（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。（2）求出导通电压Von。（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻：

设置功耗电阻为250Ω～1kΩiBvBEoVONΔVBEΔIB第十页，共十二页，编辑于2023年，星期二四、实验报告要求1.写出所测参数的定义及其物理意义。2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应坐标。第十一页，共十二页，编辑于2023年，星期二五、实验器材序号名称数量备注1模拟电子电路实验系统1SIPIVT-AⅡ2直流稳压电源1HY3003D-

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