01常用半导体器件练习题

01常用半导体器件练习题第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是C，金属导电的载流子是A__电子B.空穴C.电子和空穴D.原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A型半导体。A.PB.NC.PND.电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是B型半导体。A.PB.NC.PND.空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是A；P型半导体中多数载流子是A,少数载流子是BA.空穴B.电子C.原子核D.中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于D,少数载流子浓度取于BA.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U,此时，电压U的正端应接PN结的A,负端应接PN结BA.P区B.N区7、二极管的反向饱和电流主要与B有关。（当温度一定时，少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。）A.反向电压的大小B.环境温度C.制作时间D.掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管A的关系曲线。A．VD-IDB．VD-rDC．ID-rDD．f-ID9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的CA.正极B负极C.无法确定10、下列器件中，B不属于特殊二极管。A.稳压管B整流管C.发光管D.光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的CA.正向特性B.反向特性C.反向击穿特性12、稳压管的稳定电压VZ是指其DA.反向偏置电压B.正向导通电压C•死区电压D.反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻A（反压下，光照产生光电流）A.减少B.增大C.基本不变D.无法确定14、三极管的主要特征是具有C作用。A.电压放大B.单向导电C.电流放大D.电流与电压放大15、三极管处于放大状态时A。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏16、NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏置为AA.UBE>0、UBE0、UBE>UCED.UBE<0、UCE>017、.对于PNP型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足___B。A．UC>UB>UEB．UCUC>UED．UBA．UC>UB>UEB．UCUC>UED．UBA.uCE与iBB.uCE与iCC.uBE与iCD.uBE与iB20、输出特性曲线反映三极管B关系的特性曲线。A.uCE与iBB.uCE与iCC.uBE与iCD.uBE与iB21、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为D，用S表示的电极称为B，用G表示的电极称为A_。A.栅极源极C.基极D.漏极22、场效应管的转移特性曲线反映的是D之间的关系。A.C.vDSvCE与iDB.vBE与iB与iCD.vGS与iD23、场效应管的输出特性曲线反映的是B之间的关系。AvGS与iDB。vDS与iDC.vDS与iCD。vCE与iC24、图3.4(a)、(b)分别代表—D绝缘栅场效应管。A.P沟道增强型与N沟道耗尽型B.N沟道增强型与N沟道耗尽型C.N沟道耗尽型与P沟道增强型D.P沟道耗尽型与N沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征C的控制作用。A.C.vdvg对对ididB。Dovgig对vd对vd二.填空题半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。2.温度—升高将使半导体的导电能力大大增加。3.半导体材料中有两种载流子，即自由电子和空穴4.杂质半导体按导电类型分为P型半导体和N型半导体5.N型半导体多子是自由电子；P型半导体多子是空穴6.PN结的基本特点是具有单向导电性，PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止7.二极管的伏安特性有：正向、反向和反向击穿特性。8.二极管的反向电流随外界温度的升高而升高；反向电流越小，说明二极管的单向导电性越好一般硅二极管的反向电流比锗管小很多。9.二极管处于反偏时，呈现电阻—无限大。10.二极管反向饱和电流IS会随___温度升高而增大。二极管的最高反向工作电压URM的含义是二级管工作时允许外加的最大反向电压稳压二极管通常是工作在反向击穿状态下的特殊二极管，发光二极管的PN结工作在正向偏置状态时会发光。光电二极管又称红远外线接收二极管，其PN结工作在反向偏置状态，它的反向电流会随光照强度的增加而增加三极管是一种电流控制器件；而场效应管是一种电压控制器件。三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结正向偏置；集电结反向偏置。三极管起放大作用时的内部要求是：基区很薄，参杂浓度低；发射区参杂浓度高；集电结面积大三极管具有电流放大作用的实质，它是利用基极电流的变化控制集电极电流的变化。三极管输出特性曲线分为截止区、饱和区和放大区。三极管的三个管脚电流关系是IE=IB+IC，直流电流放大系数的定义式B=(IC-ICEO)/IB，交流电流放大系数的定义式二△ic/Aib场效应管属于___压控流型控制元件。绝缘栅场效应管分为___增强型和耗尽___型两类，各类又有__N___沟道和___P__沟道两种。场效应管可分为可变电阻区、夹断区、___恒流区、截断区四个区域。作为放大器件使用时，应工作在___恒流区。场效应管的低频跨导，表征___栅源电压对___漏极电流控制能力的重要参数。N沟道增强型MOS管的栅源电压为—正—时能控制漏极电流，耗尽型MOS管的栅源电压为正或为___负时均能控制漏极电流。24.开启电压UT是指vDS为定值时，使—增强型MOS管—使漏极电流大于零所需的最小的栅源电压。夹断电压UP是指vDS为定值时，使___耗尽型MOS管__使漏极电流为规定的微小电流时的栅源电压。三．问答题1．画出二极管的电路符号和文字符号，并说明二极管的主要特性。已知三极管的B=60,在放大电路中测得IC=8mA，求IB,IE。3．二极管电路如图所示，假设二极管为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压UAO4．二管电路如所示，设输入电压u