第七章光辐射的探测及成像技术详解演示文稿

第七章光辐射的探测及成像技术详解演示文稿当前第1页\共有55页\编于星期三\8点优选第七章光辐射的探测及成像技术当前第2页\共有55页\编于星期三\8点光电探测技术基础1873年，英国的Smith和May在大西洋横断海底电信局所进行的实验中发现，当光照射到用作电阻的Se棒后，其电阻值约改变30%，同年Simens将白金绕在这种Se棒上，制成了第一个光电池；1888年，德国的Hallwachs在作Hertz的电磁波实验中，发现光照射到金属表面上会引起电子发射，1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管的基础；接着美国的Zworkyn研制出各种光电阴极材料，并制造出了光电倍增管，并于1933年发明了光电摄像管；1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管，1970年Boyle等人发明了CCD(电荷耦合器件)。如今，激光的发展进一步促进和刺激了光电探测领域的发展，各种光电探测器件大都已工业化、商品化，摄像机等已微型化。由于现阶段的激光系统可提供巨大的带宽与信息容量，因而光电探测技术在信息光电子技术中也就有了特别重要的意义。当前第3页\共有55页\编于星期三\8点光电探测的物理效应光电探测的物理效应可以分为三大类：光电效应、光热效应和波相互作用效应，并以光电效应应用最为广泛。光电效应是入射光的光子与物质中的电子相互作用并产生载流子的效应。事实上，此处我们所指的光电效应是一种光子效应，也就是单个光子的性质对产生的光电子直接作用的一类光电效应。根据效应发生的部位和性质，又将其分为外光电效应和内光电效应。外光电效应是指发生在物质表面上的光电转换现象，主要包括光阴极直接向外部放出电子的现象，典型的例子是物质表面的光电发射；内光电效应指发生在物质内部的光电转换现象，特别是半导体内部载流子产生效应，主要包括光电导效应与光伏效应。外光电效应和内光电效应当前第4页\共有55页\编于星期三\8点光电探测的物理效应光电效应类探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态改变，因而光子能量的大小直接影响内部电子状态改变的大小，因而这类探测器受波长限制，存在“红限”—截止波长，截止波长表达式：式中，c为真空中光速，E在外光电效应中为表面逸出功，在内光电效应中为半导体禁带宽度。当前第5页\共有55页\编于星期三\8点光电探测的物理效应是物体吸收光，引起温度升高的一种效应。探测器件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，并进一步使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化的现象。探测体常用Pt、Ni、Au等金属和热敏电阻、热释电器件、超导体等。原则上，光热效应对光波波长没有选择性，但由于材料在红外波段的热效应更强，因而光热效应广泛用于对红外辐射、特别是长波长的红外线的测量，许多激光功率计常用该种类型的探测器。由于温升是热积累的作用，所以光热效应的速度一般比较慢，而且易受环境温度变化的影响。是指激光与某些敏感材料相互作用过程中产生的一些参量效应，包括非线性光学效应和超导量子效应等。光热效应波相互作用效应当前第6页\共有55页\编于星期三\8点外光电效应——光电发射效应金属或半导体受光照时，若入射光子能量足够大，它就和物质当中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出，这种现象就称为光电发射效应，也称外光电效应。其中，能够产生光电发射效应的物体称为光电发射体，在光电管中又称光阴极。光电发射效应是真空光电器件中光电阴极的物理基础，它遵从两个基本定律：(1)光电效应第一定律——斯托列托夫定律：当照射到光电阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流(即单位时间内发射的光电子数目)与入射光强度成正比：式中，是光电流，是入射光强，是该阴极对入射光线的灵敏度。该定律有时表达为式中，是t时刻入射到探测器上的光功率，是探测器的量子效率。该式常被称作光电转换定律。当前第7页\共有55页\编于星期三\8点外光电效应——光电发射效应(2)光电发射第二定律——爱因斯坦定律：如果发射体内电子吸收的光子能量大于发射体表面逸出功，则电子将以一定速度从发射体表面发射，光电子离开发射体表面时的初动能随入射光的频率线性增长，与入射光的强度无关式中，为光电子的初动能，m为电子质量，为电子离开发射体表面时的速度，为入射光子能量，为金属逸出功(从材料表面逸出时所需的最低能量)，又称功函数。该式表明，入射光子必须具有足够的能量，也就是说至少要等于逸出功，才能发生光发射，就此推出外光电效应发生的条件为：截止波长：当前第8页\共有55页\编于星期三\8点入射光波长大于截止波长时，无论光强有多大、照射时间有多长，都不会有光电子发射。光电发射大致可分为三个过程：(1)光射入物体后，物体中的电子吸收光子能量，从基态跃迁到激发态；(2)受激电子从受激处出发，向表面运动，其间必然要同其它电子或晶格发生碰撞而失去部分能量；(3)到达表面的电子克服表面势垒对其的束缚，逸出形成光电子。由此得到光电发射对阴极材料的要求：(1)对光的吸收大，以便体内有较多的电子受激发射；(2)电子受激发生在表面附近，以使碰撞损失尽量小；(3)材料逸出功小，以使到达表面的电子容易逸出；(4)电导率好，以便能够通过外电源来补充光电发射失去的电子。外光电效应——光电发射效应当前第9页\共有55页\编于星期三\8点外光电效应——光电发射效应金属的光电发射金属反射掉大部分入射的可见光(反射系数大于90%)，吸收效率较低，且光电子与金属中大量自由电子碰撞，能量损失大，因而只有表面附近(几纳米范围内)的光电子才有可能克服逸出功(大都大于3eV)发出光电子。对于能量小于3eV的可见光很难产生光电发射，只有铯(逸出功2eV)对可见光灵敏，可用于可见光电极，但其量子效率很低(小于0.1%)，在光电发射前两阶段能量损耗极大。当前第10页\共有55页\编于星期三\8点外光电效应——光电发射效应半导体光电发射半导体光电发射的光电逸出参量有两个，分别是电子亲和势和电子逸出功。电子亲和势是指导带底上的电子向真空逸出时所需的最低能量，数值上等于真空能级(真空中静止电子的能量)与导带底能级之差。有表面亲和势和体内亲和势之分。表面亲和势是材料参量，与掺杂、表面能带弯曲等因素无关，而体内亲和势不是材料参量，可随表面能带弯曲变化。电子逸出功是描述材料表面对电子束缚强弱的物理量，在数量上等于电子逸出表面所需的最低能量，即光电发射的能量阈值。当前第11页\共有55页\编于星期三\8点外光电效应——光电发射效应金属与半导体逸出功金属有大量的自由电子，没有禁带，费米能级以下基本上为电子所填满，而费米能级以上基本上是空态，因而表面能受内外电场影响很小，费米能级只决定于材料，因而其逸出功定义为T=0K时真空能级与费米能级之差，是材料的参量，可用来做为电子发射的能量阈值。半导体中自由电子较少，且有禁带，费米能级一般都在禁带当中，且随掺杂和内外场变化，所以真空能级与费米能级之差不是材料参量。半导体的逸出功定义为T=0K时真空能级与电子发射中心能级之差，而电子发射中心的能级有的是价带顶，有的是导带底，情况复杂，而不管逸出功从何算起，其中都包含以亲和势，因而半导体中很少用逸出功而常用亲和势来判别光电子发射的难易，许多资料中光电发射的能量阈值常用亲和势加禁带宽度来计算。当前第12页\共有55页\编于星期三\8点内光电效应内光电效应型探测器主要包括光电导(Photoconductive：PC)型和光伏(Photovoltaic：PV)型两种。1.光电导效应光电导效应是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使得非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，从而导致材料电导率增大。该现象是100多年来有关半导体与光作用的各种现象中最早为人们所知的现象。下图为光电导效应示意图。光电导效应当前第13页\共有55页\编于星期三\8点内光电效应—光电导效应对于本征半导体，在无光照时，由于热激发只有少数电子从价带跃迁至导带，此时半导体的电导率很低，称为半导体的暗电导，用表示，且式中，e为电子电荷，n和分别是无光照时导带电子密度和迁移率；p和分别是无光照时价带空穴密度和迁移率。当光入射到本征半导体材料上时，入射光子将电子从价带激发到导带，使导电电子、空穴数量变化、，从而引起电导率变化：当前第14页\共有55页\编于星期三\8点以N型半导体为例，如上图。图中，V为外加偏压，为负载电阻，L、W、d分别为样品模型的长、宽、高，则探测器电极面积A=Wd。若光功率P沿x方向均匀入射，光电导材料吸收系数为，则入射光功率在材料内部沿x方向的变化为式中P为x=0处的入射光功率。则光生电子在外电场作用下的漂移电流为式中为x处光生载流子密度，为光生载流子在外电场E作用下的漂移速度。则探测器收集极上的光电流平均值为内光电效应—光电导效应当前第15页\共有55页\编于星期三\8点代入上式，得光电流平均值为与光生载流子的产生复合率有关，若非平衡载流子平均寿命为，则复合率为，产生率为，在稳态条件下产生率与复合率相等，由此得于是的光电导探测器输出的平均光电流为内光电效应—光电导效应当前第16页\共有55页\编于星期三\8点同时求得，入射光功率全部被吸收时，探测器体内的平均光生载流子浓度为此时的光电流为内光电效应—光电导效应根据量子效率的定义可求得式中，为外电场下载流子在电极间的渡越时间，为光电导探测器的内部增益，表示一个光生载流子对探测器外回路电流的有效贡献，它是光电导探测器的一个特有参数。为了提高其值，应该用平均寿命长、迁移率大的材料作探测器，且将探测器电极做成梳状，以减小极间距离。G的大小随使用条件和器件本身的结构不同而不同，可在量级间很宽的范围内变化。当前第17页\共有55页\编于星期三\8点指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。产生这种电位差的机理有多种，主要的一种是由于阻挡层的存在引起的，我们就以P-N结为例来分析光伏效应。P-N结结区存在一个由N指向P的内建电场，热平衡时，多数载流子的扩散作用与少数载流子的漂移作用相抵消，没有电流通过P-N结；当有光照射P-N结时，样品对光子的本征和非本征吸收都将产生光生载流子，但由于P区和N区的多数载流子都被势垒阻挡而不能穿过结，因而只有本征吸收所激发的少数载流子能引起光伏效应：P区的光生电子和N区的光生空穴以及结区的电子-空穴对扩散到结电场附近时，在内建电场的作用下漂移过结，电子-空穴对被阻挡层的内建电场分开，光生电子与空穴分别被拉向N区与P区，从而在阻挡层两侧形成电荷堆积，产生与内建电场反向的光生电场，使得内建电场势垒降低，降低量等于光生电势差。光生电势差导致的光生电流方向与结电流方向相反，而与P-N结反向饱和电流同向，且。内光电效应—光电导效应2.光伏效应当前第18页\共有55页\编于星期三\8点并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设N区中空穴在其寿命p时间内扩散距离为Lp，P区中电子在e时间内扩散距离为Le，一般情况下L=Lp+Le远大于P-N结宽度，因而可得，结附近平均扩散距离L内所产生的光生载流子对光电流有贡献，此外的电子-空穴对在扩散过程中将复合掉，对P-nN结光伏效应无贡献。光伏效应有两个重要参数：开路电压Uoc与短路电流Isc，他们的定义都要从P-N结电流出发。光伏效应下P-N结总电流其中E为光照度，U为结电压，T为绝对温度，S为光照面积。内光电效应—光电导效应当前第19页\共有55页\编于星期三\8点则定义光照下P-N结外电路开路(即I=0)时P端对N端的电压为开路电压Uoc：在一定温度下，它与光照度E呈对数关系，但最大值不超过接触电势差。短路电流Isc定义为光照下p-n结外电路短路(即U=0)时，从p端流出，经过外电路流入n端的电流：可见它在弱光照射下与E呈线性关系。内光电效应—光电导效应当前第20页\共有55页\编于星期三\8点光热效应光热效应中典型的有温差电效应和热释电效应。1.温差电效应当两种不同的导体或半导体材料两端并联熔接时，在接点处可产生电动势，这种电动势的大小和方向与该接点处两种不同材料的性质和接点处温差有关，如果把这两种不同材料连接成回路，当两接头温度不同时，回路中即产生电流，这种现象称为温差电效应，又称塞贝克效应。下图是温差电效应示意图温差电效应

当前第21页\共有55页\编于星期三\8点光热效应温差热电偶接收辐射一端称为热端，另一端为冷端。为了提高吸收系数，热端常装有涂黑的金箔。半导体热电偶热端接收辐射后升温，载流子浓度增加，多子从热端向冷端扩散，从而使p型材料热端带负电、冷端带正电，n型则相反。当冷端开路时，开路电压为：式中，M是一个比例系数，称为塞贝克常数，又称温差电势率，单位为V/;

为温度增量。为了提高灵敏度，并使工作稳定，常把温差热电偶或温差热电堆放在真空外壳里。真空温差热电偶的主要参量有：灵敏度R，响应时间常数，噪声等效功率NEP等。当前第22页\共有55页\编于星期三\8点光热效应温差热电偶的灵敏度定义式为：式中，为冷端负载上所产生的电压降；为入射于探测器的辐射通量。要使R大，应选用M大的材料，并增大吸收系数，同时减小内阻与热导。交变情况下，调制频率低时R更大，和减小都有利于R提高，响应率与带宽之积为一常数。由于温差热电偶的多为毫秒量级，因而带宽较窄，多用于测量恒定辐射或低频辐射，只有少数小的材料才能测量中高频辐射。当前第23页\共有55页\编于星期三\8点光热效应2.热释电效应热电晶体的自发极化矢量随温度变化，从而使入射光可引起电容器电容改变的现象称为热释电效应。热释电效应示意图如下图，图中为热电体的居里温度。热释电效应

热电晶体是一种结晶对称性很差(即具有非中心对称性)的压电晶体，在常态下，某个方向上正负电荷中心不重合，从而晶体表面存在着一定量的极化电荷，称为自发极化。晶体温度变化会引起正负电荷中心发生位移，从而引起表面极化电荷变化。当前第24页\共有55页\编于星期三\8点光热效应温度恒定时，因晶体表面吸附有来自于周围空气的异性电荷，因而观察不到自发极化现象；温度变化时，晶体表面的极化电荷发生变化，而周围的吸附自由电荷对面电荷的中和作用十分缓慢，一般在1—1000s量级，难以跟上温度变化导致的极化点和变化速度，因而晶体表面电荷失去平衡，自发极化现象得以显示。但这种温度变化相应的面电荷变化过程仅发生在平均作用时间内。其中，为晶体介电常数，为晶体电导率。可见，这种辐射探测方法仅适用于变化的辐射，且辐射调制频率必须大于。当前第25页\共有55页\编于星期三\8点光热效应如果把热释电体放进一个电容器极板之间，并将一个电流表与电容器极板连接，电流表中就会有电流流过，该电流称为短路热释电流：可见，当照射光恒定不变时，与均为恒值，热释电流为零。设晶体的自发极化矢量为，其方向垂直于晶体表面，则辐射引起的表面极化电荷变化为式中，A为接收辐射面与另一面的重合部分面积，为辐射引起的晶体温度变化，称为热释电系数。返回当前第26页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数表征光探测器的基本性能参数有量子效率，响应度，灵敏度，噪声等效功率，探测度，光谱响应和频率响应等。(1)量子效率，又称量子产额，是指每一个入射光子所释放的平均电子数。它与入射光子能量(即入射光波长)有关。对内光电效应还与材料内电子的扩散长度有关；对于外光电效应与光电材料的表面逸出功有关。其表达式为：式中P是入射到探测器上的光功率，是入射光产生的平均光电流大小，是单位时间内入射光子平均数，是单位时间产生的光电子平均数，是电子电荷。想光探测器应有，实际光探测器一般有。显然，光探测器的量子效率越高越好。对于光电倍增管、雪崩光电二极管等有内部增益机制的光探测器，可大于1。当前第27页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数(2)响应度，为探测器输出信号电压与输入光功率之比：单位为V/W。(3)灵敏度为探测器输出信号电流与输入光功率之比：和均用来描述探测器输出电信号与输入光功率的关系，均是波长的函数。入射光波长一定，则响应度与灵敏度确定。

当前第28页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数(4)光谱响应，就是表征(或)随波长变化的特性参数，如图所示。光电探测器与热电探测器的光谱响应曲线由于许多光探测器是基于光电效应而工作的，因而存在一个最低频率，只有入射光频率大于才能有响应信号输出，相应存在一个探测波长极限，在时，探测器对于某一频率(波长)光的响应与探测器对该波长光子的吸收速率，即单位时间内入射的光子数密度成正比，因而时，其响应随着波长的增加而呈线性上升。而时，光谱响应曲线迅速下降到零。光谱响应中还有一个重要参量，称为响应峰值波长，它指相对光谱响应曲线中对应于最高响应率的辐射波长。当前第29页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数(5)噪声等效功率，定义为相应于单位信噪比的入射光功率，用来表征探测器探测能力，定义式为：越小，探测能力越强。由于噪声频谱很宽，为减小噪声影响，一般将探测器后面的放大器做成窄带通的，其中心频率选为调制频率。这样，信号将不受损失而噪声可被滤去，从而使减小，这种情况下的定义为：式中Δf为放大器带宽。当前第30页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数(6)探测度，是的倒数，即单位入射功率相应的信噪比。通常归一化探测度比前述更能体现探测器性能。表示单位探测器面积、单位带宽的探测度，定义式为：式中为探测器面积，为放大器带宽。和一样是波长的函数，由于噪声通常和信号调制频率有关，故也是调制频率的函数。当前第31页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数(7)频率响应，是描述光探测器响应度在入射光波长不变时，随入射光调制频率变化的特性参数。它是光探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，是表征光探测器频率特性的重要参数，其曲线如图。光探测器频率响应曲线当前第32页\共有55页\编于星期三\8点光探测器性能参数除了以上7个基本参数以外，我们在使用探测器时还会遇到以下参数：暗电流，指没有信号和背景辐射时通过探测器的电流；工作温度，对于非冷却型探测器指环境温度，对于冷却型探测器指冷却源标称温度；响应时间，指探测器将入射辐射转变为信号电压或电流的弛豫时间；光敏面积，指灵敏元的几何面积。返回当前第33页\共有55页\编于星期三\8点光电探测方式直接探测与外差探测

光探测器的光吸收过程是直接由某种光量子作用产生的，这种量子作用由检测系统读取其大小，因此其输出是由光量子的吸收率决定的，而不是由光量子的能量来决定，其工作原理基础是单位时间内探测器的输出电信号正比于光生载流子数目，而单位时间内光生载流子的数目，即载流子的跃迁速率，正比于总入射光场振幅的平方，即设入射为缓变场与的合成场，则：于是：当前第34页\共有55页\编于星期三\8点直接探测与外差探测直接探测系统

直接探测法能检测光强及光强的变化，是非相干辐射的唯一探测方法，而对于相干辐射进行直接探测具有简单、方便、室温运转等优点，但它不能反映光载波频率及相位的变化，因而探测灵敏度低，信噪比差。(1)当时，它对应于直接探测方式，这种方式下，由于探测器的输出电信号正比于光生载流子跃迁速率，而光生载流子跃迁速率又正比于(即入射光功率)，因而，探测器的输出电流是入射光功率的线性函数，其结构框图如图。当前第35页\共有55页\编于星期三\8点直接探测与外差探测(2)当时，跃迁几率中除两入射光功率数量和这一常数项外，还包含一项以振荡、相位的分量。因而能反映入射相干光载波的频率及相位变化，它对应于外差探测方式，也叫相干探测，其结构框图见图。外差探测系统

外差探测法可以消除背景噪声和暗电流的影响，大大提高探测灵敏度，达到近乎理想量子极限，它不仅可以探测光强调制信号，还可用于频率或相位调制波的探测，但外差探测系统复杂，对信号光与本振光要求均很高，技术困难大，成本高。由于激光的高度相干性、单色性和方向性，使光频的外差探测成为现实。光电探测器除了具有解调光功率包络变化的功能外，只要光谱响应匹配，就可以实现外差探测。当前第36页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析1.直接探测方式性能分析直接探测方式中调制信号频率为，光信号频率为，调制光信号为由于光电探测器的响应时间一般远大于光频变化周期，因而光电转换过程实际上是光场变化的时间积分响应，于是得到入射到探测器上的平均光功率：由此可得入射光在具有内增益G的探测器光敏面上输出的平均电功率为直接探测时，入射光产生的光电流大小为当前第37页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析很多情况下直接探测只响应光功率的时变信息，而不考虑直流部分，则有又由于对应于光探测器的频率响应，而不是光谱响应，频率太高，光电探测器根本不能响应，因而考虑自增益后，直接探测光探测器的实际输出电流为：其功率信噪比式中，G为光探测器的内部增益，为背景光电流，为光电阴极暗电流。，，和分别是光电倍增管的信号光噪声功率、背景光噪声功率、暗电流产生的噪声功率和热噪声功率。当前第38页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析对于光电倍增管，，，和，其信噪比对于光电二极管，，，，，，其信噪比由此可推得，在只存在光信号噪声，不考虑其他噪声时的信号极限噪声为：当前第39页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析2.外差探测方式性能分析光频外差探测的原理和无线电波外差接收原理完全一样，其中必须有两束满足相干条件的光束。光外差探测系统中的光电探测器起着光学混频器的作用，它响应信号光与本振光的差频分量，输出一个中频光电流。由于探测量利用信号光和本振光在光电探测器光敏面上干涉得出，因而外差探测又称相干探测。光外差探测中的光电转换过程不是检波过程，而是一种“转换”过程，其中的被测信号与第二个光场，即本地振荡场混频，从而产生频移，即把以为载频的光频信息转换到以为载频的中频电流上。这一转换是本地振荡光波的作用，它使光外差探测天然地有一种转换增益G。以直接探测为基准加以描述为式中，为信号光功率，为本振光功率，为探测器输出电功率，也就是中频光功率当前第40页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析由此推得若不考虑其中的直流部分，则有外差探测中，本振散粒噪声远远大于热噪声及其他散粒噪声，于是可推得外差探测极限灵敏度为此即为光外差探测的量子极限。入射到光电阴极上的总电场为：当前第41页\共有55页\编于星期三\8点两种探测方式性能分析比较外差探测与直接探测的极限灵敏度可得，二者形式十分相似。但由于外差探测中的远远小于直接探测中的值，因而外差探测的极限灵敏度远远大于直接探测的极限灵敏度。这主要是因为外差探测中的高质量本振光束不仅给信号光束提供了转换增益，而且还清除了探测器内部噪声。返回当前第42页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器本节首先在前述光电探测物理基础上综合分析了各类光电探测器，接着介绍几种典型光探测器。当前第43页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型1.光电探测器分类光探测器的分类可以按其工作时所利用的物理效应来划分，也可以根据探测器结构形式来分，还可以根据探测方式来分。根据探测器结构形式，可将探测器分为单元探测器和多元探测器，其中的多元探测器已由线阵发展为面阵，且目前已能将探测器阵列与信号处理电路集成为半导体集成块，大大方便了应用。根据探测方式不同可分为直接探测和外差探测。各种分类方式中，更多的是根据光电探测工作时所依据的各种物理效应来对光电探测器进行分类。这种分类中，以光电导模式工作的反偏结型光探测器与光电三极管的归属问题存在歧义。有人将之归入结型光电导类探测器，有人将其归入光导模式结型光伏探测器，就现有资料来看，更多学者倾向将其归入光伏探测器。表6-1为将光电导模式工作的反偏结型光探测器与光电三极管归入光伏效应类型中时，光电探测的物理效应与相应探测器分类表。当前第44页\共有55页\编于星期三\8点当前第45页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型表6-2是将光电导模式工作的反偏结型光探测器与光电三极管归入结型光电导类探测器所得常见光电探测器的分类情况表。当前第46页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型2.光电导型探测器利用光电导效应工作的光电探测器称为光电导型探测器，这类探测器在光照下会改变自身的电阻率，且光照越强器件电阻率越小，因而常称为光导管或光敏电阻。它们一般都为体结构，阻抗呈阻性，没有极性，且灵敏度较高，具有内电流增益G，响应速度则一般较慢。光敏电阻主要用于电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析、光电制导、激光外差探测等方面。光敏电阻元件主要是Ⅱ—Ⅵ族的化合物半导体，如CdS(硫化镉)、CdTe(碲化镉)、PbS(硫化铅)之类的烧结体，和InSb(锑化铟)、GaS等Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，及Ge:Cu、Ge:Au等Ⅳ族半导体晶体。图6-9为光敏电阻的结构和偏置电路。表6-3给出几种光敏电阻典型特性。光敏电阻的结构和偏置电路

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CdS、CdTe具有高可靠性、长寿命、低造价、可见光响应等特点，探测器，光电导增益为103-104，响应时间约50ms，在工业中应用最广。

PbS是一种军用最多的优良近红外光敏电阻，其响应范围在1-3.4m，峰值响应波长2m，响应时间200s，室温有较大电压输出。光电探测器类型当前第48页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型3.光伏型探测器利用光导型光伏效应的p-n结型光电二极管(PD)，响应速度快，其基本工作原理是：光照所产生的大量空穴被施加在p-n结上的反向偏压所加速，移动速度加快，从而产生光电流。最常用的材料是Si(波长探测范围：0.3-1.1)、Ge(波长探测范围：1.0-1.7)等Ⅳ族半导体。InGaAsP和InGaSbP制作的长波长光电二极管对于波段光通信至关重要，也是目前研究的重点。光接收面积增大，则p-n结电容增大，响应速度减慢，为此，常在p-n结中加入本征层，形成p-i-n结光电二极管。p-n结、p-i-n结光电二极管中，电子和空穴的产生仅由光能量引起，而另一种二极管——雪崩光电二极管(APD)却具有“自增益”，能进一步增大电子和空穴数，同时又不损害高速响应性能。但APD却存在需要稳定的高偏压，倍增系数受温度影响很大、使用困难等缺陷。肖特基势垒光电二极管具有量子效率高(>70%)，响应频率高(>10GHz)等特性。以上各种光电二极管原理上都是反偏的p-n结结构。当前第49页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型光电三极管(p-n-p结和n-p-n结构成)形成光敏晶体管，它相当于在普通的晶体三极管结构中，基极由光照射电极来代替而形成。当在发射极与集电极之间加上电压，基极周围产生的电子和空穴向集电极扩散的过程中，会因三极管的放大作用而放大，具有灵敏度高的优点。但由于结电容和包含内电阻的负载电阻的时间常数的影响，响应速度慢。光电池和太阳能电池为零偏的二极管机构，能直接将光能转变成电能，不再需要外加电源，在响应速度要求不高的场合，因其使用简便，常用于光电子学信息处理和光耦合器件的光接收部件上，目前使用的有(1)Si、GaAs、AlSb等Ⅳ族及Ⅲ—Ⅴ族的单晶和非晶半导体制备的的p-n结；(2)烧结型的CdS与其它物质构成的异质结；(3)用CdTe薄膜制备的p-n结半导体等。当前第50页\共有55页\编于星期三\8点光电探测器类型4.热电型探测器热电型探测器在红外、激光功率/能量测量中应用广泛。如果把