MOCVD基础知识演示文稿

MOCVD基础知识演示文稿目前一页\总数三十四页\编于十四点MOCVD基础知识目前二页\总数三十四页\编于十四点MOCVD（MetalorganicChemicalVaporDeposition）

MOCVD是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。目前三页\总数三十四页\编于十四点主要内容1.基本原理2.生长的材料体系目前四页\总数三十四页\编于十四点基本原理（1）使用的原材料（2）组分控制（3）热力学分析目前五页\总数三十四页\编于十四点使用的原材料ARn+BHn

→AB+nRHA、B是组成外延材料的元素，

R是有机基团。常用的A组分有Ga,In,Al,Mg,Zn,一般为：TMGa,TEGa,TMIn,TEIn,TMAl,TEAl,Cp2Mg(C2H5)2Mg,DMZn,DEZn.常用的B组分通常采用其氢化物，例如AsH3,PH3,NH3,SiH4,SeH2等。

目前六页\总数三十四页\编于十四点一些常用源的分子结构示意图DMZnTMGaAsH3DMTeTBPTDMAAs目前七页\总数三十四页\编于十四点基本原理（1）使用的原材料（2）组分控制（3）热力学分析目前八页\总数三十四页\编于十四点组分控制精确控制材料组份的关键--MO源的蒸汽压和输入量MO源瓶中的压力是两种分压的总和，即PH2和PMOP=PMO+PH2

目前九页\总数三十四页\编于十四点目前十页\总数三十四页\编于十四点TMIn的问题液态的金属有机源（TMGa,TEGa,DMZn,TMAl）目前十一页\总数三十四页\编于十四点TMIn常温下是固体（熔点88.4度）降低源瓶的压力，设定TMIn的压力为200mbar。使用Epison系统保证其稳定。原理：混合气体中的声速和气体的浓度有线性的关系目前十二页\总数三十四页\编于十四点基本原理（1）使用的原材料（2）组分控制（3）热力学分析目前十三页\总数三十四页\编于十四点热力学分析1.低温下生长速率由MO源分子的热分解速率控制，生长速度强烈依赖温度，温度的微小变化可较大程度地影响晶体生长的均匀性和重复性。目前十四页\总数三十四页\编于十四点热力学分析2.在较高温度范围内，由于所有的MO源分子在晶体表面全部分解或分解速率不受温度的影响，此时，晶体生长速度主要受质量传输控制，温度对其影响较小。虽然晶体生长速率不随温度变化，但材料的性质、掺杂特性等参数受温度影响较大。目前十五页\总数三十四页\编于十四点热力学分析3.在更高的温度范围内，晶体的生长速度随温度的升高而降低，这是由于在此温度下，热力学控制起主导作用。例如，生长基元的挥发、均相反应等。目前十六页\总数三十四页\编于十四点生长温度的其他要求高温能增加表面迁移率，低温降低表面迁移率。低温能降低SiGe的掺杂，高温能降低OS的掺杂。要求生长温度小于或等于晶体的熔点的一半。带隙大的晶体熔点高，生长温度高；带隙小的晶体熔点低，生长温度低。目前十七页\总数三十四页\编于十四点V/III

850℃时

PH3只有50%能够分解600℃时

AsH3只有50%能够分解低的V/III下，III族原子容易形成小的金属液滴，不利于材料均匀生长。砷化物的V/III一般为几十，磷化物的V/III一般为几百。目前十八页\总数三十四页\编于十四点V/III的计算目前十九页\总数三十四页\编于十四点常压MOCVD（AP-MOCVD）

设备条件要求低。扩散边界层和温度边界层较厚增加了前反应和均相反应的几率，降低了材料质量和均匀性。目前二十页\总数三十四页\编于十四点低压MOCVD（LP-MOCVD）要求设备密封性要高。1.由于气体流速快，使表面的扩散边界层和温度边界层厚度减小，降低了前反应和均相反应几率。2.反应副产品短时间内会离开生长区，提高了材料质量。目前二十一页\总数三十四页\编于十四点3.压力太低的情况下，生长室中分子浓度过低，分子间相互作用减小，使生长速度下降，降低了材料利用率。4.同时由于表面吸收基元与H自由基相互作用变小，形成的气体副产品无法与氢自由基结合形成稳定的气态分子离开表面，使材料的碳掺杂过高，影响材料质量。目前二十二页\总数三十四页\编于十四点另外，影响材料生长速度、均匀性和光电性能的参数还有：反应室的形状、加热方式、衬底转速、载气流量等因素源材料的种类和质量。目前二十三页\总数三十四页\编于十四点生长过程

目前二十四页\总数三十四页\编于十四点2.生长的材料体系

（1）AlxGa1-xAs/GaAs体系

AlxGa1-xAs/GaAs体系是研究最多、最成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物体系。其主要原因是AlGaAs在全组份范围内晶格与GaAs匹配，具有很大的ΔEg，可以制成各种异质结、量子阱和超晶格结构。

目前二十五页\总数三十四页\编于十四点（2）GaxIn1-xAs/GaAs体系

GaInAs/GaAs应变量子阱材料，用于大于900nm激光器和发光管器件。另外，应用GaInAs/GaAs多量子材料与AlGaAs/GaAs、GaInP/GaAs材料配合制成多结太阳能电池，可极大地提高红外光谱的吸收，提高太阳能电池的转换效率。

目前二十六页\总数三十四页\编于十四点（3）AlGaInP/GaAsAlGaInP材料具有宽的能带，发光范围可覆盖红、橙、黄、黄绿波段，因而在可见发光二极管、红光激光器方面有着广泛的应用价值。调节In、Al和Ga的组份，可与高质量、低价格的GaAs晶格匹配。

目前二十七页\总数三十四页\编于十四点4）GaInAsP/GaAs体系通过调节Ga、In、As、P比例使GaInAsP与GaAs衬底匹配，用于制备无Al激光器。通常AlGaAs/GaAs激光器由于有源区含Al，特别是大功率器件中，Al的氧化会降低器件的寿命和稳定性。因此，近几年有源区无Al和全无Al激光器倍受关注。

目前二十八页\总数三十四页\编于十四点5）GaInAsP/InP体系调节Ga、In、As、P比例同样可使GaInAsP与InP匹配。用于制备1.3-1.5μm的红外激光器。此类激光器是现代光通讯的主要光源。

目前二十九页\总数三十四页\编于十四点（6）GaInN/GaN体系GaInN/GaN体系的发展和在蓝、绿光方面的广泛应用，是MOCVD的又一大奇迹。GaN基材料是带隙最宽的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料。蓝、绿光发光二极管的出现，

使全色显示成为现实。基于蓝光LED的白光LED为下一代照明开创了新的途径。而蓝光LD可将光存储密度提高二十倍。

另外，GaN基材料属于高温半导体，制成的高温器件有光明的应用前景。

目前三十页\总数三十四页\编于十四点（7）含Sb化合物含Sb化合物半导体材料是能隙最小的Ⅲ-Ⅴ族材料。主要应用于2-4m波长的激光器、探测器制备。

目前三十一页\总数三十四页\编于十四点（8）Ⅱ-Ⅵ族半导体材料ZnSe、CdTe、HgCdTe、ZnTe、CdZnTe、CdSeTe、ZnS、MgSe、MgSSe等，这些材料在发光器件和探测器方面有广泛应用，目前三十二页\总数三十四页\编于十四点（9）氧化物材料体系MOCVD氧化物薄膜材料方面的应用表明了MOCV