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文档简介

《电子技术基础》课程移动互联应用技术专业集成电路的发展集成电路发展1952年5月，英国科学家达默第一次提出了集成电路的设想。1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路第一块集成电路：TI公司的Kilby12个器件，Ge晶片获得2000年Nobel物理奖集成电路发展1959年美国仙童/飞兆公司（Fairchilds）的R.Noicy诺依斯开发出用于IC的Si平面工艺技术，从而推动了IC制造业的大发展。1959年仙童公司制造的IC诺伊斯集成电路发展

第一阶段：1962年制造出集成了12个晶体管的小规模集成电路（SSI）芯片。第二阶段：1966年制造出集成度为100～1000个晶体管的中规模集成电路（MSI）芯片。第三阶段：1967～1973年，制造出集成度为1000～100000个晶体管的大规模集成电路（LSI）芯片。第四阶段：1977年研制出在30mm2的硅晶片上集成了15万个晶体管的超大规模集成电路（VLSI）芯片。第五阶段：1993年制造出集成了1000万个晶体管的16MBFLASH与256MBDRAM的特大规模集成电路（ULSI）芯片。第六阶段：1994年制造出集成了1亿个晶体管的1GBDRAM巨大规模集成电路（GSI）芯片。集成电路发展

摩尔定律：

集成电路的集成度每18个月就翻一番，特征尺寸每

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