非线性微波电路与系统第十

非线性微波电路与系统第十第1页，共50页，2023年，2月20日，星期四12微波振荡器的主要性能指标：1、工作频率和带宽（VCO）；2、输出驻波系数；3、稳定度

①频率准确度 ②频率稳定度（分长期、短期和瞬时） ③功率稳定度4、调频噪声5、相位噪声6、谐波和杂散7、输出功率（以及功率平坦度和稳定度）8、频率牵引、频率温度系数、调频线性度等等@微波振荡器第2页，共50页，2023年，2月20日，星期四13微波振荡器双极晶体管：工作频率低，相位噪声低，直流到射频的转换效率高。FET类（包括GaAsMESFET、HEMT、PHEMT和HBT等）：相位噪声大，结构简单，便于集成，成本低，可以用于更高的频率。雪崩（IMPATT）和耿氏（Gunn)二极管：工作频率高，噪声电平比较高，直流到射频的转换效率很低。第3页，共50页，2023年，2月20日，星期四14§10.1基本理论

（负阻振荡理论）微波振荡器物理概念：阻抗的实部为负，即“负阻”i(t)Zl(ω)Zs(I0,ω)Vs(t)Гs(ω)源或负载或振荡平衡条件幅度平衡条件，决定振荡器的输出功率相位平衡条件，决定振荡器的振荡频率或第4页，共50页，2023年，2月20日，星期四15 稳定振荡过程是一个逐步建立起来的瞬态，振荡开始时V0和I0很小，不满足上式，直到V0和I0

很大到达某一定值时，上式成立，振荡趋于稳定。且受扰动后，正弦电压和电流仍回到它的稳定值。稳定振荡另一种表达方式：第5页，共50页，2023年，2月20日，星期四16§10.1基本理论

微波振荡器正反馈理论→三极管振荡器第6页，共50页，2023年，2月20日，星期四17微波振荡器第7页，共50页，2023年，2月20日，星期四18

FET振荡器的设计与FET放大器十分相似，它使用的器件，偏置电路以及S参数都与放大器相同，只是工作在不稳定区域为了实现低噪声和高频率稳定度，谐振器的设计通常也包含在振荡器的设计中，谐振器可以是集中参数电路，也可以是分布参数传输线、或是腔体、介质。频率调谐可以采用变容二极管或铁磁材料。微波振荡器第8页，共50页，2023年，2月20日，星期四19微波振荡器第9页，共50页，2023年，2月20日，星期四110一、小信号设计方法微波振荡器第10页，共50页，2023年，2月20日，星期四111可以证明，如果输入端振荡，输出端也振荡；当输出端振荡时，输入端也振荡。微波振荡器第11页，共50页，2023年，2月20日，星期四112

这一结论也可推广到一个n端口振荡器，只要一个端口振荡，其余的端口也必然同时振荡。微波振荡器第12页，共50页，2023年，2月20日，星期四113设计一个FET振荡器的一般步骤是：1、potentiallyunstabletransistor,如果不是，则采用反馈元件2、3、4、5、Loadmatchingnetwork微波振荡器第13页，共50页，2023年，2月20日，星期四114Example:GaAsFET.(1)(2)微波振荡器第14页，共50页，2023年，2月20日，星期四115（3）（4）微波振荡器第15页，共50页，2023年，2月20日，星期四116二、大信号设计方法大信号方法与小信号方法类似。大信号S参数可以通过测试仪器或大信号模型获取，但相对比较困难，他的设计步骤如下：1、2、3、微波振荡器第16页，共50页，2023年，2月20日，星期四117三、FET振荡器的非线性分析

以上采用小信号线性S参数进行分析和设计，得不到精确预计输出功率和对应的负载阻抗。

FET振荡器非线性分析方法→Volterra级数法。而采用谐波平衡法有以下两个难点：①建立饱和状态模型较为困难；②HB法只能分析一个外激励频率信号去激励一个非线性电路，而振荡稳定是一个逐渐建立的过程，开始振荡时的频率与稳定后的振荡频率不同，且电路参数是随频率变化的过程。微波振荡器第17页，共50页，2023年，2月20日，星期四118FFS(t)S(t)W(t)W(t)FF-PPFF-PP闭环非线性反馈系统开环非线性系统闭环等效电路开环系统S(t)X(t)W(t)kωωS(t)X(t)W(t)kωωZ(t)微波振荡器第18页，共50页，2023年，2月20日，星期四119微波振荡器第19页，共50页，2023年，2月20日，星期四120 由此可求出振荡器的输出信号幅度的大小和振荡频率的高低，而转移函数H是由具体的FET等效电路，偏置，工作状态和电路拓扑所决定。微波振荡器第20页，共50页，2023年，2月20日，星期四121五、性能参数振荡器的两个主要性能是它的频率和输出功率，但其它性能参数对微波或毫米波系统的性能也有很大的影响：1、输出频率和频率准确度

由器件和电路结构决定。微波振荡器2、输出功率P0

主要取决于器件。第21页，共50页，2023年，2月20日，星期四1223、相位噪声微波振荡器输出频谱中产生的噪声边带。第22页，共50页，2023年，2月20日，星期四123要把相位噪声减至最小，不仅要使用①低噪声器件，②而且还要使用高的有载Q谐振器，在电压控制振荡器中，应使用高Q变容二极管。③用锁相振荡器也可以实现低的相位噪声，如晶体振荡器。④由于相位噪声也可由来自直流电源或耦合到直流偏置电路的噪声引起，所以直流电源的滤波在减小相位噪声方面是不可忽视的。微波振荡器第23页，共50页，2023年，2月20日，星期四1244、频率牵引和推频→负载的变化引起输出频率改变负载阻抗的变化通过Гin的相位改变可以影响振荡频率。这种现象称为频率牵引。直流偏压的变化可以引起FET的S参数和Гin的变化，因而引起振荡频率变化，这种现象称为推频。减小推频的直接方法是在振荡器的偏置电路中采取稳定措施。

①在振荡器的输出端加入输出隔离器或缓冲放大器就可以减小频率牵引。②采用高Q谐振腔。微波振荡器第24页，共50页，2023年，2月20日，星期四1255、热稳定性→T的变化引起f0和P0的变化振荡器的温度变化可以同时影响谐振器的谐振频率和FET的Гin，从而使振荡频率发生变化。温度变化也可以使输出功率减小，甚至可以使振荡完全停止。温度补偿电路一般包含在偏置电路中。谐振器也可以按补偿振荡器频率的变化进行设计。微波振荡器第25页，共50页，2023年，2月20日，星期四1266、频率滞后调谐漂移7、谐波和假响应输出 可采用滤波器进行抑制。在设计良好的振荡器中，引起频率滞后调谐漂移的主要原因是由变容管上的热耗散引起的。微波振荡器第26页，共50页，2023年，2月20日，星期四127§

10.2电路拓扑

1）VCO

共栅电路是实现VCO的最流行的一种，因为只需用一个非常简单的反馈电路（一个电感）就可以在很宽的频率范围内实现负电导。

2）点频振荡器 采用共源电路。在这些应用中，一般是使用介质谐振器的固定频率振荡器。介质谐振器是用新型陶瓷材料做成的，具有高的介电常数。微波振荡器DSGL地第27页，共50页，2023年，2月20日，星期四128

DR是一个具有高介电常数的软磁体，电磁均被封闭在其内部及周围，等效电路为谐振电路，特点是低损耗，高空载Q，低温度参数及高介电常数（30~40）。微波振荡器第28页，共50页，2023年，2月20日，星期四129微波振荡器第29页，共50页，2023年，2月20日，星期四130微波振荡器第30页，共50页，2023年，2月20日，星期四131§

12.2VCO机械调谐变容二极管调谐偏置调谐YIG调谐VCO的特点：输出功率稳定

调谐范围宽调谐速度快微波振荡器第31页，共50页，2023年，2月20日，星期四132微波振荡器第32页，共50页，2023年，2月20日，星期四133微波振荡器第33页，共50页，2023年，2月20日，星期四134微波振荡器第34页，共50页，2023年，2月20日，星期四135微波振荡器第35页，共50页，2023年，2月20日，星期四136微波振荡器第36页，共50页，2023年，2月20日，星期四137例耿氏管：RD=10，CD=1pF，LP=1nH

变容二极管：Cj(0)=1pF，Vbi=1V微波振荡器第37页，共50页，2023年，2月20日，星期四138

∵RD＞Rc

∴满足振荡条件

∴微波振荡器第38页，共50页，2023年，2月20日，星期四139当V=O时 当V=10时微波振荡器第39页，共50页，2023年，2月20日，星期四140例2V-band(60GHz)微带GunnVCO微波振荡器第40页，共50页，2023年，2月20日，星期四141微波振荡器第41页，共50页，2023年，2月20日，星期四142微波振荡器第42页，共50页，2023年，2月20日，星期四143X波段PHEMT管VCO的设计实例中心频率为9.1GHz，调谐带宽>200MHz，输出功率>8dBm，相噪为<-70dBc/Hz@1kHz在Rogers6010上制作，基片厚0.635mm，介电常数10.2，PHEMT采用HP的ATF36077，变容管采用MACOM的ML46580，微波振荡器第43页，共50页，2023年，2月20日，星期四144微波振荡器第44页，共50页，2023年，2月