大尺寸amoled tft补偿技术逐字稿

Page1首页学习，成长， 来到T学AMOLED技术开发处AMOLED系统开发部的，很荣幸能够在星知识，同时，将会为大家讲述TFT补偿技术展望。PageTFT外部补偿技术侦测原理，TFT外部补偿技术补偿原理以及TFT补偿技术展Page首先我们来讲述TFTAMOLEDOLED电流驱动器件，驱动TFT可以控制流过OLED的电流，从而调节OLED的亮度。我们知道屏幕的均匀性是衡量显示画质的重要规格，但由于TFT初始的电（空间性差异TFT（时间性差异显示画质会受到这两点影响而产生Mura，屏幕的均匀性会下降。我们可以通过对栅极电压(V)DrivingTFTId差异造成的OLED发光亮度差异，提升显示均匀性。PageTFTTFT机制。OLED的亮度等于发光效率与流经OLED电流的乘积，效率一致的情况下亮度取决于流过OLED的电流大小，而影响电流大小的两个重要参数为的阈值电压Vh和电子迁移率μ，通常在补偿时我们会把电子迁移率μ与电容值、K值。实际生产过程很难保证TFT的电性是均匀的，主要有两个方面的原因：一方面TFTTFT初始Mura产生，我们可以通过工艺改善来减小此种电性差异；另一方面是TFT的时间不均匀性，由于使用过程中应力作用及我们可以通过器件的改善来降低TFT时间不均匀性。TFTTFTPage接下来我们具体的看一下TFT电性不均匀在屏幕显示上的表现情况。在显示纯TFTMura。TFT迁移率增大，区域的亮度会失控，最终图像细节丢失。PageTFT的补偿主要有三条技术路线：拍照补偿、TFTTFT内部补偿TFT器件及OLED器件的空间不均匀性所造成的初始亮度差异。Page接下来介绍TFT外部补偿方案。外部补偿机理即通过专门的侦测电路和驱动系统获取TFT特性数据并在显示时将TFT特性数据叠加至显示数据上输出，从而实现补偿效果。TFT外部补偿能够补偿TFT器件在空间及时间上的电性差SourceIC、用于TFT特性数据的器以及侦测补偿控制算法模块。Page最后介绍一下TFT内部补偿方案。内部补偿是通过特定的内部补偿电路搭配特殊驱动时序，在OLED发光前将TFT的阈值电压于电容中，在显示阶段完TFTPage55”FHDPage下面我们重点介绍下TFTTFTVt侦测是利用源跟随方法，在较长侦测时间下，OVDDVs充电Vs抬升至st0Vs差异即为t差异。迁移率侦测是在t补偿基础上进行迁移率的侦测，线性抬升的V斜率的差异，即为迁移率的差异。关于迁移率的差异我们可以这样理解：经过补偿后变为sth此时消除了t影响Vg和Vs由于电容耦合效应共同抬升，差值不变，即Vgs不变；故电流的差异正比于K，即迁移率的差异。电压型侦测具有结构简单、成本低的优势，但是侦测结果受SensingLine寄生电容差异影响，误差较大；且准确侦测需要等SensingLine电压稳定，耗时较长。Page 原理是先利用电流积分器对Id进行累积再通过ADC对于电流积分器中的电压信息进行采样，计算出Id信息。积分电容器位于驱动IC内部，不受显示影响，侦测结果更准。但结构复杂，相较电压型侦测IC成本更高。Page下面我们来介绍TFTVtththOLED的电流Id的影响，完成t补偿。如左图所示Vth未补偿时，流OLED的电流Id会因t的存在而有差异，我们可以将侦测计算得到的t叠加到显示数据中消除t差异引起的电流差异，提升显示均匀性。PageKTFTKtr从K造成的Is差异，完成K补偿（即迁移率补偿）。在完成t补KKVt和KPage测（RandomDisyKSense）发展。目前源跟随侦测补偿方案单颗子像素侦测时间超过10毫秒，完成一块UD分辨率的屏幕t侦测需要6515K侦测现有顺序侦测中规律出现的亮度变化存在眼识别的可能造成显示效Page在进行高速VtTFT未完全关断导致有电流流过，侦测结果会受到KF