笔记本结构设计经验教训NB-ME-Design-Lesson-learn

笔记本结构设计经验教训NB-ME-Design-Lesson-learn第一页，共48页。Case1Issue:Hingebosscrack第二页，共48页。Case1Rootcause/Solution:第三页，共48页。Case1Rootcause/Solution:第四页，共48页。Case2Issue:HingeBracketbroken第五页，共48页。Case2Rootcause/Solution:第六页，共48页。Case2Rootcause/Solution:第七页，共48页。Case3Issue:E-sataJackInterferance第八页，共48页。Case3Rootcause/Solution:ForstrengthconcernedtoEChingesupport第九页，共48页。Case3TherearedifferenttypeJack

RDcheckMolexonly(noplastic),

foxconnandtycohaveplastic0.7mmhighinterfere0.3mm

Rootcause/Solution:第十页，共48页。Case3Rootcause/Solution:第十一页，共48页。Case4Issue:SmilegapRootcause/Solution:1.Refertothepicture,thedimensionofthecenteroftheaxistotheironsurfaceis15.55mm±0.1mm.2.Oldhingeactualdatefor5unitsasbelow:(1)15.48mm(2)15.43mm(3)15.43mm(4)15.40mm(5)15.45mm→ST:ReducerubberheightLT:AddheightofAxis第十二页，共48页。Case5镭雕区域非镭雕区域Issue:PowerbuttonUVcoatingpeeloff第十三页，共48页。Case5Rootcause:ProcessCoatingthicknessSubstrateBlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15µm8µm1.0~1.5µm8~15µm镭雕Colory一般控制在10~12µm中制程

雷雕工艺为整个工艺的最后一道，UV层破坏后没有保护动作。

镭雕机功率设定过高，镭雕后周边区域碳化；镭雕机功率设定为额定功率的80%，约7~8W，频率为1200Hz第十四页，共48页。Case5Solution:

降低镭雕机功率镭雕机功率降为额定功率的60%，约5~6W，频率不变

变更工艺流程，雷雕工艺放在UVcoating之前，雷雕后通过UV保护BlackbasecoatingPrimer(Basecoating)PlatingUVcoating15µm8µm1.0~1.5µm8~15µm镭雕中制程第十五页，共48页。Case6Issue:NoiseatK-locklocation機器做open/close時，hinge的搖擺帶動K-lockBKT運功，

其噴漆面與base摩擦產生異音.Rootcause:1.K-lockBKT與base的gap設計值為0;2.K-lockBKT與base接觸面為噴漆光面;3.K-lockBKT與hinge有鎖附關係;第十六页，共48页。Case6Solution:1.Shortterm:K-lockBKT噴漆面打磨為粗糙面/K-lock與base的結合面加點酒精.2.Longterm:Base偷肉0.2mm,增加base與K-lock的GAP的GAP,避免面對面的摩擦.第十七页，共48页。Case7gapmax1.1-1.2mm(spec<0.8mm)Issue:GapbetweenTopandBase第十八页，共48页。Case7Rootcause:MEStructure第十九页，共48页。Case7Rootcause:topshielding結構薄弱，screw鎖附時產生一個反向的力，

導致卡勾瞬間脫離影響會微量的下陷；第二十页，共48页。Case7Rootcause:base上卡勾的supportrib在卡合面以下，且為斜面卡合，

卡合受力後base卡勾向內變形，導致卡合量丟失；第二十一页，共48页。Case7在topshielding兩個鎖screw位置的中間加1pcsrubber，

rubberZ軸干涉量0.5mm，形成一個跷跷板的支點；Solution:第二十二页，共48页。Case7此位置的卡勾卡合方式由斜面卡合改平面卡合，並將BASE卡勾背面的supportrib加高到卡合面以上1mm的位置；Solution:第二十三页，共48页。Case8Issue:UVCoatingpeelofffromTPpanel第二十四页，共48页。NisshaIMRalreadybewithhardcoat,andanotherAkzoUVcoatingisontheIMR.

ButAkzoUVcoatingcannotbegoodtomixwithIMRhardcoat.

SoUVcoatingiseasytopeeloffonTPPlateRootCause:Case8第二十五页，共48页。Solution:Case8ST:ChangetouseNisshaIMRfoilwhichiswithouthardcoat.LT:MoveIMRfoilbacktoPMMA第二十六页，共48页。Case9Issue:HookofBatteryLatchbroken第二十七页，共48页。Case9RootCause:link卡勾後側base上的support面積太小且為R角結構，導致對卡勾配合面的support不夠；第二十八页，共48页。Case9Link與battery配合的卡勾根部及卡勾轉角處加0.5mm的R角後Solution:第二十九页，共48页。Case10Issue:ThermalBlockinterferencewithCPUSpringPlateCuBaseHeatspreaderInterferenceThermalmoduleinterferencewithCPU.Causesystemshut-down.

第三十页，共48页。Case101.ThermalTeamdonotrequestthermalvendortousewhatkindofassemblymethodtofixspringplate,Cu-baseandheatspreader.(Thermalteamside)2.ThermalvendorAurasusedwrongmethod(雞眼釘Copperrivet)tofixcontactstructure,resulting雞眼釘interferewithCPUcapacitor.(Vendorside)FixRootCause:第三十一页，共48页。Case10RootCause:雞眼釘干涉Copperrivet雞眼釘pitis

0.35mmMylarthicknessis

0.1mmTotalthicknessis0.45

mm2DDimensionofAMDtheGapbetweenCPUdieandcapacitorisonlyabout0.2mm第三十二页，共48页。Case10Solution1:抽拉銅柱固定方式製程方式：

Cuheatspreader先抽拉出銅柱，之後再放入一個鉚合模鉚合彈片，銅塊。此方式可確保heatspreader面限高為零！限高0mmSolution:第三十三页，共48页。Case10Solution:製程：

Cuheatspreader先經一套鉚合模，鉚入實心銅柱，接下來在進另外一套鉚合模，鉚合彈片及銅塊。此方式需用到兩套鉚合模，故成本較高。但此方式亦可確保heatspreader面限高為零！限高0mmSolution

2:鉚接實心銅柱固定方式第三十四页，共48页。Case11Issue:RAMdoorribshorttoRAMcapacitanceaspressthedoor

RootCause:第三十五页，共48页。Case11Solution:1.Addmylaronramdoorribtopreventthisrisk.2.Haveectocancelthisribtoenlargegap.第三十六页，共48页。Case12Issue:1.NopostorNopower

2.MBcanpoweronwhenpressN.Bridgebyfinger第三十七页，共48页。Case12FA:第三十八页，共48页。Case12FA:Dye-Pry第三十九页，共48页。Case12FA:Dye-Pry第四十页，共48页。Case12FA:CrossSection第四十一页，共48页。Case12FA:CrossSection第四十二页，共48页。Case12FA:CrossSectionBasedonaboveanalysis(cracklocationandmultiplexcrackinterface),su