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文档简介

计机原验静随机储验

计机原实告实名：

静态随机储器实验实类：证实环：

PC+实验系统指教：专年：姓学

名号实地：实日：实验成：2

一、验目的：掌握静态随机存储器RAM工特性及数据的读写方法二、验过程实验原理×8bit）构成（位于MEM单元。有三个控制线：（片选线（（能如表2-1-1CS=0）OE=0WE=0图2-1-1SRAM6116引脚图上以其还需得的读写，实验中的读写脉由时序单元的2还是3

2-1-3„的内容址址总8LED灯显A7„A0地址由地址锁存位给数据开（位于IN单74LS245时址寄存器8位，A7„A0的高三位地址„图2-1-3存储器实验原理图CON单T3单元的二应为MEM操作RD、高有效，MW低有LDAR关(2)将时序与操作台单元的开关KK2置为‘单拍’档开关、KK3置为‘运行’档。(3)将CON单元的IOR关置为使IN单元无输出开电源开关，如果听到有‘嘀’报警声，说明有总线竞争现象，应立即关闭电源，重新检查接线，直到错误排除(4)给存储器的4

00H、01H、、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、、14H、15H由前面的存储器实验原理图（图2-1-3）以看出，由于数据和地址由同一个数据开关给出，因此数据和地址要分时写入，先写地址，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0RD=0据开关输出地址（IOR=0后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1按动ST产生T3脉冲，即将地址打入到AR中。再写数据，具体操作步骤为：先关掉存储器的读写（WR=0RD=0和地址寄存器门控信号（LDAR=0据开关输出要写入的数据，打开输入三态门（IOR=0），然后使存储器处于写状态（，RD=0，动ST产T3脉冲，即将数据打入到存储器中。写存储器的流程如图2-1-5所示（以向00地址单元写入11H为例(5)依次读出第00、02、03号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作类似，也要先给出地址，然后进行读，地址的给出和前面一样，而在进行读操作时，应先关闭IN单元的输出（后使存储器处于读状态（WR=0，RD=1IOM=0时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读存储器的流程如图2-1-6所示（以从00地址单元读出11H为例三、验结果5

以给地址为15H(00010101)的元写入42H(01000010)例,从二进制地址单元输入00010产生脉冲将地址打入AR中对的代表地址的指示灯,地址输入成功从二进制地址单元输入要写入的数据01000010,数开关输出要写入的数据,打开入三态门,存储处于写状态,按动ST产生T3脉冲即数据打入到存储器,对应的指示灯亮数写入成功。四、论与分析6116（）怎2K*16）或2片构成位存储：把址并来2片的88根数线别d1d2

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