第二章半导体三极管与分立元件放大电路

第二章半导体三极管与分立元件放大电路第一页，共112页。教学目标1、了解三极管结构，熟悉电路符号、电流放大作用、特性曲线、主要参数及温度对特性的影响。掌握三极管三种工作状态及其特点。2、熟悉放大电路的基本要求及主要性能指标。3、熟悉共射基本电路的组成及其工作原理。熟悉静态、动态、直流通路、交流通路的基本概念。4、熟悉温度对静态工作的影响,分压式工作点稳定电路组成和工作点稳定原理。5、会用工程估算法计算静态工作点。了解直流负载线的作法，熟悉非线性失真及其产生原因和消除方法。第二页，共112页。教学目标6、掌握三极管简化微变等效电路模型和微变等效电路法，会用微等效电路法求放大电路的主要参数。7、熟悉共集电路组成工作原理、性能特点及其应用。8、了解共基电路组成、性能及其应用。9、了解场效应管结构、分类、工作原理、电路符号，选学主要参数、组成电路及主要参数的求法。10、了解多级放大电路的耦合方式及其特点，熟悉多级放大电路Au、Ri、Ro计算方法。了解常用组合放大电路的组成和特点。11、熟悉BJT频率参数、单级阻容耦合共射电路频率特性和波特图。了解多级放大电路频率特性。第三页，共112页。半导体三极管分为双极型三极管(Bipolarjunctiontransistor，BJT)和单极型三极管。双极型三极管又称为晶体三极管，简称三极管(或晶体管)，它是多数载流子与少数载流子均参与导电的三极管。单极型三极管又称为场效应管(Fieldeffecttransistor，FET)，它工作时只有多数载流子参与导电。2.1双极型半导体三极管

第四页，共112页。

1．三极管的分类(1)按结构(导电类型)划分：NPN和PNP。(2)按所用半导体材料划分：硅管和锗管。(3)按用途划分：放大管和开关管。(4)按工作频率划分：低频管和高频管。(5)按功率大小划分：小功率管、中功率管、大功率管。

2.1.1三极管的结构、图形符号及分类第五页，共112页。2．三极管的结构、电路符号三极管结构与符号如图2.1.1所示。它们有三区：集电区、基区、发射区；三极：各对应引出的电极分别称为集电极c（Collector）、基极b（Base）和发射极e（Emitter）；两结：发射区与基区之间的PN结称为发射结Je，基区与集电区之间的PN结称为集电结Jc。图2.1.1三极管的内部结构与符号（a）NPN型（b）PNP型第六页，共112页。三极管实物图片第七页，共112页。

注意：(1)两种管子的电路符号用发射极箭头方向的不同以示区别，箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。(2)三极管具有信号放大作用。(3)保证放大的制造工艺：基区很薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结的面积比发射结的面积大等。(4)在使用时三极管的发射极和集电极不能互换。第八页，共112页。一、三极管放大的基本条件

（1）放大的偏置条件：Je正偏，Jc反偏。（2）NPN管具有放大作用时的电位关系：UC＞UB＞UE；

PNP管：UC＜UB＜UE。

2.1.2三极管的电流放大作用及其放大的基本条件

第九页，共112页。二、三极管各电极上的电流分配

NPN型三极管的电流分配实验电路如图2.1.2所示，图中，IB为基极电流，IC为集电极电流，IE为发射极电流，它们的方向如图中箭头所示。UBE为发射结的正偏压，UCE为集电极与发射极之间的电压。图2.1.2三极管电流分配实验电路第十页，共112页。调节实验电路的电位器RP可以改变UBE并产生相应的基极电流IB，而IB的变化又将引起IC和IE的变化。每产生一个IB值，就有一组IC和IE值与之对应，该实验所得数据见表2.1.1。

由上表得出规律：IE=IB+IC，即发射极电流等于基极电流与集电极电流之和。表2.1.1三极管三个电极上的电流分配

第十一页，共112页。三、三极管的电流放大作用由表1.3.1可知，当IB从0.02mA变化到0.03mA时，IC随之从1.14mA变化到了1.74mA，则两变化量之比（1.74-1.14）/（0.03-0.02）=60，说明此时三极管IC的变化量为IB的变化量的60倍。（1）三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化。（2）三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信号对大信号的控制作用。（3）三极管是一种电流控制器件。

第十二页，共112页。2.1.3三极管的输入、输出特性曲线

三极管的各个电极上电压和电流之间的关系曲线称为三极管的伏安特性曲线或特性曲线。常用的是输入特性曲线和输出特性曲线。三极管在电路中的连接方式（组态）不同，其特性曲线也不同。用NPN型管组成的共射特性曲线测试电路如图2.1.3所示。

图2.1.3三极管共射特性曲线测试电路第十三页，共112页。一、输入特性曲线（Inputcharacteristiccurves）共射输入特性曲线方程式：iB=f(uBE)∣uCE=常数。图2.1.4为NPN型硅管3DG4的共射输入特性曲线。

图2.1.4共射输入特性曲线

第十四页，共112页。(1)uCE＝0：c极与b极相连，相当于两个二极管并联，输入特性曲线与二极管伏安特性曲线的正向特性相似。(2)uCE＝1V：曲线右移。(3)uCE＞1V：曲线与uCE=1V时的曲线近乎重合。实际中，通常就用uCE＝1V这条曲线来代表。(4)三极管放大状态的依据：硅管│uBE│=0.7V，锗管│uBE│=0.2V。第十五页，共112页。二、输出特性曲线（Outputcharacteristiccurves）

1．方程输出特性曲线方程式：iC=f(uBE)∣iB=常数。

2．输出特性曲线测试测试时，先调节RP1使iB为某一值固定不变，再调节RP2，得到与之对应的uCE和iC值，根据所对应的值可在直角坐标系中画出一条曲线。重复上述步骤，可得不同IB值的曲线族，如图2.1.5所示。

第十六页，共112页。图2.1.5共射输出特性曲线

由图可知：(1)曲线起始部分较陡，且不同iB曲线的上升部分几乎重合。(2)对一条曲线而言，uCE增大，iC增大，但当uCE大于0.3V左右以后，曲线较平坦，只略有上翘。这说明三极管具有恒流特性。(3)输出特性曲线不是直线，是非线性的，说明三极管是一种非线性器件。第十七页，共112页。3．三极管输出特性曲线的四个区(1)放大区（Activeregion）(2)饱和区（Saturationregion）(3)截止区(Cutoffregion)(4)击穿区(Breakdownregion)4．PNP管特性曲线由于电源电压极性和电流方向不同，PNP管与NPN管的特性曲线是相反、“倒置”的。

第十八页，共112页。2.1.4三极管的主要参数及温度对特性的影响

三极管的参数用来表征管子性能优劣和适用范围，它是合理选用三极管的依据。

一、电流放大系数（Currentamplificationfactor）电流放大系数是表征三极管放大能力的参数。电路工作状态有两种：电路无交流信号输入而工作在直流状态时，称为静态；电路有交流信号输入而工作在交流状态时，称为动态。1.共发射极电路直流电流放大系数它反映静态时集电极电流与基极电流之比值。第十九页，共112页。温度升高，β值增大。每升高1℃，β值增加0.5%～1%，反映在输出特性曲线上就是各条曲线的间距增大。

3.共基极电路电流放大系数2.共发射极电路交流电流放大系数在共基极电路（即信号从发射极输入，集电极输出，基极为输入输出的公共端）中，三极管的集电极电流IC与发射极电流IE之比称为共基极电路直流电流放大系数。第二十页，共112页。二、极间反向电流（1）ICBO指发射极开路时集电极和基极之间的反向饱和电流。ICBO很小，温度升高，ICBO增加。一般硅管热稳定性比锗管好。图2.1.6（a）为该参数的测试电路。（2）ICEO是指基极开路时，集电极和发射极之间的反向饱和电流，又称为穿透电流。ICEO=(1+β)ICBO。图2.1.6（b）为该参数的测试电路。

极间反向电流是由少数载流子形成的，其大小表征了管子的温度特性。第二十一页，共112页。图2.1.6极间反向电流的测量（a)测量ICBO的电路（b)测量ICEO的电路

第二十二页，共112页。

三、极限参数

（1）集电极最大允许电流ICM(Maximumallowablecollectorcurrent)：是指当β下降到正常β值的2/3时所对应的IC值。当IC超过这个值时，放大性能下降或损坏管子。

（2）反向击穿电压（Reversebreakdownvoltage）U(BR)CBO：发射极开路时，集电极－基极之间允许施加的最高反向电压，超过此值，集电结发生反向击穿。U(BR)EBO：集电极开路时，发射极－基极之间允许施加的最高反向电压。U(BR)CEO：基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。为可靠工作，使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特性曲线中，iB＝0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO

，其值比U(BR)CBO小。T↑，U(BR)↓。

第二十三页，共112页。（3）集电极最大允许耗散功率PCM(Maximumallowablepowerdissipation)：PCM的大小主要决定于允许的集电结结温。一般硅管约为150℃，锗管约为70℃。显然，PCM的大小与管子的散热条件及环境温度有关。且PCM=iCuCE，由此可画出三极管的安全工作区。

图2.1.7三极管的安全工作区第二十四页，共112页。1.3.5微型三极管简介

图2.1.8微型三极管外形尺寸（a）SOT-23封装外形尺寸(b)SOT-143封装外形尺寸第二十五页，共112页。附：三极管的引脚判别及性能检测

（一）晶体三极管的引脚判别用万用表测三极管示意图1、基极的判别2、集电极、发射极的判别第二十六页，共112页。（二）用万用表粗测晶体三极管性能1、晶体三极管极间电阻的测量2、晶体三极管穿透电流的估测3、电流放大系数β值的估测第二十七页，共112页。一、BJT放大电路的基本要求

2.2共射基本放大电路

要使BJT放大电路完成预定的放大功能，必须满足以下要求：(1)有直流电源。三极管Je正偏，Jc反偏，工作在放大区。(2)输入信号能输入。(3)输出信号能输出。(4)信号不失真地放大，满足放大电路的性能指标要求。

2.2.1放大电路的基本要求及主要性能指标第二十八页，共112页。

1．放大倍数（Amplification）放大倍数是衡量放大电路放大能力的指标，常用A表示。放大倍数可分为电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍数等。放大电路框图如图2.2.1所示。二、放大电路的主要性能指标

图2.2.1放大电路框图第二十九页，共112页。放大电路输出电流与输入电流之比，称为电流放大倍数。工程上常用对数来表示放大倍数，称为增益G，单位为分贝（dB），常用的有

Gu=20lg│Au│Gi=20lg│Ai│放大电路输出电压与输入电压之比，称为电压放大倍数第三十页，共112页。

相当于信号源的负载，

越大，信号源的电压更多地传输到放大电路的输入端。在电压放大电路中，希望大一些。

2．输入电阻（Inputresistance）输入电阻就是向放大电路输入端看进去的交流等效电阻，在数值上等于输入电压与输入电流之比，即第三十一页，共112页。3．输出电阻（Outputresistance）图2.2.2输出电阻的求法输出电阻就是从放大电路输出端（不包括负载）看进去的交流等效电阻。输出电阻的求法如图2.2.2所示，即先将信号源短路，保留内阻，将负载开路，在输出端加一交流电压uo，产生电流io，输出电阻等于uo与io之比，即第三十二页，共112页。图2.2.3共射放大电路组成（a)双电源电路（b)实际电路2.2.2共射基本放大电路的组成及工作原理一、共射基本放大电路的组成第三十三页，共112页。

1．静态工作原理

2．动态工作原理

当正弦信号输入时，电路中各处的电压、电流是变动的，电路处于交流状态或动态工作状态，简称动态。简言之，动态就是在静态值的基础上叠加了变化的交流值。二、工作原理第三十四页，共112页。

3．分析放大电路注意事项

（1）三极管电流和电压都是在直流量上叠加随输入信号变化的交流量，放大电路中交、直流并存。（2）符号的含义：①小写字母小写下标（如ube，ic）为交流量；②大写字母大写下标（如UBE，IC）为直流量；③小写字母大写下标（如uBE，iC）为总的瞬时量（直流＋交流）；④大写字母小写下标（如Ube，Ic）为有效值。

第三十五页，共112页。2.2.3直流通路与交流通路

放大电路的分析包括静态分析（Quiescentanalysis）和动态分析（Dynamicanalysis）。两者比较如下表所示。

直流、交流通路及其画法

第三十六页，共112页。

图2.2.4共射基本放大电路及其直流通路（a)共射放大电路（b）直流通路第三十七页，共112页。

图2.2.5共射基本放大电路的交流通路将BJT随意组成电路不一定能起放大作用。能否放大，一般通过直流通路和交流通路对照放大电路基本要求加以判别。

第三十八页，共112页。

[例2.2.1]当输入电压为正弦波时，图2.2.6所示三极管有无放大作用？

解：在图（a）的电路中，VBB经Rb向三极管的发射结提供正偏电压，VCC经RC向集电结提供反偏电压，因此三极管工作在放大区，但是，由于VBB为恒压源，对交流信号起短路作用，因此输入信号加不到三极管的发射结，放大器没有放大作用。图（b）的电路，由于C1的隔断直流作用，VCC不能通过Rb使管子的发射结正偏即发射结零偏，因此三极管不工作在放大区，无放大作用。

第三十九页，共112页。

2.2.4共射基本电路的静态工作点

一般，三极管的UBE可视为已知量，硅管│UBE│取0.7V，锗管│UBE│取0.2V，VCC>>UBE。(1)从图2.2.4（b）所示共射基本电路的直流通路输入回路可得：VCC

=IBRb+UBE，则

IBQ=（VCC－UBEQ）/Rb≈VCC/Rb

当VCC和Rb选定后，偏流IB即为固定值，故共射基本电路又称为固定偏流电路。(2)若三极管工作在放大区，且忽略ICEO，则 ICQ≈βIBQ，(3)从输出回路可得：

UCEQ=VCC－ICQRc

第四十页，共112页。2.3.1温度对静态工作点的影响2.3分压式工作点稳定电路

1．温度升高使反向饱和电流ICBO增大2．温度升高使电流放大系数β增大3．温度升高使发射结电压UBE减小

第四十一页，共112页。2.3.2分压式工作点稳定电路的组成

图2.3.1分压式射极偏置电路

图中，Rb1为上偏置电阻，Rb2为下偏置电阻，Re为发射极电阻，Ce为射极旁路电容，它的作用使电路的交流信号放大能力不因Re存在而降低。

第四十二页，共112页。2.3.3分压式工作点稳定电路的工作原理

当Rb1、Rb2选择适当，使流过Rb1的电流I1>>IB时，流过Rb2的电流I2＝I1－IB≈I1，则若电路满足I1≥（5~10）IB，UB≥（5~10）UBE由上式可知，UB由Rb1、Rb2分压而定，与温度变化基本无关。第四十三页，共112页。如果温度升高使IC增大，则IE增大，发射极电位UE=IERe升高，结果使UBE=UB－UE减小，IB相应减小，从而限制了IC的增大，使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为

要提高工作点的热稳定性，应要求I1>>IB和UB>>UBE。

第四十四页，共112页。静态工作点估算

应当指出，分压式工作点稳定电路只能使工作点基本不变。实际上，当温度变化时，由于β变化，IC也会有变化。在热稳定性中，β随温度变化的影响最大，利用Re可减小β对Q点的影响。也可采用温度补偿的方法减小温度变化的影响。第四十五页，共112页。2.4.1工程估算法2.4分立元件放大电路的分析方法工程估算法也称近似估算法（Approximataevaluation），是在静态直流分析时，列出回路中的电压或电流方程用来近似估算工作点的方法，上两节图2.2.4、图2.3.1的静态工作点求解，就应用了近似工程算法。2.4.2放大电路的图解分析在三极管的特性曲线上直接用作图的方法来分析放大电路的工作情况，称之为特性曲线图解法，简称图解法（Graphicalanalysismethod）。它既可作静态分析，也可作动态分析。第四十六页，共112页。一、静态分析图2.4.1放大电路的静态工作图解（a)直流通路的分割（b)图解分析第四十七页，共112页。

(1)列输入回路方程，求IB。

(2)在三极管的输出特性曲线上找出对应的曲线。

本例就是如图2.4.1（b）所示iB=IB=40μA的那一条输出特性曲线。

(3)根据KVL可列出输出回路方程，亦即输出回路的直流负载线方程。

第四十八页，共112页。

（5）连接M、N得到直线MN，即直流负载线。其斜率为（－1/Rc）。

（6）直流负载线与那条输出特性曲线的交点Q，就是静态工作点Q。

（7）从图上读Q点所对应的电流、电压值就是静态工作点的ICQ、UCEQ值。由图2.4.1（b）可读得UCEQ=6V，ICQ=1.5mA。

（4）求特殊点设iC=0，则uCE=Vcc=12V，横坐标轴上得截点M（12V，0）；设uCE=0，则iC=Vcc/Rc=3mA，在纵坐标轴上得截点N（0，3mA）。

第四十九页，共112页。*二、动态分析图2.4.2动态工作图解（a）由输入特性求iB（b）由输出特性求iC、u

CE

第五十页，共112页。三、静态工作点对输出波形的影响输出信号波形与输入信号波形存在差异称为失真。由于三极管特性的非线性造成的失真称为非线性失真（Nonlineardistortion），分为截止失真和饱和失真。由于三极管在部分时间内截止而引起的失真，称为截止失真。由于三极管在部分时间内饱和而引起的失真，称为饱和失真。

图2.4.3波形失真（a)截止失真（b）饱和失真（c）截顶失真

第五十一页，共112页。由此可知，Q点选择不当会引起失真，概括如下表：

为了减小或避免非线性失真，必须合理选择静态工作点位置，一般选在交流负载线的中点附近，同时限制输入信号的幅度。

第五十二页，共112页。四、图解法的适用范围

图解法的优点是能直观形象地反映三极管工作情况，但必须实测所用管子的特性曲线，且用它进行定量分析时误差较大，此外仅能反映信号频率较低时的电压、电流关系。因此，图解法一般适用于输出幅值较大而频率不高时的电路分析。在实际应用中，多用于分析Q点位置、最大不失真输出电压、失真情况及低频功放电路等。

第五十三页，共112页。2.4.3微变等效电路分析法一、三极管的微变等效模型（Smallsignalequivalentcircuit）所谓“微变”是指微小变化的信号，即小信号。在低频小信号条件下,工作在放大状态的三极管在放大区的特性可近似看成线性的。这时，具有非线性的三极管可用一线性电路来等效,称之为微变等效模型。图2.4.4从输入特性曲线求等效电阻

第五十四页，共112页。称为三极管的共射输入电阻，通常用下式估算

对于低频小功率管，估算式可写成

或是动态电阻，只能用于计算交流量

第五十五页，共112页。三极管集电极与发射极之间等效为受控电流源

图2.4.5三极管简化微变等效电路

第五十六页，共112页。二、三极管放大电路的微变等效电路分析三极管的微变等效电路分析法只能用于放大电路的动态分析，而不能用于静态分析。图2.4.6基本共射电路的微变等效电路第五十七页，共112页。

1、电压放大倍数的估算

2、输入电阻和输出电阻的估算公式Ri=Rb∥rbe≈rbe

Ro=Rc

第五十八页，共112页。2.5.1共集电路的组成、工作原理及其应用共集电极电路电原理图和交流通路如图2.5.1所示。从交流通路中可以看出，信号从基极输入，从发射极输出，集电极是输入、输出回路的公共端，故称为共集电极电路。由于被放大的信号从发射极输出，故又名“射极输出器”。

2.5共集电路和共基电路

一、电路组成第五十九页，共112页。图2.5.1共集电路（a）原理电路（b）交流通路第六十页，共112页。二、工作原理电源VCC给三极管V的集电结提供反偏电压，又通过Rb给发射结提供正偏电压，使V工作在放大区。ui通过输入耦合电容C1加到V的基极，uo通过输出耦合电容C2送到负载RL上。

三、电路静态分析VCC＝IBRb＋UBE＋IERe，又IE=(1+β)IB则

IC=βIB

UCE=VCC－IERe≈VCC－ICRe共集电路求Q点思路：IB(IE)→IC→UCE。Re有稳定静态工作点的作用，当IC因温度升高而增大时，Re上的压降（IERe）上升，导致UBE下降，牵制了IC的上升。第六十一页，共112页。四、共集电路性能指标估算及其应用

（1）由于输入电阻高，故用作高输入电阻的输入级。（2）由于输出电阻低，可提高带负载能力，稳定输出电压，故用作低输出电阻的输出级。（3）因Au≈1，可以隔离前后级的影响，起阻抗变换和缓冲作用，故用作多级放大电路的中间级。

第六十二页，共112页。2.5.2共基电路

图2.5.2共基电路（a）原理电路（b）交流通路

Rc为集电极电阻，Re为发射极偏置电阻，Rb1、Rb2为基极分压偏置电阻，构成分压式偏置电路。大电容Cb使基极对地交流短路。其交流通路如图2.5.2（b）所示，信号从发射极输入，从集电极输出，基极是输入、输出回路的公共端。第六十三页，共112页。

1．求Q点

共基电路的直流通路与共射分压式工作点稳定电路的直流通路完全相同，静态工作点的求法与之相同。思路：UB→IE→IC→UCE。

2．共基电路的性能指标估算3．特点及适用场合共基电路允许的工作频率较高，高频特性较好，多用于高频和宽频带电路和恒流源电路中。

Ro=Rc

第六十四页，共112页。共射、共基、共集电路比较

第六十五页，共112页。

场效应晶体管(Fieldeffecttransistor，简称FET)是仅由多数载流子参与导电的半导体有源器件，它是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，为电压控制器件。

(1)FET的主要特点输入电阻非常高，输入端基本不取电流，噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简单，便于大规模集成。2.6场效应晶体管及其放大电路

(2)FET的分类按结构划分：结型场效应管（Junctionfieldeffecttransistor,简称JFET）和绝缘栅型场效应管（Insulatedgatefieldeffecttransistor，简称IGFET）。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两类。不论结型或增强型耗尽型绝缘栅场效应管，它们又有N沟道和P沟道两种。第六十六页，共112页。2.6.1增强型绝缘栅型场效应晶体管的结构、图形符号及其工作原理

一、结构和图形符号增强型绝缘栅场效应管的结构示意图和电路符号如图2.6.1所示。其中图（a）为N沟道结构示意图。图2.6.1增强型MOS管的结构与符号（a）N沟道管结构示意图（b）N沟道管符号（c）P沟道管符号第六十七页，共112页。它以一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，利用扩散工艺在P型衬底上面的左右两侧制成两个高掺杂的N区，并用金属铝在两个N区引出电极，分别作为源极（Source）s和漏极（Drain）d；然后在P型硅片表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极之间的绝缘层上再喷一层金属铝作为栅极（Gate）g；另外在衬底引出衬底引线（Substrate）B（它通常在管内与源极s相连接）。可见这种管子的源极、漏极是绝缘的，故称绝缘栅场效应管。第六十八页，共112页。这种管子由金属（Metal）、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)制成，故称为MOSFET，简称MOS管。N沟道MOS管称NMOS管，P沟道MOS管称PMOS管。图2.6.1（b）是N沟道增强型MOS管的电路符号。图中，衬底B的箭头方向是PN结正偏时的正向电流方向。第六十九页，共112页。

二、工作原理本节以N沟道增强型MOS管为例讨论其工作原理。1、工作原理工作时，N沟道增强型MOS管的栅源电压uGS和漏源电压uDS均为正向电压。图2.6.2N沟道增强型MOS管工作原理示意图第七十页，共112页。2.6.2耗尽型绝缘栅场效应晶体管的结构、图形符号及其工作原理一、结构和图形符号图2.6.3耗尽型MOS管的结构与符号（a）N沟道管的结构示意图（b）N沟道管符号（c)P沟道管符号第七十一页，共112页。二、工作原理当uGS＝0时，只要加上正向电压uDS，就有iD产生。当uGS由零向正值增大时，则加强了绝缘层中的电场，将吸引更多的电子至衬底表面，使沟道加宽，iD增大。反之，uGS由零向负值增大时，则削弱了绝缘层中的电场，使沟道变窄，iD减小。当uGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD≈0，管子截止，此时所对应的栅源电压称为夹断电压（Pinchoffvoltage），用UGS(off)表示。第七十二页，共112页。

1．结型场效应管也分为N沟道和P沟道两种。

2.6.3结型场效应晶体管简介2．结型场效应管中存在原始沟道，故属于耗尽型。

图2.6.4结型场效应晶体管3．N沟道结型场效应管正常工作时，栅源之间加反向电压，即uGS＜0，使两个PN结反偏；漏源之间加正向电压，即uDS＞0，形成漏极电流iD。第七十三页，共112页。2.6.4各类场效应晶体管的比较第七十四页，共112页。一、性能参数2.6.5场效应晶体管的主要参数及使用注意事项1、开启电压UGS(th)和夹断电压UGS(off)2、饱和漏极电流IDSS3、直流输入电阻RGS4、低频跨导(互导)gm第七十五页，共112页。二、极限参数1、最大漏极电流IDM2、最大耗散功率PDM3、漏源击穿电压U（BR）DS4、栅源击穿电压U（BR）GS第七十六页，共112页。三、使用注意事项

1．场效应管的漏极和源极一般可互换，但有的MOSFET出厂前已将源极与衬底互连，则不能互换。

2．JFET的栅源极之间必须加反偏电压，以保证有高的输入电阻。

3．MOSFET应防止栅极悬空，以免产生高的感应电压而击穿绝缘层，故在保存时应将栅源极间短接。

4．MOSFET焊接时所用电烙铁外壳必须接地，应在焊接时将烙铁拔离交流电源后再焊接。

第七十七页，共112页。*2.6.6场效应晶体管的偏置电路

和三极管放大电路一样，场效应管放大电路也应由偏置电路提供合适的偏压，建立一个合适而稳定的静态工作点，使管子工作在放大区。另外，不同类型的场效应管对偏置电压的极性有不同的要求。

一、自偏压电路

图2.6.5自偏压电路

第七十八页，共112页。图2.6.5所示的自偏压电路中，漏极电流在Rs上产生的源极电位US=IDRs。由于栅极基本不取电流，Rg上没有压降，栅极电位UG=0，所以栅源电压

UGS＝UG－US＝－IDRs

可见，这种栅偏压是依靠场效应管自身电流ID产生的，故称为自偏压电路。显然，自偏压电路只能产生反向偏压，所以它仅适用于耗尽型MOS管和JFET管，而不能用于UGS≥UGS(th)时才有漏极电流的增强型MOS管。

第七十九页，共112页。

二、分压式自偏压电路图2.6.6所示是在自偏压电路的基础上加接分压电阻后组成的。这种偏置电路适用于各种类型的场效应管。

为增大输入电阻，一般Rg3选得很大，可取几兆欧。

图2.6.6分压式自偏压电路

第八十页，共112页。静态时，源极电位US=IDRs。由于栅极电流为零，Rg3上没有电压降，故栅极电位

则栅偏压

由上式可见，适当选取Rg1、Rg2和Rs值，就可得到各类场效应管放大工作时所需的正、零或负的偏压。第八十一页，共112页。*2.6.7场效应晶体管放大电路及其性能指标估算

一、场效应管的简化微变等效模型图2.6.7场效应管的简化微变等效模型

从输入回路看，因为场效应管的输入电阻极高，栅极电流趋于0，可认为场效应管的输入回路(g、s极间)开路。从输出回路看，场效应管的漏极电流id受栅源电压ugs控制，id＝gmugs，故输出回路可用一个受控电流源gmugs表示。

第八十二页，共112页。二、场效应晶体管共源放大电路的性能指标估算图2.6.8自偏压共源放大电路微变等效电路

Ri≈Rg

Ro≈Rd

第八十三页，共112页。2.7.1级间耦合方式

多级放大器内部各级之间的连接方式，称为耦合方式。2.7多级放大电路

常用的有：

阻容耦合（Resistorcapacitorcoupled）；变压器耦合（Transformercoupled）；直接耦合（Directcoupled）；光电耦合（Photocoupled）。

第八十四页，共112页。

一、阻容耦合

图2.7.1是用电容Ｃ2将两个单级放大器连接起来的两级放大器。可以看出，第一级的输出信号是第二级的输入信号，第二级的输入电阻Ri2是第一级的负载。这种通过电容和下一级输入电阻连接起来的方式，称为阻容耦合。图2.7.1两级阻容耦合放大器第八十五页，共112页。阻容耦合的优点：①电容隔直，每一级的Q点各自独立，互不影响，这样就给电路的设计、调试和维修带来很大的方便。②只要耦合电容选得足够大，就可将前一级的输出信号在相应频率范围内几乎不衰减地传输到下一级，使信号得到充分利用。缺点：它不能用于直流或缓慢变化信号的放大。第八十六页，共112页。

二、变压器耦合级与级之间通过变压器连接的方式，称为变压器耦合。图2.7.2为变压器耦合两级放大电路，第一级与第二级、第二级与负载之间均采用变压器耦合方式。图2.7.2变压器耦合两级放大器第八十七页，共112页。变压器耦合有以下优点：①变压器隔直，各级的Q点相互独立。②在传输信号的同时，变压器还有阻抗变换作用，以实现阻抗匹配。缺点：它的频率特性较差，常用于选频放大或要求不高的功率放大电路。第八十八页，共112页。三、直接耦合前级的输出端直接与后级的输入端相连接的方式，称为直接耦合。如图2.7.3所示。图2.7.3直接耦合两级放大器第八十九页，共112页。直接耦合放大电路存在问题：①各级的Q点不独立，相互影响，相互牵制；②需要合理地安排各级的直流电平，使它们之间能正确配合；③易产生零点漂移。零点漂移就是当放大电路的输入信号为零时，输出端还有缓慢变化的电压产生。

优点：低频特性好，可用于直流和交流以及变化缓慢信号的放大。图2.6.3中采用了双电源和NPN与PNP两种管型互补直接耦合方式。由于电路中只有半导体管和电阻，便于集成，故直接耦合在集成电路中获得广泛应用。第九十页，共112页。

四、光电耦合级与级之间通过光电耦合器相连接的方式，称为光电耦合。由光敏三极管作为接收管的光电耦合器和由光敏二极管作为接收端的光电耦合器如下图所示。光耦合器还有达林顿型、高速型、双向晶闸管型、集成电路光耦合器等。由于它是通过电-光-电的转换来实现级间的耦合，优点：①各级的直流工作点相互独立。②采用光电耦合，可以提高电路的抗干扰能力。第九十一页，共112页。2.7.2多级放大电路性能参数的估算

单级放大器的某些性能指标可作为分析多级放大器的依据。多级放大器的主要性能指标采用以下方法估算。一、电压放大倍数由于前级的输出电压就是后级的输入电压，因此，多级放大器的电压放大倍数等于各级放大倍数之积，对于n级放大电路，注意：在计算末级以外各级的电压放大倍数时，应将后级的输入电阻作为前级的负载。第九十二页，共112页。二、输入电阻多级放大器的输入电阻Ri就是第一级的输入电阻Ri1，即

Ri=Ri1。三、输出电阻

多级放大器的输出电阻等于最后一级（第n级）的输出电阻Ron，即

Ro=Ron。第九十三页，共112页。2.8共射放大电路的频率特性

放大电路的频率特性可用电压放大倍数与频率的关系来描述，即2.8.1频率响应的基本概念和波特图放大倍数模值与频率之间的关系，称为幅频特性，用Au(f)表示。电压放大倍数的相位与频率之间的关系，称为相频特性，用φ(f)表示。幅频特性和相频特性统称为放大电路的频率特性。

第九十四页，共112页。一、幅频和相频特性曲线的定性分析

图2.8.1考虑极间电容时的共射放大电路第九十五页，共112页。

1、上、下限截止频率当信号频率下降或上升而使电压放大倍数下降到中频区的0.707倍时所对应的频率分别称为下限截止频率fL和上限截止频率fH。这时相应的附加相移分别为+45°和–45°。

2、通频带fL与fH之间的频率范围称为通频带，用BW表示，即BW＝fH－fL。

第九十六页，共112页。3、频率特性曲线共射放大电路频率特性曲线如下图所示，可将频率范围划分成三个区域分析。

(1)中频区(fL＜f＜fH)(2)低频区(f＜fL)(3)高频区(f＞fH)图2.8.2共射放大电路频率特性曲线（a）幅频特性（b）相频特性第九十七页，共112页。

二、频率失真幅度失真：由于放大电路对不同频率分量的放大倍数不同引起输出信号的波形失真。相位失真：由于放大电路对不同频率分量的相移不同而造成输出信号的波形失真。1、幅度失真和相位失真统称为频率失真，产生原因是放大电路的通频带BW不够宽。第九十八页，共112页。2、失真分为线性失真和非线性失真。

频率失真为线性失真。避免方法：应使信号的频率范围在放大电路的通频带内。非线性失真：因放大器件的非线性，工作在非线性区引起(截止、饱和、截顶)失真。避免方法：①使放大器件有合适Q点；②输入信号不能过大。第九十九页，共112页。三、共射基本放大电路波特图图2.8.3共射基本放大电路的频率特性波特图（a）幅频特性（b）相频特性工程上将幅频特性和相频特性曲线的横坐标采用对数刻度，以扩展频率范围；而纵坐标上的电压放大倍数用电压增益分贝数表示，相位差仍用线性刻度，这种对数频率特性曲线称为波特图。第一百页，共112页。一、三极管的频率参数1、共射截止频率fβ

设三极管低频共射电流放大系数为β0。由于三极管极间电容的存在，β值将随工作频率升高而减小。当β值下降到β0的0.707时所对应的频率，称为共射上限截止频率，记作fβ。其关系为当f=fβ时，2.8.2BJT的频率参数与共射电路中电容的选择第一百零一页，共112页。2、特征频率fT

当β值下降到1时所对应的频率，称为特征频率，用fT