硅微MEMS加工工艺课件

硅微MEMS加工工艺EMAIL：电话：62772232硅微MEMS发展里程碑1987年UCBerkeley在硅片上制造出静电电机90年代初ADI公司研制出低成本集成硅微加速度传感器，用于汽车气囊。90年代末期美国Sandia实验室发表5层多晶硅工艺。硅微MEMS工艺发展趋势表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展；体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合，追求大质量块和低应力；表面工艺与体硅工艺进一步结合；设计手段向专用CAD工具方向发展。MEMS与IC工艺主要差别典型硅微MEMS工艺体硅腐蚀牺牲层技术双面光刻自停止腐蚀深槽技术LIGA技术键合技术体硅各向异性腐蚀技术各向异性(Anisotropy)各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大，因为：(111)面有较高的原子密度，水分子容易附着在(111)面上；(100)面每个原子具有两个悬挂键，而(111)面每个原子只有一个悬挂键，移去(111)面的原子所需的能量比(100)面要高。体硅各向异性腐蚀是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。各向异性腐蚀液腐蚀液：无机腐蚀液：KOH,NaOH,LiOH,NH4OH等；有机腐蚀液：EPW、TMAH和联胺等。常用体硅腐蚀液：氢氧化钾(KOH)系列溶液；EPW(E：乙二胺，P：邻苯二酚，W：水)系列溶液。乙二胺(NH2(CH2)2NH2)邻苯二酚(C6H4(OH)2)水(H2O)EPW腐蚀条件腐蚀温度：115℃左右反应容器在甘油池内加热，加热均匀；防止乙二胺挥发，冷凝回流；磁装置搅拌，保证腐蚀液均匀；在反应时通氮气加以保护。掩膜层：用SiO2，厚度4000埃以上。影响腐蚀质量因素腐蚀液成分新旧腐蚀液试剂重复性温度保护搅拌牺牲层技术属硅表面加工技术。是加工悬空和活动结构的有效途径。采用此种方法可无组装一次制成具有活动部件的微机械结构。牺牲层材料影响牺牲层腐蚀的因素牺牲层厚度腐蚀孔阵列塌陷和粘连及防止方法酒精、液态CO2置换水；依靠支撑结构防止塌陷。自停止腐蚀技术机理：EPW和KOH对硅的腐蚀在掺杂浓度小于11019cm-3时基本为常数，超过该浓度时，腐蚀速率与掺杂硼浓度的4次方成反比，达到一定的浓度时，腐蚀速率很小，甚至可以认为腐蚀“停止”。腐蚀速率经验公式：Ri为低速区的腐蚀速率，N0为阈值浓度，NB为掺杂浓度，a与腐蚀液的种类有关，用EPW腐蚀可取4。自停止腐蚀典型工艺流程双面光刻MEMS器件的结构一般是平面化的三维结构，很多器件两面都有结构或图形，而且有对准要求，需要双面光刻。设备：投影双面光刻机或红外双面光刻机。双面光刻制版问题两面图形相同子图形呈中心对称分布子图形不左右对称分布，且两面的图形上下反对称分布，则整个硅片上所有芯片的图形应该都是从左向右或从右向左的；子图形不左右对称分布，且两面的图形上下对称分布，则硅片上左右两半边的芯片图形应该是反向分布的，都指向中心或背向中心。针孔问题流程1（出现针孔）：热氧化SiO2，LPCVDSi3N4；背面光刻，腐蚀Si3N4和SiO2；正面光刻，腐蚀Si3N4和SiO2；)体硅腐蚀。流程2（不出现针孔）：热氧化SiO2，LPCVDSi3N4；背面光刻，腐蚀Si3N4，不去胶；正面光刻，腐蚀Si3N4和SiO2，去胶；体硅腐蚀。凸角腐蚀补偿凸角腐蚀是指在硅岛或硅梁的腐蚀成型过程中，凸角部分被腐蚀掉的现象，体硅各向异性腐蚀时经常出现，这是因为对(100)晶面的硅片体硅腐蚀时，凸角的边缘与[110]方向平行，而腐蚀液对此方向的腐蚀速度较快。若要腐蚀出带凸角的整齐的台面结构，必须采取凸角补偿。凸角腐蚀补偿重掺杂自停