第01章半导体器件基础知识

第01章半导体器件基础知识第一页，共50页。1.1.1

什么是半导体2．载流子：半导体中，携带电荷参与导电的粒子。自由电子：带负电荷空穴：带与自由电子等量的正电荷均可运载电荷——载流子特性：在外电场作用下，载流子都可以做定向移动，形成电流。1．半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间,且随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。1.1半导体二极管第二页，共50页。3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。4．P型半导体：主要靠空穴导电的半导体。

1.1.2PN结即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。PN

结具有单向导电特性。1.1半导体二极管第三页，共50页。

（1）正向导通：电源正极接P型半导体，负极接N型半导体，电流大。

（2）反向截止：电源正极接N型半导体，负极接P型半导体，电流小。结论：PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。

1.1半导体二极管第四页，共50页。如果反向电流未超过允许值，反向电压撤除后，PN结仍能恢复单向导电性。

反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。

热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。结电容：PN结存在着电容，该电容为PN结的结电容。1.1半导体二极管第五页，共50页。1.1.3

半导体二极管

1．半导体二极管的结构和符号

利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。

箭头表示正向导通电流的方向。

电路符号如图所示。1.1半导体二极管第六页，共50页。由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图a）、面接触型（如图b）和平面型（如图c）。

点接触型：PN结接触面小，适宜在小电流状态下使用。面接触型、平面型：PN结接触面大，截流量大，适合于大电流场合中使用。1.1半导体二极管第七页，共50页。

2．二极管的特性

伏安特性：二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。硅二极管的伏安特性曲线如图所示。特性曲线1.1半导体二极管第八页，共50页。②正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。①死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如OA段，通常把这个范围称为死区。

死区电压：

导通电压：îíì=onV0.2V~0.3V（Ge）0.6V~0.7V（Si）

结论：正偏时电阻小，具有非线性。

（1）正向特性（二极管正极电压大于负极电压）1.1半导体二极管îíì=(Si）V0.2V5.0TV(Ge）第九页，共50页。

②反向击穿：若反向电压不断增大到一定数值时，反向电流就会突然增大，这种现象称为反向击穿。①反向饱和电流：当加反向电压时，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故称为反向饱和电流。

（2）反向特性（二极管负极电压大于正极电压）

普通二极管不允许出现此种状态。

结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。二极管属于非线性器件

1.1半导体二极管第十页，共50页。

3．半导体二极管的主要参数

（1）最大整流电流IF：

二极管长时间工作时允许通过的最大直流电流。

二极管正常使用时允许加的最高反向电压。使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。

（2）最高反向工作电压VRM使用中如果超过此值，二极管将有被击穿的危险。1.1半导体二极管第十一页，共50页。1.2.1半导体三极管的基本结构与分类

1．结构及符号三极：发射极E、基极B、集电极C。三区：发射区、基区、集电区。1.2半导体三极管PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号如图所示。

实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方向。

两结：发射结、集电结。第十二页，共50页。

（1）按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。

（2）按功率分：小功率管和大功率管。

（3）按工作频率分：低频管和高频管。

（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。

（5）按结构工艺分：合金管和平面管。

（6）按用途分：放大管和开关管。2．分类1.2半导体三极管第十三页，共50页。三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。常用的外形及封装形式如图所示。

3．外形及封装形式1.2半导体三极管第十四页，共50页。

1．三极管各电极上的电流分配

三极管电流分配实验电路如图所示。1.2.2三极管的电流放大作用1.2半导体三极管第十五页，共50页。

实验数据

表1-1三极管三个电极上的电流分配IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA0.010.561.141.742.332.91IE/mA0.010.571.161.772.372.96结论：IE=IB+IC

三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流和极电极电流之和。1.2半导体三极管第十六页，共50页。

2．三极管的电流放大作用由表1-1的数据可看出，当基极电流IB由0.03mA变到0.04mA时，集电极电流IC由1.74mA变到2.23mA。上面两个变化量之比为1.2半导体三极管第十七页，共50页。

（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。

由此可见，基极电流的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大原理。结论：要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

（2）三极管的放大作用，需要一定的外部条件。

注意：1.2半导体三极管第十八页，共50页。

利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。

（1）共发射极电路（CE）：把三极管的发射极作为公共端子。

三极管在构成放大器时，有三种基本连接方式：1.2.3三极管的基本连接方式1.2半导体三极管第十九页，共50页。（2）共基极电路（CB）：把三极管的基极作为公共端子。（3）共集电极电路（CC）：把三极管的集电极作为公共端子。1.2半导体三极管第二十页，共50页。

输入特性：在VCE一定的条件下，加在三极管基极与发射极之间的电压VBE和它产生的基极电流IB之间的关系。1．输入特性曲线1.2.4三极管的特性曲线1.2半导体三极管

改变RP2可改变VCE，VCE一定后，改变RP1可得到不同的VBE和IB

。第二十一页，共50页。由图可见：（1）当V

CE

≥1V时，特性曲线基本重合。（2）当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态。1.2半导体三极管第二十二页，共50页。（4）三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。（5）VBE与IB成非线性关系。（3）当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时，IB逐渐增大，三极管开始导通。1.2半导体三极管第二十三页，共50页。

输出特性：在

IB一定条件下时，集电极极与发射极之间的电压VCE和集电极电流IC之间的关系。2．输出特性曲线1.2半导体三极管先调节RP1，使IB为一定值，再调节RP2得到不同的VCE、IC。测试电路如图所示。第二十四页，共50页。输出特性曲线1.2半导体三极管第二十五页，共50页。条件：发射结反偏或两端电压为零。（2）放大区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：

IC受IB控制，即IC=IB。在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。

（3）饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。VCES称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。输出特性曲线族可分三个区：特点：VCE=VCES。（1）截止区

特点：IB=0，IC=ICEO。1.2半导体三极管第二十六页，共50页。3．三极管的主要参数：②集电极—发射极反向饱和电流ICEO。

①集电极—基极反向饱和电流ICBO。（2）极间反向饱和电流

选用管子时，值应恰当，一般说来，值太大的管子工作稳定性差。（1）共射极电流放大倍数

两者关系：

ICEO=（1+）ICBO1.2半导体三极管第二十七页，共50页。（3）极限参数②反向击穿电压。

当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压—V（BR）CEO。

当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反向电压—V（BR）CBO。

当集电极开路时，发射极与基极之间所能承受的最高反向电压—V（BR）EBO。1.2半导体三极管

当IC过大时，电流放大系数将下降。在技术上规定，

下降到正常值的2/3时的集电极电流称集电极最大允许电流。①集电极最大允许电流ICM。第二十八页，共50页。

在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。

三极管应工作在三极管最大损耗曲线图中的安全工作区。三极管最大损耗曲线如图所示。③集电极最大允许耗散功率PCM1.2半导体三极管第二十九页，共50页。1．用万用表判别三极管的管型和管脚方法：

①黑表笔和三极管任一管脚相连，红表笔分别和另外两个管脚相连测其阻值，若阻值一大一小，则将黑表笔所接的管脚调换重新测量，直至两个阻值接近。如果阻值都很小，则黑表笔所接的为NPN型三极管的基极。若测得的阻值都很大，则黑表笔所接的是PNP型三极管的基极。1.2.5三极管的简易测试1.2半导体三极管第三十页，共50页。

②若为NPN型三极管，将黑红表笔分别接另两个引脚，用手指捏住基极和假设的集电极，观察表针摆动。再将假设的集电极和发射极互换，按上述方法重测。比较两次表针摆幅，摆幅较大的一次黑表笔所接的管脚为集电极，红表笔所接的管脚为发射极。

③若为PNP型三极管，只要将红表笔和黑表笔对换再按上述方法测试即可。1.2半导体三极管第三十一页，共50页。2．判断三极管的好坏

（1）万用表置于“R

1k”挡或“R

100”挡位。

（2）方法：分别测量三极管集电结与发射结的正向电阻和反向电阻，只要有一个PN结的正、反向电阻异常，就可判断三极管已坏。1.2半导体三极管第三十二页，共50页。3．判断三极管的大小

将两个NPN管接入判断三极管C脚和E脚的测试电路，如图所示，万用表显示阻值小的管子的

值大。4．判断三极管ICEO的大小

以NPN型为例，用万用表测试C、E间的阻值，阻值越大，表示ICEO越小。1.2半导体三极管第三十三页，共50页。1．片状三极管的封装

小功率三极管：额定功率在100mW~200mW的小功率三极管，一般采用SOT-23形式封装。如图所示。

1—基极，2—发射极，3—集电极。1.2.6片状三极管1.2半导体三极管第三十四页，共50页。

大功率三极管：额定功率在1W~1.5W的大功率三极管，一般采用SOT-89形式封装。

1—基极，3—发射极，2、4（内部连接在一起）—集电极。1.2半导体三极管第三十五页，共50页。

在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状三极管称带阻片状三极管。2．带阻片状三极管1.2半导体三极管第三十六页，共50页。带阻片状三极管型号及极性。表1-2部分带阻片状三极管型号和极性型号极性R1/R2型号极性R1/R2DTA114YP10k/47kDTC114EN10k/10kDTA114EP100k/100kDTC124EN22k/22kDTA123YP2.2k/2.2kDTC114N47k/47kDTA143XP4.7k/22kDTC114WKN47k/22kDTC143XN4.7k/10kDTC114TNR1=10kDTC363EN6.8k/6.8kDTC124TNR1=22k1.2半导体三极管第三十七页，共50页。3．复合双三极管

在一个封装内包含两只三极管的新型器件。1.2半导体三极管

常见外型封装形式如图所示。

UM—6

SOT—25

SOT—36

第三十八页，共50页。1.3场效晶体管

半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为电流控制型器件。

场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件，称为电压控制器件。

根据结构和工作原理不同，场效晶体管可分为{结型（JFET）绝缘栅型（MOSFET）第三十九页，共50页。1.3.1结型场效晶体管1．符号和分类结型场效晶体管的电路符号和外形如图所示。三个电极：漏极（D），源极（S）和栅极（G），D和S可交换使用，电路符号和外形如图所示。。

结型场效晶体管可分为P沟道和N沟道两种，在电路符号中用箭头加以区别。1.3场效晶体管第四十页，共50页。2．电压放大作用场效晶体管的放大电路如图所示。场效晶体管共源极电路中，漏极电流受栅源电压控制。

场效晶体管是电压控制器件，具有电压放大作用。1.3场效晶体管第四十一页，共50页。1.3.2绝缘栅场效晶体管栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管（MOSFET）。

输入电阻很大，在1012

以上。

它也有N沟道和P沟道两大类，每一类中又分为增强型和耗尽型两种。1.3场效晶体管第四十二页，共50页。1．电路符号和分类①N沟道—箭头指向内。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，N沟道称NMOS管。②P沟道—箭头指向外。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，P沟道称PMOS管。1.3场效晶体管四种场效晶体管的电路符号如图所示。

P沟道增强型

N沟道耗尽型

P沟道耗尽型

N沟道增强型

第四十三页，共50页。2．结构和工作原理（1）结构1.3场效晶体管

②在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层，再在绝缘层上覆盖一层金属薄层，形成栅极（G）。

①N型区引出两个电极：漏极（D）、源极（S）。

③从衬底基片上引出一个电极，称为衬底电极。以N沟道增强型MOSFET为例

。

第四十四页，共50页。（2）工作原理

①当VGS=0，在漏、源极间加一正向电压VDS时，漏源极之间的电流ID=0。

②当VGS>VT，在绝缘层和衬底之间感应出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电压VDS时，将产生电流ID

。总结：

VGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻越小，ID越大。则通过调节VGS可控制漏极电流ID

。（3）输出特性和转移特性（与晶体管类似）。1.3场效晶体管第四十五页，共50页。3．电压放大作用MOS场效晶体管放大电路与结型场效晶体管放大电路的工作原理相似。N沟道耗尽型场