SMT发展动态与新技术介绍_第1页
SMT发展动态与新技术介绍_第2页
SMT发展动态与新技术介绍_第3页
SMT发展动态与新技术介绍_第4页
SMT发展动态与新技术介绍_第5页
已阅读5页,还剩28页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

SMT发展动态与新技术介绍第一页,共33页。电子组装技术的发展随着电子元器件的小型化、高集成度的发展,电子组装技术也经历了以下几个发展阶段:手工(50年代)→半自动插装浸焊(60年代)→全自动插装波峰焊(70年代)→SMT(80年代)→窄间距SMT(90年代)→超窄间距SMT第二页,共33页。据飞利浦公司预测,到2010年全球范围插装元器件的使用率将下降到10%,SMC/SMD将上升到90%左右。SMT是电子装联技术的发展方向,SMT已成为世界电子整机组装技术的主流。第三页,共33页。SMT的发展概况SMT是从厚、薄膜混合电路、演变发展而来的。美国是世界上SMD与SMT最早起源的国家,日本在SMT方面处于世界领先地位。欧洲有较好的工业基础,发展速度也很快,新加坡、韩国、香港和台湾省亚洲四小龙发展较快。我国SMT起步于二十世纪80年代初期,目前正处于快速发展阶段,并已成为SMT世界加工基地之一,设备已经与国际接轨,但设计、制造、工艺、管理技术等方面与国际还有差距。应加强基础理论和工艺研究,提高工艺水平和管理能力。努力使我国真正成为SMT制造大国、制造强国。第四页,共33页。SMT发展总趋势:电子产品功能越来越强、体积越来越小、

元器件越来越小、组装密度越来越高。组装难度也越来越大年度电子产品

印制板SMCSMD(IC)组装形式组装密度(焊点/cm2)第五页,共33页。例:手机1994-2002体积重量价格功能重量700g

》120g

》68g手表式手持电脑-手机音像娱乐第六页,共33页。1元器件发展动态⑴SMC—片式元件向小型薄型发展其尺寸从1206(3.2mm×1.6mm)

向0805(2.0mm×1.25mm)

向0603(1.6mm×0.8mm)

向0402(1.0×0.5mm)

向0201(0.6×0.3mm)发展。

最新推出01005(0.4×0.2mm)(01005C已经有样品,01005R正在试制)第七页,共33页。⑵SMD—表面组装器件向小型、薄型和窄引脚间距发展第八页,共33页。

SMD的各种封装形式QFP(PlasticQuadFlatPack)PBGA(PlasticBallGridArray)CSP(ChipScalePackage)FC-PBGA(FlipChipPlasticBallGridArray

)DCA(DirectChipAttach)FCOB(FlipChiponBoard)WLCSPWaferLevelChipScalePackage第九页,共33页。2窄间距技术(FPT)是SMT发展的必然趋势

FPT是指将引脚间距在0.635—0.3mm之间的SMD和长×宽≤1.6mm×0.8mm的SMC组装在PCB上的技术。由于电子产品多功能小型化促使半导体集成电路的集成度越来越高,SMC越来越小,SMD的引脚间距也越来越窄,目前0.635mm和0.5mm引脚间距的QFP已成为工业和军用电子装备中的通用器件。元器件的小型化促使SMT的窄间距技术(FPT)不断发展和提高。(1)BGA、CSP的应用已经比较广泛、工艺也比较成熟了。(2)0201(0.6×0.3mm)在多功能手机、CCD摄象机、笔记本电脑等产品中已经比较广泛应用。(4)FlipChip在美国IBM、日本SONY公司等都已经应用了倒装芯片技术(5)MCM多芯片模块——由于SMC/SMD已经不能再小了,MCM功能组件是进一步小型化的方向。第十页,共33页。PBGA结构第十一页,共33页。CSP结构片基(载体)形式载带形式第十二页,共33页。

第十三页,共33页。新型元器件第十四页,共33页。

LLP(LeadlessLeadframepackage)新微型封装新焊端结构:LLP(LeadlessLeadframepackage)MLF(MicroLeadlessFrame)QFN(QuadFlatNo-lead)第十五页,共33页。在硅片上封装(WLP)晶圆WaferLevel(Re-Distribution)ChipScalePackage第十六页,共33页。COB(ChipOnBoard)

第十七页,共33页。3无铅焊接的应用和推广日本首先研制出无铅焊料并应用到实际生产中,已在2003年禁止使用。美国和欧洲提出2006年7月1日禁止使用。

我国信息产业部对无铅化生产限期:2006年7月1日。第十八页,共33页。4非ODS清洗介绍

有关的政策禁止使用的ODS物质和时间:用于清洗的ODS物质有:FC113、CCl4、1.1.1.三氯乙烷。属于蒙特利尔议定书中规定的第一、第二、第三类受控物质。发达国家已于1996年停止使用。发展中国家2010年全部停止使用。中国作为(蒙约)谛约国,承诺在2010年全面淘汰ODS物质。中国政府意识到保护臭氧层的紧迫性,因此又承诺在目前国际替代技术发展的情况下,在发达国家资金援助和技术转让保证的前提下,中国清洗行业将在2006年停止使用ODS。在此期间将采用逐步替代、逐步淘汰的方针。第十九页,共33页。印制电路板(PCB)焊接后清洗的替代技术(1)溶剂清洗a非ODS溶剂清洗bHCFC清洗HCFC只是一种过渡性替代物,最终(2040年)也是要禁用的。(2)免洗技术——不清洗而达到清洗的效果对于一般电子产品采用免洗助焊剂或免洗焊膏,焊后可以不清洗。(3)水洗技术水洗技术可分为水洗和水中加表面活性剂两种工艺。(4)半水技术半水技术属水洗范畴,所不同的是加入的洗涤剂属可分离型。第二十页,共33页。PCB-SMD复合化

在多层板中预埋R、C、L元件,实现高密度组件。其它新技术第二十一页,共33页。

新型封装FC-BGA

(flipchip)

进一步微型化芯片芯片凸点凸点第二十二页,共33页。MCM(multichipmodule)多芯片模块封装第二十三页,共33页。3D封装第二十四页,共33页。3DSystemsinPackage(SIP)存储器ASIC+存储器第二十五页,共33页。功能模块第二十六页,共33页。硬盘驱动器中的

系统级芯片(包括读通道和硬盘控制器)第二十七页,共33页。模块式数码手机第二十八页,共33页。SMT与IC、SMT与高密度封装技术相结合的产物IPD(集成无源元件)MCM(多芯片模块)无源与有源的集成混合元件

SIP(系统级封装)三维晶圆级堆叠的立体组件……

模块化、系统化推动SMT向更简单、更优化、低成本、高速度、高可靠方向发展。第二十九页,共33页。通孔元件再流焊工艺第三十页,共33页。ACA技术

(AnisotropicConductiveAdhesive)在Pitch<40μm的超高密度以及无铅等环保要求的形势下,ACA——各向异性导电胶技术也悄然兴起。例如在LCD(液晶显示)面板、PDP(等离子体显示器)、HDD(硬盘驱动器)磁头、存储器模块、光电偶合器等封装互连中已经得到应用。第三十一页,共33页。SMT发展总趋势1.电子产品功能越来越强、体积越来越小、造价越来越低、更新换代的速度也越来越快。2.元器件越来越小,0201等高密度、高难度组装技术的开发研究。3.无铅焊接技术的研究与推广应用。4.电子设备和工艺向半导体和

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论