第四单元半导体二极管和三极管

第四单元半导体二极管和三极管第1页，共78页，2023年，2月20日，星期二下面图片中各是什么？它们可以导电么？半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之间的物质。第2页，共78页，2023年，2月20日，星期二第一节半导体的基础知识1、半导体的导电特性(可做成温度传感器，如热敏电阻)掺杂性：掺入某种微量杂质，导电能力明显改变光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管）(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等)。导电能力在导体和绝缘体之间Δ半导体的特性半导体的常见材料：硅Si和锗Ge第3页，共78页，2023年，2月20日，星期二2、本征半导体和共价键完全纯净的、结构完整的半导体，称为本征半导体。应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素硅原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。单晶硅中的共价健结构共价健价电子SiSiSiSi所有的价电子都被共价键束缚，不会成为自由电子第4页，共78页，2023年，2月20日，星期二自由电子浓度决定导电能力因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。价电子结合成共价键，他们既不像导体那样容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样束缚很紧第5页，共78页，2023年，2月20日，星期二3、本征激发和空穴导电

价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电）同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。SiSiSiSi价电子空穴自由电子以上过程，称之为本征激发；相反，自由电子回到空穴的过程，称之为复合第6页，共78页，2023年，2月20日，星期二4、半导体的导电形式

在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。载流子

因此，温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好，所以，温度对半导体器件性能的影响很大。SiSiSiSi价电子空穴

当半导体两端加上外电压时，自由电子作定向运动形成电子电流；而空穴的运动相当于正电荷的运动自由电子和空穴第7页，共78页，2023年，2月20日，星期二5、N型半导体和P型半导电根据半导体的掺杂性，在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体；其中可以分为N型半导体和P型半导体N型半导体SiSiSiSi

掺杂后,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子型半导体或N型半导体。p+多余电子，在常温下即为自由电子磷原子失去一个电子变为正离子

N型半导体:自由电子--多(数载流)子

空穴--少(数载流)子掺入五价原子：磷第8页，共78页，2023年，2月20日，星期二P型半导体：掺入三价原子：硼SiSiSiSi

因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴型半导体或P型半导体。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴本征半导体和杂质半导体都是中性的，对外不带电P型半导体:空穴--多子自由电子--少子第9页，共78页，2023年，2月20日，星期二第二节半导体器件的核心——PN结1、PN结的形成多子的扩散运动，在中间位置进行复合内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽空间电荷区也称PN结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。++++++++++++++++++++++++形成空间电荷区－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－第10页，共78页，2023年，2月20日，星期二扩散强漂移运动增强内电场增强两者平衡PN结宽度基本稳定2、扩散运动和漂移运动的动态平衡第11页，共78页，2023年，2月20日，星期二3、PN结的单向导电性－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++－－－－－－加正向电压（正向偏置）空间电荷区变窄

P接正、N接负

IF

PN结加正向电压时，正向电流较大，正向电阻较小，称PN结处于导通状态。内电场外电场内电场

多子扩散加强

大的扩散电流

P区N区+–R第12页，共78页，2023年，2月20日，星期二－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++－－－－－－空间电荷区变宽加反向电压（反向偏置）IR

P接负、N接正温度对反向电流影响很大，温度越高，本征激发越强，反向电流越大–+

PN结加反向电压时，反向电流较小，反向电阻较大，称PN结处于截止状态。P区N区内电场外电场内电场

阻止扩散、促进少子漂移

很小的漂移电流

第13页，共78页，2023年，2月20日，星期二外加电压平衡破坏扩散强漂移强PN结导通

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；

PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

PN结截止PN结具有单向导电性第14页，共78页，2023年，2月20日，星期二本次课总结半导体的导电能力半导体的特性什么是本征半导体什么是本征激发、复合半导体内部存在几种导电方式杂质半导体可以分为几种半导体器件的核心PN结中内电场的方向PN结最重要的特性绝缘体<导电能力<导体热敏性、光敏性、掺杂性纯净无杂质的半导体价电子获得能量激发一对电子和空穴的过程电子导电、空穴导电N型半导体、P型半导体PN结N指向P单向导电性想一想第15页，共78页，2023年，2月20日，星期二课堂练习（1）N型半导体是在本征半导体中掺入

；P型半导体是在本征半导体中掺入

。（2）当温度升高时，PN结的反向饱和电流会

。（3）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（）（4）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）（5）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（6）判断灯泡是否亮起？练一练五价元素三价元素增大√×√PN结正向导通时，灯泡亮；反向截止时，灯泡不亮第16页，共78页，2023年，2月20日，星期二课后作业教材P110/判断题：1、2；单选1、2、4、5、10、11第17页，共78页，2023年，2月20日，星期二半导体的特性什么是本征半导体什么是本征激发、复合半导体内部存在几种导电方式杂质半导体可以分为几种半导体器件的核心PN结中内电场的方向PN结最重要的特性复习1：热敏性、光敏性、掺杂性纯净无杂质的半导体价电子获得能量激发一对电子和空穴的过程电子导电、空穴导电N型半导体、P型半导体N指向P单向导电性PN结第18页，共78页，2023年，2月20日，星期二第三节半导体二极管1、半导体二极管的种类及结构半导体二极管是有一个PN结构成的最简单的半导体器件，结构分有点接触型、面接触型两大类PN结阴极引线铝合金小球金锑合金底座N型硅阳极引线面接触型引线外壳触丝N型锗片点接触型表示符号第19页，共78页，2023年，2月20日，星期二点接触型二极管：PN结面积小，通过的电流小，高频性能好，一般为锗二极管面接触性二极管：PN结面积大，通过的电流大，工作频率低，常用于整流电路，一般为硅二极管2、适用范围第20页，共78页，2023年，2月20日，星期二3、二极管的伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压二极管才能导通。电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数(很小）第21页，共78页，2023年，2月20日，星期二定性分析：判断二极管的工作状态导通截止将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。分析方法：练习：在图1所示的各电路图中，E=5V，ui=10sinωtV，二极管D的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u0的波形。第22页，共78页，2023年，2月20日，星期二解答二极管起钳位作用第23页，共78页，2023年，2月20日，星期二4、二极管的主要参数1最大整流电流

二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。2最高反向工作电压

保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，通常是反向击穿电压的一半3反向电流

二极管上加最高反向工作电压时的反向电流值。硅管的反向电流较小，锗管的较大，为硅管的几十倍。第24页，共78页，2023年，2月20日，星期二5、二极管的型号与类型国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。第25页，共78页，2023年，2月20日，星期二第四节特殊半导体二极管1、稳压管_+符号UZ稳定电压IZ稳定电流IZM最大稳定电流UZ

IZ使用时要加限流电阻UIO稳压管正常工作时加反向电压反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此稳定电压特性，做成稳压管第26页，共78页，2023年，2月20日，星期二稳压管参数（3）动态电阻（2）稳定电流（4）最大允许耗散功率稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值管子不致发生热击穿的最大功率损耗。PZM=UZIZM（1）稳定电压UZ稳压管在正常工作下管子两端的电压。稳压值是确定的大于稳定电压，才能保证较好的稳压效果（5）电压温度系数说明稳压管受温度变化影响的系数，通常低于6V的稳压管的电压温度系数是负的第27页，共78页，2023年，2月20日，星期二2、发光二极管发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管。发光二极管光的颜色取决于半导体材料，如磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光符号正向导通时，电能转化为光能第28页，共78页，2023年，2月20日，星期二3、光敏二极管符号光敏二极管又称光电二极管，工作时，处于反相接法，并把光能转化为电能第29页，共78页，2023年，2月20日，星期二本次课总结二极管的类型二极管的符号二极管的伏安特性最高反向工作电压通常是多少2CZ11A稳压管的材料稳压管、发光二极管、光电二极管工作区间稳压管的电压温度系数的分界数发光二极管、光敏二极管的符号点接触型、面接触型正向、反向、反向击穿取反向击穿的一半有整流作用的硅二极管硅二极管反向击穿区、正向导通、反相接法6V想一想第30页，共78页，2023年，2月20日，星期二课堂练习（1）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（）（2）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）练一练（3）有两个稳压二极管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。如果要得到3V的稳定电压，应如何连接？（4）电路如题2-11图所示，稳压管的稳定电压UZ=8V，设输入信号为峰值15V三角波，试画出输出uo的波形。√√第31页，共78页，2023年，2月20日，星期二课后作业布置作业：教材P110/判断题3、4、5、6；

P111/选择题6、7、8、9、10、11、12第32页，共78页，2023年，2月20日，星期二二极管的类型二极管的伏安特性最高反向工作电压通常是多少稳压管、光电二极管、发光二极管的符号及求V0的波形图点接触型、面接触型正向、反向、反向击穿取反向击穿的一半复习2：vs第33页，共78页，2023年，2月20日，星期二第五节半导体三极管1、半导体三极管的基本结构和型号NPN

PNP三极管是由两个PN结组成的有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。第34页，共78页，2023年，2月20日，星期二符号：BECBECNPN型三极管PNP型三极管NNP发射极集电极NPN型BECPNP型PPNBEC基极发射极集电极基极电流方向从P到N第35页，共78页，2023年，2月20日，星期二BECNNP基极发射极集电极集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高基区：较薄，掺杂浓度低第36页，共78页，2023年，2月20日，星期二三极管在制造时必须满足以下条件：1、发射区掺杂浓度最大，它的作用是发射载流子。2、基区必须做得很薄（微米级）掺杂浓度最小，它的作用是传输和控制载流子。3、集电区要做得体积最大，它的作用是收集载流子。BECNNP基极发射极集电极发射结第37页，共78页，2023年，2月20日，星期二第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管3DG110B2、三极管的型号与类型第38页，共78页，2023年，2月20日，星期二3、三极管的电流分配和放大作用三极管工作于放大状态的条件：发射结加上正向电压（正向偏置），集电结加上反向电压（反向偏置）EBRBECRCBECNNP从电位的角度看：

NPN

发射结正偏VB>VE集电结反偏VC>VB

VC>

VB>VE第39页，共78页，2023年，2月20日，星期二BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管第40页，共78页，2023年，2月20日，星期二uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极2)

三极管的连接方式一、共发射极接法二、共集电极接法三、共基极接法第41页，共78页，2023年，2月20日，星期二以三极管共发射极接法电路为例电流是如何分配的？µAmAmAIBICIERBEC++__EBBCE3DG6Rp第42页，共78页，2023年，2月20日，星期二IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.051）三电极电流关系IE=IB+IC

把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为三极管的电流放大作用。2）IC

IB

，

IC

IE

3）IC

IB由试验可以得到三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。第43页，共78页，2023年，2月20日，星期二三极管正常放大外加电压必须满足：1．发射结外加正向电压，即P区较N区为正。2．集电结外加反向电压，即P区较N区为负。正常放大时，NPN管集电极电位最高，基极电位次之，射极电位最低。即UC

UB

UE

；PNP管则反之，射极电位最高，基极电位次之，集电极电位最低。即UE

UB

UC.第44页，共78页，2023年，2月20日，星期二发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

RBEC++__EBEBCNNP第45页，共78页，2023年，2月20日，星期二RBEC++__EBEBCICIBIEICBOIBEIEC得称之为三极管的穿透电流，它与集电极的反向电流有关，由于集电极的反向电流会随着温度升高，穿透电流也升高，在使用三极管时应该注意第46页，共78页，2023年，2月20日，星期二三极管的放大作用，主要是依靠发射区发射电子能够通过基区，并被集电区收集而实现的。实质：用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是电流控制器件。条件是：内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。小结：第47页，共78页，2023年，2月20日，星期二例题；测得工作在放大区的四个三极管，各电极对地电位如题表2-1-1，判断是硅管还是锗管，是PNP管还是NPN管，并标出管脚ebc填入表中第48页，共78页，2023年，2月20日，星期二4、三极管的特性曲线输入特性曲线与二极管的正向特性相似放大区：iC平行于vCE轴，与vCE无关，受iB控制。此时，发射结正偏，集电结反偏。饱和区：iC随vCE的增加变化很快，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。发射结和集电结均反偏+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE输入回路输出回路第49页，共78页，2023年，2月20日，星期二输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止区：

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO

0

第50页，共78页，2023年，2月20日，星期二例：

=50，UCC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当UBB

=-2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？当USB

=-2V时：ICUCEIBUBCRBUBBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大饱和电流：Q位于截止区

说明电源的习惯连接方式，B、C共用电源第51页，共78页，2023年，2月20日，星期二例：

=50，UCC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？IC<

ICmax(=2mA)

，

Q位于放大区。ICUCEIBUCCRBUSBCBERCUBEUSB

=2V时：第52页，共78页，2023年，2月20日，星期二USB

=5V时:例：

=50，USC

=12V，

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？Q位于饱和区，此时IC和IB

已不是倍的关系。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE第53页，共78页，2023年，2月20日，星期二5、三极管的主要参数1、电流放大系数：静态电流（直流）放大系数：动态电流（交流）放大系数2、集—基极反向截止电流受温度的影响大。在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。3、集—射极反向截止电流愈高的管子，稳定性愈差。越大4集电极最大允许电流5集—射极反向击穿电压通常指β值下降到原来的2/3或是1/2时的集电极电流指基极开路时，加在集电极和发射机之间最大允许电压6集电极最大允许耗散功受结温的控制第54页，共78页，2023年，2月20日，星期二例：UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA；IB=60A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=1.电流放大倍数和

第55页，共78页，2023年，2月20日，星期二2.集-基极反向截止电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度变化的影响。第56页，共78页，2023年，2月20日，星期二BECNNPICBOICEO=

（1+）ICBO

IBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。第57页，共78页，2023年，2月20日，星期二6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC

流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC

有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区第58页，共78页，2023年，2月20日，星期二三极管的简易检测1、确定基极和管型万用表置R×100Ω或R×1kΩ挡，黑表笔接三极管任一管脚，用红表笔分别接触其余两个管脚如果两次测得的阻值都较小（或均较大），则黑表笔接得管脚为基极。阻值小的那个为NPN型，大的为PNP型。如果两次测得值相差很大，应该调换管脚，直到找到基极。第59页，共78页，2023年，2月20日，星期二2、确定集电极和发射极确定基极后，若是NPN型，可将红、黑表笔分别接在两个未知电极上，表针指向无穷大处，再用手将基极和黑表笔所接管脚捏紧（两极不能接触，相当于接入电阻），记下阻值；对调表笔，相同方法在测一遍，两次测量中，读数小的一次，黑表笔所接为集电极；如果测试表针不动，则三极管失去放大功能。测量PNP型，应捏紧红表笔端，且度数较小的一次红表笔为集电极第60页，共78页，2023年，2月20日，星期二本次课总结三极管的组成三极管的类型三极管的结构三极管的三种接法三极管的基本作用三极管输出特性的三个区域想一想由两个PN结组成NPN型、PNP型基极B、发射极E、集电极C共基极、共发射极、共集电极放大电信号截止区、放大区、饱和区第61页，共78页，2023年，2月20日，星期二课堂练习练一练（1）晶体管的三个工作区分别是

、

和

。在放大电路中，晶体管通常工作在

区。（2）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（）（3）一只NPN型三极管，能将e和c两电极交换使用。（）（4）有两个晶体管分别接在电路中，今测得它们管脚的电位（对“地”）分别如下表所列，试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？放大区截止区饱和区放大区××管脚123电位/V43.49NPN型：集电极电位最高，发射极电位最低，UBE>0；PNP型；发射极电位最高，集电极电位最低，UBE<0。硅管：基极电位与发射极电位大约相差0.6V或0.7V；锗管：基极电位与发射极电位大约相差0.2V或0.3V。由此可知：晶体管I：NPN型，硅管，1−B、2−E、3−C；晶体管II：PNP型，锗管，1−C、2−B、3−E。第62页，共78页，2023年，2月20日，星期二课后作业布置作业：教材P110/7、8、9；P111/2、13、14、15、16第63页，共78页，2023年，2月20日，星期二复习3：三极管的组成三极管的类型三极管的结构三极管的基本作用三极管输出特性的三个区域由两个PN结组成NPN型、PNP型基极B、发射极E、集电极C放大电信号截止区、放大区、饱和区第64页，共78页，2023年，2月20日，星期二第六节基本放大电路1、共发射极放大电路的组成放大电路：把微弱的电信号转变为较强的电信号的电子电路ECRSesRBEBRCC1C2T+++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE晶体管T--放大元件,iC=iB。要保证发射结正偏,集电结反偏,使晶体管工作在放大区基极电源EB与基极电阻RB--使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。集电极电源EC--保证集电结反偏，并为电路提供能量。集电极电阻RC--将变化的电流转换为变化的电压。耦合电容C1、C2--隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。第65页，共78页，2023年，2月20日，星期二2、基本放大电路的工作原理设置静态工作点为什么要设置静态工作点？+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE不设置静态工作点，当交流信号输入时，信号的负半周由于三极管截止，信号无法输入；而正半周由于三极管存在死区电压，可通过的信号少，可见，不建立静态工作点，三极管无法正常工作第66页，共78页，2023年，2月20日，星期二静态工作点的概念无输入信号(ui

=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCEuBEtOiBtOiCtOuCEtOICUCEOIBUBEO

(IB、UBE)

和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。QIBUBEQUCEIC第67页，共78页，2023年，2月20日，星期二UBEIB无输入信号(ui

=0)时:uo=0uBE=UBEuCE=UCE？有输入信号(ui

≠0)时uCE=UCC－iC

RCuo0uBE=UBE+uiuCE=UCE+uoIC+UCCRBRCC1C2T++ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO第68页，共78页，2023年，2月20日，星期二加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。+集电极电流直流分量交流分量动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析第69页，共78页，2023年，2月20日，星期二1、为了使三极管正常工作，必须设置静态工作点2、三极管上的电压和电流存在两个分量，直流分量和交流分量；直流分量用以建立静态工作点，交流分量用来保证交流信号流通3、由于输入增大时，都增大，但反而下降，所以共发射极放大电路的输入电压和输出电压是反相的另：因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样，交直流所走的通路是不同的。直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数