芯片测试反压作业规范及品质要求课件

芯片测试反压作业规范及品质要求主讲人—钟燕平2010年06月22日芯片测试反压作业规范及品质要求一、芯片测试工艺目的及品质要求二、芯片测试准备工作三、芯片测试四、芯片测试软件注意事项五、芯片测试操作注意事项六、芯片测试安全注意事项七、芯片反压工艺目的及品质要求八、芯片反压准备工作九、芯片反压作业步骤十、芯片反压异常判定十一、芯片反压操作注意事项十二、芯片反压安全注意事项一、芯片测试工艺目的及品质要求1、工艺目的

测试非晶硅太阳电池芯片的电性参数；2、品质要求

2.1、测试结果有较好的重复性，误差范围2%内；

2.2、测试环境温度25±5℃；

2.3、光强分布误差：100±5mw/cm2；

2.4、测试过程中不造成人为破角或在背电极留下手指印，及探针刮伤膜面；二、芯片测试准备工作2、标准板清洁A、在搬运测试标准板时，需要戴上尼龙手套，减少标准板玻璃面的手指印残留；B、车间测试人员在较准标准板前，要先对标准板的玻璃表面进行清洁（用旧尼龙手套或纱布沾上酒精进行清洁），清洁后才可以进行标准板较准；3、光强校准A、点击测试软件界面中的光强测试按钮，进入光强测试界面；B、在光强测试界面中，点击“重测”按钮（连续3-5次），若光强在100±5mw/cm2范围内，则点击“平均”按钮，后再点击确定；若标准光强不在规定的范围内，则通过微调整主电源电压（调节幅度±5V，）使标准光强达到100±5mw/cm2；

二、芯片测试准备工作4、标准板校准A、在标准光强100±5mw/cm2下测试非晶硅太阳电池组件标准片；B、根据测试结果和标准片所标示的参数对比，在控制面板界面进行修正校准因子：

a、调整电压测量校准因子使Voc与标准板标称标示值相近；

b、调整电流测量校准因子使Isc与标准板标称标示值相近；

c、在开关时间不变的情况下，调整修正电阻使FF、Pm与标准板标示值相近（此过程需要配合调整电压测量较准因子、电流测量较准因子）；

d、若调节修正电阻无法使FF、Pm与标准板标示值接近，则相应调节开关时间，此时需按3的要求重新校正光强，并按4.B.a至4.B.c的步骤进行较准标准板；

e、标准板较准过程中的测试值（FF、Voc、Isc、Pm）需与标准板标称值相近，并且具有良好的重复性和一致性，相近值重复次数不少于4次；

f、标准板生产校准过程中只允许修改电流测量校准因子、电压测量校准因子、开关时间、修正电阻，禁止修改其他测试参数；

g、标准板较准时各项参数与标准板标示值的误差范围为：Pm（±0.15W）、

Voc（±0.15V）、Isc（±0.015A）、FF（±0.015）；二、芯片测试准备工作图3工艺参数设定窗口图4测试软件窗口光强测试按钮三、芯片测试2、用扫描仪把芯片上条码扫到测试软件界面中（或手动输入芯片编号），后轻轻推动待测电池芯片，使待测电池芯片在测试机的中间位置（待测电池芯片的受光面面向光源）；3、按下测试机气动阀的控制开关，使气缸下压，从而使测试探针与电池芯片的正负极相接触；4、点击测试界面中的“测试”按钮（可使用快捷键“空格键”或“Alt+x”）或踩下脚踏开关进行测试并根据芯片的情况选择相应的产品形态；三、芯片测试5、每片芯片至少需要测试两次，并记录最后一次测试数据记录；6、测试人员按下气动阀控制开关让测试工装上升，脱离与芯片的接触；7、下片人员从下片口处拉出已测试的电池芯片，并参照品保发行的《非晶硅太阳能电池芯片/组件等级判定标准》将电池芯片进行等级分类放置于相应的小推车上；8、车间每个班在下班前需要将本班的测试数据导出并进行整理(需按单结、双结退火测试、反压测试分开),并把测试数据保存在相应的电子档文中；四、芯片测试软件注意事项1、每一片芯片或组件在测试后，会出现一个“客户定制信息”对话框，对话框中内容有测试机位、产品形态、有效数据无效数据；2、测试机位：每一台测试机有固定的编号，一车间芯片段为101，一车间组件段为102；3、产品形态：每一片芯片或组件的产品形态（良品芯片或不良芯片），若没有不良则为“good”，若有不良则选择相应的不良项目；4、有效数据无效数据：若为有效数据则会被MES

系统采集；五、芯片测试操作注意事项1、开机前检查电源线、各数据线是否连接上，是否牢固；测试机主电源急停开关是否处于开启状态；2、光源与被测板之间不得有任何遮挡物以免影响测量精度，玻璃台面要保持清洁（每班每天都要用纱布清洁测试机的表面），并对测试探针接触面进行擦拭（用尼龙手套的手背面对接触面进行擦拭，防止测试探针表面而影响测试结果）；3、芯片的温度需冷却在25±5℃的情况下才可进行测试；4、拿取电池芯片时要轻拿轻放以免磕碰破角，电池芯片要放在测试台中间区域（如图5所示），以免影响测试数据，并保证测试探针处与电池芯片接触良好；五、芯片测试操作注意事项5、当测试显示“测试错误”时检查电池芯片正、负极是否放反；正、负极引线接触是否良好或者短路；氙灯电源是否打开并处于工作状态；负载开关是否打开；如果以上方法还无法解决请通知技术部或设备组；6、每测试二小时或测试机重启后，重新进行标准板校准，以减小误差；若在较准标准板后的2

个小时内有间隔20分钟以上未进行测试，则需要重新较准标准板；五、芯片测试操作注意事项7、靠单晶硅标准板位置的测试工装应与测试机的单晶硅标准板留有5-10mm左右的间隙（如图5）；8、单结电池芯片测试时，测试工装的正负极探针只能分别接触到芯片正负极第一条激光线到芯片边缘区域；9、芯片扫描时，芯片平放于上料平台上，靠编号位置偏离上料平台10cm左右，后用扫描仪进行扫描；六、芯片测试安全注意事项1、操作人员在操作过程中，戴好护腕与尼龙手套，防止玻璃破裂时刮伤；2、在处理破裂芯片时，需要两个人来共同来处理，防止受伤；3、电源系高压大电流，系统工作时严禁任何人打开电源箱,以免造成人员伤害；4、测量时人眼不得直视光源，以免对人眼造成伤害；七、芯片反压工艺目的及品质要求1、工艺目的

对芯片进行反压修补，起到修补激光线的作用，从而提高芯片功率；2、品质要求

2.1、双结反压时，工装铝带不能贴在激光线上；

2.2、单结芯片反压时，工装铝带可以贴在激光线上；

2.3、反压后允许有轻微的透空现象；3、工艺参数

3.1、修补时间：视不同产品选择不同工艺时间；

3.2、稳压电源电压：除一台为低压24V±0.3V外（正极边数第一、二条铝带对应的稳压电源），其余七台全为30±0.3V；

3.3、稳压电源最大限制电流：0.15±0.01A；八、芯片反压准备工作1、开启设备电源：打开电控箱，将左上角的空气开关向上拨，此时控制系统和反压电源开启。2、确认各直流稳压电源都有通电，（各电源指示灯均会亮起）。除标示为‘低压’的一台应是

24V，其余电压都指向刻度30V（如图一所示）；3、按下“电源启动”，再按下“系统启动”，机器便进入工作状态（如图二所示）；4、选择反压时间；5、选择传动方式为“自动”状态，则传送带开始匀速运转。九、芯片反压作业步骤1、作业员须戴防静电手套及护腕，把待反压修补的电池芯片放置于反压设备的上区料，此时应注意芯片的正负极方向（设备上有标识），用手轻推电池芯片，使其进入传送带，自动进入反压区域；2、当芯片进入反压区域后，设备传感器接受到信号后下压，进行反压修补；3、一次测试上料员配合留意反压电流情况，如发现异常，应及时将问题向现场助工反馈；九、芯片反压作业步骤4、在芯片的反压修补过程中，可以再放置一片待反压的电池芯片于反压设备的上料区；5、反压时间到后，已反压的电池芯片将自动转动至设备下区料；6、作业员把已传送到下料区的已反压电池芯片搬至物料车上、或直接搬至测试上料台进行测试；十、芯片反压异常判定1、反压工作时若连续几片在同一稳压电源的反压电流为0，则说明此台稳压电源的铝带与电池芯片有可能不存在接触，或者是反压设备可能出现异常，此时需要检查原因（确定是否为铝带问题、反压设备故障、还是激光刻划效果好而使漏电流很小）；2、反压工作时反压电流较小说明激光刻画较好，此时反压后测试的功率较一次测试可能没有多大变化，这属正常情况；十一、芯片反压操作注意事项1、在自动状态下，若在反压过程中出现待反压芯片还没有传动至反压区，气缸就已经下压的情况，需要把“自动状态”转为“手动状态”，按下“手动移出”，让芯片传动至反压区，后把“手动状态”转为“自动状态”；若选择“手动”状态，压板将自动升起，传送带停止传送，此时可通过按下“手动移出”按钮，将电池芯片传送到需要的位置；

十一、芯片反压操作注意事项2、机器上料区处、电控箱、下料区设置有3个