材料概论周达飞二版第32章课件

物理气相沉积法(PhsicalVaporDeposition，PVD)化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition,

CVD)气相法液相法固相法3.2工艺过程与方法

整个材料领域中，可分为3大类：

1.物理气相沉积法(PVD)利用电弧、高频电场or等离子体等高温热源将原料加热高温→气化/等离子体骤冷凝聚成各种形态(如晶须、薄片、晶粒等)。包括3个步骤：蒸汽的产生：简单的蒸发和升华or阴极溅射方法。

通过减压使气化材料从供给源转移到衬底。挥发的镀膜材料能用各种方式激活or离子化，离子能被电场加速。在衬底上发生凝结，最后可能是在高能粒子轰击期间，or在反应气体or非反应气体粒子碰撞过程中(or两者共同作用)，通过异相成核作用和膜生长形成1种沉积膜。PVD法制备薄膜材料在一定的基体表面制备膜层，由元素和化合物从蒸气相凝结而成。膜沉积技术的基本类型有：(1)真空沉积法(真空蒸镀)(2)溅射法：利用溅射现象使飞出的原子团or离子在对面基片上析出的方法。(3)离子镀法：蒸镀工艺与溅射技术的结合(较新)，基本原理与真空沉积法相同.第三章材料的制备方法优点：与真空沉积法相比，所得到的膜成分基本上与靶材相同，易于获得复杂组成的合金，而前者∵合金成分和蒸气压的差异无法精确控制；溅射法与基体的附着力>>蒸镀法。应用→金属or合金膜(特别是e元件的电极和玻璃表面红外线反射薄膜)，还→功能薄膜如液晶显示装置的In2O3-SnO2透明导电陶瓷薄膜。（2）真空溅射法：荷能粒子（高能的离子、中性原子等）冲击靶材，使靶材表面原子or原子团逸出。溅射设备主要有以下几种：二极直流溅射：最简单，很早就工业生产，但无法获得绝缘膜。高频溅射：可在较低电压下进行，能制介质膜，∴高频溅射仪自1965年问世以来很快得到普及，数量在溅射仪中占绝对优势。磁控溅射：与真空蒸镀相比，二极直流or高频溅射的V成膜都非常小(只有~50nm/min，约为蒸镀的1/51/10)。磁控溅射是在溅射仪中附加了磁场，∵洛仑兹力的作用，能使V溅射，∴使溅射技术→新的高度。反应溅射：通过将活性气体混合在放电气体中，可控制膜的组成和性质，主要用于制绝缘化合物薄膜。可采用直流、高频和磁控等溅射方法。第三章材料的制备方法(3)离子镀法是蒸发工艺与溅射技术的结合，1种较新的方法。↗薄膜的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性等，↗与基片的结合强度，在形状复杂的基片表面能形成厚度较均匀的薄膜等。∵不像电镀那样有废液产生，∴作为无公害涂膜法正在拓展其应用。基本原理与真空沉积法相同，将蒸发了的金属原子在等离子体中离子化后在基体上析出薄膜。通过输入反应性气体也能够析出陶瓷等化合物膜。与前者相比，作用气体P高，膜均匀性较好，与基体结合性也好。2.化学气相沉积法(CVD)A.CVD法原理：涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物or金属有机化合物等蒸汽为原料气相热分解反应，or≥2种单质or化合物的反应凝聚生成各种形态的材料。可制多种组成的材料：单质、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等CVD法的反应类型：热分解、化学合成(氢还原、氧化、水解、固相、置换)CVD法的分类：热CVD法、等离子体CVD法、光子增强CVD法、激光CVD法CVD的原料种类：卤化物、氢化物、有机金属化合物等B.CVD工艺流程与设备C.影响参数：反应体系成分、气体组成、P、T等D.CVD法的特点：10点p110以制备涂层为例，∵反应气体中不同物质间的化学反应和向基片的析出是同时发生的，机理是复杂的。气相扩散层气相反应物吸附的中间体气相副产物固相产物基体析出CVD涂层的模型图温度反应气体浓度距离

基片扩散层反应气体从混合气中析出CVD涂层的沉积过程可理解为由几个过程构成:原料气体向→基片表面扩散；原料气体吸附到→基片上；

进行表面反应析出颗粒在表面的扩散；产物从气相→分离；

从产物析出区向→块状固体的扩散。

图3-14CVD法所得产物的形态与T析出和过饱和度的关系用外延生长法生长的单晶板状单晶针状单晶树枝状多晶柱组织的多晶（一般具有较强的结晶取向）微粒多晶非晶质由均相成核产生的粉末

高析出温度低低过饱和度高热CVD膜的组织与析出温度的关系B.CVD工艺流程与基本装置尽管CVD种类不同，但工艺流程基本上相同。CVD设备大多可分为4部分：

室温下呈气态的原料从高压贮气瓶通过纯化装置直接输入CVD反应炉;液体or固体原料则需要使其在所规定的温度下蒸发or升华，并通过Ar、He、N2、H2等载气送入反应炉内;废气必须通过放有吸收剂的水浴瓶、收集器或特殊的处理装置后进行排放。(1)反应室;(2)加热系统;(3)气体控制系统

(4)排气系统。热壁型方式的CVD反应炉加热器反应室底材反应气体运载气体气化槽排气第三章材料的制备方法气体的混合气体的相互反应气体的输入方法气体的种类气体的浓度气体的流量分压、总压气体的流量（喘流、层流）中间体的生成分解、聚合扩散、气体吸附表面分压成核与生长底材的反应副产品气体的解吸作用底材的种类底材的表面状态底材的加热方法底材的温度温度的分布梯度原料气体

底材扩散层

图316CVD参数与基本反应过程

C．影响CVD的参数反应体系成分、气体组成、P、T等。用CVD法制作的材料特性不仅与相应的化学反应关系极大，而且即使初始物质相同，也会由于CVD条件的不同而发生显著的变化。图316表示用CVD法制作薄膜涂层时应该控制的CVD参数与CVD基本反应过程之间的关系。4.CVD法的特点1.可在远低于材料熔点的温度下进行材料的合成；10.能合成亚稳态物质和新材料的。2.对于由≥

2种元素构成的材料，可调整其组分；3.可控制晶体结构，还可使其沿特定的结晶方向排列；4.可控制材料的形态（粉末状、纤维状、块状）；5.不需要烧结助剂，可合成高纯度高密度的材料；6.结构控制一般m~亚m，某些条件下能达到Å级；7.能制成复杂形状的制品；8.绕镀性好，能对复杂形状的底材进行涂覆；9.能容易地进行多层涂覆；图317流化床气相聚合工艺示意图共聚单体从循环气体压缩机出口、冷却器进口之间引入反应器；引发剂加入循环管路的位置是在冷却器出口与反应器入口之间。为调节组成，循环气部分放空前需要经过单体冷凝及粉粒分离器。产品出料包括系统流化床料位测定、出料罐、吹送罐等。流化床是整个聚合过程的核心设备，包括：筒体、分布板和扩大段3部分。B.流化床反应器的基本原理

3.2.2液相法按制备时的反应状态、T等不同，又可分成：

第三章材料的制备方法1.熔融法

*2.溶液法：溶液聚合(均相和沉淀)和溶液缩聚。

*3.界面法：悬浮聚合、乳液聚合、界面缩聚*4.液相沉淀法：沉淀剂*5.溶胶-凝胶法*6.水热法：制备无机材料超细粉及晶体材料*7.喷雾法：溶剂蒸发法，盐溶液雾化成小液滴水分蒸发均匀的球状颗粒加热分解氧化物超细粉*8.溶液生长法：人工合成晶体的制备晶体原料做溶质---过饱和溶液—随着结晶过程