第二章光调制

其次章光辐射的调制调制的内容：是指变更光波振幅、强度、相位或频率、偏振等参数，使之携带信息的过程。调制的目的：光信息系统的信号加载与限制调制的方法：传统方法：调制盘（对光辐射强度进行调制）；现代方法：利用外场的微扰引起介质的非线性极化，从而变更介质的光学性质。在外场下利用光和介质的相互作用而实现对光辐射振幅频率、相位等参数的调制。3/2/202313/2/20232光辐射的现代调制方法：按调制是在光源内发生还是光源外进行分：内调制和外调制内调制：将欲传输的信号干脆加载于光源，以变更光源的输出特性来实现调制；例：对半导体激光器的驱动电源用调制信号干脆限制，实现对所放射激光强度的调制；又如：把调制元件放在谐振腔内，用欲传输的信号限制调制元件物理性质的变更而变更光腔参数，从而调制激光输出。3/2/20233外调制：在光源外的光路上放置调制器，将欲传输的信号加载于调制器，透过光的物理性质将发生变更，实现调制。电光调制声光调制磁光调制热光效应激光外调制体调制光波导调制光调制光调制：变更光强或频率光偏转：变更光的方向3/2/202342.1机械调制

常用方法:机电振子、旋转调光盘等用遮光或变更透过率方式作光通量的幅度调制。MtNMtN

缺点：难进行高频调制、体积较大等3/2/202352.2电光调制电光调制就是利用电光效应将电信号调制到传输的光载波上，进而实现光学限制。晶体的电光效应可实现对晶体中传播光波的调制，有相位调制、强度调制和脉冲调制等。在实际应用中，电光晶体总是沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的；电光效应在实际应用中通常有两种方式，即纵向与横向电光效应；3/2/20236一、电光效应晶体的折射率因外加电场而变更的现象称为电光效应。各向同性介质外加强电场双折射现象双折射现象双折射变更e光晶体的截面O光单色自然光3/2/20237通常材料的介电常量与外电场无关，但当外加电场较强时，介电常量便有微小的变更，从而引起折射率变更：、为常量线性电光效应，或Pockels效应（KDP、LiNbO3）二次电光效应，或Kerr效应（BaTiO3、硝基苯液体）、k由介质本身的性质确定，取决于晶体本身的结构和对称性。现在探讨线性电光效应3/2/20238在晶体的介电坐标系中，无外加电场时，描述晶体光学性质的折射率椭球方程为

其中下标1，2，3分别表示坐标x、y、z。当晶体施加随意电场时，晶体的折射率发生变更，可以把电场对晶体的这种作用归结为折射率椭球系数的变更。因此，当有电场存在时，折射率椭球在介电主轴座标系中的方程为其中是对称二阶张量

3/2/20239采用下标简化形式以表示，则的下标为

11，22，33，23(32)，31(13)，12(21)

1,2,3,4,5,6有6个独立的分量。无电场时，，于是3/2/202310施加电场时，折射率椭球系数的改变量与外加电场成正比，即

其中称为电光系数张量，共有18个元素，可表示为6

3的矩阵。

3/2/202311由于电光晶体的对称性使电光系数削减，具有对称中心的晶体，其电光系数都为零，故这种晶体不产生线性电光效应；在没有对称中心的21个点群中，有20个点群具有线性电光系数。常用的电光晶体的电光系数值，可查阅有关书籍和技术手册，当驾驭了电光系数后，可由上式解出对电场的依靠关系，最终代入折射率椭球方程式。3/2/202312

KDP晶体的线性电光效应常用的电光晶体是一些各向异性的光学晶体，如磷酸二氢钾，磷酸二氘钾，磷酸二氢氨，铌酸锂(记为)等。以下结合加以说明。

为单轴晶体，属立方晶系的点群。有，。Zxy光轴:晶体中有一个方向，光沿这个方向传播不发生双折射，这个方向叫做光轴。3/2/202313假如沿晶体光轴方向加电场，由于，而，可以得到在介电主轴坐标系中的折射率椭球方程为1.KDP的纵向电光效应纵向电光效应3/2/202314式中是电光系数的矩阵元。为消退上式中的交叉项，使得在新的折射率感应主轴坐标系下成为正椭圆，需进行图1所示的变换，即和（）（）绕轴逆时针旋转了45角。

图.沿KDP晶体光轴方向加电时，在垂直光轴的平面内折射率主轴发生旋转3/2/202315在新的感应折射率主轴座标系下，折射率椭球方程变为三个感应主轴的折射率分别为沿光轴加电场后，xoy截面由圆变为椭圆沿x’方向偏振的传播速度加大，沿y’方向偏振的传播速度减小。xyx’y’3/2/202316KDP晶体沿z轴加电场时，由单轴晶体变成了双轴晶体，折射率椭球的主轴绕z轴旋转了450角，此转角与外加电场的大小无关。3/2/2023172.KDP的横向电光效应若入射光方向与施加电场方向相垂直的电光效应称为横向电光效应。电场可以沿晶体的任一介电主轴（x、y或z轴）加于晶体。例如，电场沿z方向施加，光沿x轴方向入射，如图所示。Zx’y’V入射光的偏振方向垂直于入射偏振光调制光3/2/202318横向电光效应包含了自然双折射造成的相位差，易受温度影响。接受组合调制器进行补偿。因外加电场仍沿z轴，与纵向运用时一样，晶体的主轴x和y旋转45o。但此时通光方向与z垂直，且入射光偏振方向与z成45o，沿x’方向入射，进入晶体后将分解为沿y’和z方向振动的两个重量，Zx’y’V调制光3/2/202319二、电光相位延迟以外加电场平行于光轴的KDP晶体为例，一束线偏振光沿z轴方向入射晶体，且E矢量沿x方向，进入晶体后分解为沿x’和y’方向的两个垂直偏振重量。光波沿z方向传播距离l后，两偏振光之间的相位差为

完全由电光效应引起——电光相位延迟。3/2/202320电光相位延迟x’y’zEx’Ey’xyx’y’Oxyx’y’当光波的两个垂直重量的光程差为半个波长时（相位差为）所加的电压称为半波电压，bacdefghi3/2/202321进行纵向电光效应的试验装置如图所示，它由一对平行偏振器和一块晶体组成。1.纵向电光强度调制三、电光强度调制3/2/202322其中为检偏器的最大输出光强。的函数。时，光强有最大值当时，，出现消光现象。

明显，检偏器的输出光强是电压当可见出射光强随外加电压而变，假如把信号加在晶体上，输出光强就随信号而变，就为信号所调制。3/2/202323I输出V输入

下图画出了曲线的一部分以及光强调制的情形。由于调制器的工作点在透射曲线的非线性区，故输出光信号失真，光信号的频率为调制信号的两倍。为了获得线性调制，可引入一个固定的/2相位延迟，常在调制器的光路中插入一个/4波片。3/2/202324

I/I0-V曲线为使工作点选在曲线中点处，通常在调制晶体上外加直流偏压来完成。（插入1/4波片）3/2/202325由于检偏器的输出光强是晶体上电压的函数，只要将电信号加载到晶体上，那么就能用电信号调制光信号，故电光调制可以实现模拟信号和低频数字信号的光传输。

优点：结构简洁、工作稳定、不存在自然双折射的影响；缺点：半波电压太高，特殊在调制频率太高时，功耗较大。3/2/202326纵向调制＝1m，V=9.7kvzyx入射光V入射