光电子行业调查报告

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光电子行业查报告世社电30技着子)电第2页共18页

、光7类：发包括;光;光;光;光;光;光.。激光晶体年(Cr3+:Al2O3)脉冲后泵浦Nd:YAG第3页共18页

Yb:YAG晶((包)石于1965年20世70年Nd:YAG，Nd:YAG晶70mm~大寸Nd:YAG晶体Nd:YAG3代YAG中的YAG，HoNd:YAG是Nd:YAG单的离子0.104nm，Y3+的离晶Nd3+所Nd3+在钇铝石0.15~0.20差拉第4页共18页

Nd:60年(效其在1965年闪光下Yb:YAG年采用度下获得Yb:YAG在1029nm至年代求适于激离2F7/2态2F5/2，在分(2)Yb3+离900~1000nm第5页共18页

(泵(4)8.6%)，(5)在荧Nd3+离子的三倍YAG加孔以绿BeAl2O4)701~818纳米(纳()纳波长区域第6页共18页

具为2至倍和YAG2)等光为千母着高功的索泵绿(Cr3+:Be3Al2Si6O18)金晶高Cr3+激它年发现了Ti3+:Al2O3)宽第7页共18页

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首转μm红1Spicer-Sher-Chen的HgCdTe合金。，HZTTe角处进Sher第9页共18页

用于制作InP衬依然()因其结。为是一组Zn量不同，1092~1295℃变层γ射线晶材料分子第10页共页

已如联的迅型1968年(扭器(TN型年等用TN液晶材料已20~30mPa·S(20及△≈0.15的苯环值第11页共页

自1984年(STN-LCD)来年STN-产业，STN-LCD用混大K33/K11值和;清STN-LCD用液到120~130ms，STN-LCD性的STN-LCD中使用70%相应△nK33/K11才能K33/K11，于STN-LCD中，显的逐第12页共页

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较(电;与TFT相匹配eq\o\ac(△,()，值0.07~0.11在液晶显氰基环己烷管TFT中在LCD配方中用而STN-LCD将逐渐场产技TFT-LCD在全需求世高亮度发(LED)是采型半导材发光第14页共页

、InGaN料从(LED)问世世年年Ⅲ族GaAsP650nm。发0发(VPE)和液态法(和LED1lm/W，而围(565~940nm)应用年PE技术LED(为660和(制第15页共页

20lm/W。而研制的第三使色LED光效了和HewlettInGaAlP材年代中InGaNLEDs，色。LED和度的AlGaAs，LPE制与GaAs衬温MOVPE造自1995年的2000年其的围扩得新的应正比LED不能的性第16页共页

和InGaN。光中再LED。灯10cd发光强的5lm/W。LED的发光效(lm/W)提高年倍多的比2是1991年由美国公司Craford等人(LP-MOCVD)技术改作衬等，20lm/W，这LED的15lm/W，后40~50lm/W，。而LED可到10