高性能两个引脚同步整流芯片使用说明书

DK5V100R25S第页高性能两个引脚同步整流芯片产品概述DK5V100R25S是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二级管。DK5V100R25S采用SM-7封装(兼容TO-277封装)。主要特点适用于反激PSR、SSR应用超低VF超低温升集成100V25mΩ功率NMOS可工作于CCM、DCM&QR模式自供电技术，无需外围供电智能检测系统，无需前端同步信号对EMI/C有适当改善可以直接替换肖特基二极管无需任何外围典型应用USB充电器适配器LED驱动等引出端排列SM-7KA引出端功能管脚序号管脚名称描述1K应用时同二极管阴极2A应用时同二极管阳极电路结构方框图AAK驱动自供电系统智能检测智能控制C1CAPQ1NMOS极限参数项目符号最小值典型值最大值单位NMOS源漏耐压V(BR)DSS100VNMOS最大连续电流ID30ANMOS最大峰值电流IDS40ASM-7耗散功率PDMAX1W热阻（结到环境）RθJA76℃/W热阻（结到管壳）RθJC4℃/W工作结温范围TJ-25120℃储存温度范围TSTG-55155℃结温TJ-25150℃焊接温度260/5S℃电特性参数（TA=25℃除非有其他说明）描述符号测试条件最小值典型值最大值单位电源电压芯片启动电压①VCC_ON7.2V欠压保护阈值①VCC_OFF3.3V过压保护阈值①VOVP11V智能检测&控制NMOS开通电压VON-210-213-216mVNMOS开通延时TDON150nsNMOS关断延时TDOFF50nsNMOS最大开通时间TON_MAX2025μsNMOS最小开通时间TON_MIN166197222nsNMOS最小关断时间TOFF_MIN495596686ns死区时间②TD450ns最大工作频率FS_MAX150KHzNMOSNMOS导通电阻RDS_ON25mΩ备注：①．规格书中电压均以A点为参考点；②．同步整流芯片会依据K点波动自动调整死区时间；功能描述DK5V100R25S是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。启动芯片内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和NMOS管驱动需求，无需外接电源。当K极电压高于A极时，通过自供电线路，给内置VCC电容充电，VCC电压逐渐上升。在VCC电压低于启动电压VCC_ON时，内置NMOS管关闭，当VCC电压大于VCC_ON时，芯片内部控制电路开始工作，启动完成。当VCC电压降低到欠压保护阈值VCC_OFF以下时，芯片重启。NMOS控制当检测到A、K端正向导通电压大于开通电压VON时，则打开NMOS管；芯片实时检测K点电压变化，依据K点电压变化，判断系统工作模式。在CCM模式时，通过智能算法算出当前周期NMOS管开通时间TON，当NMOS管开通时间达到TON，关闭NMOS管。在非CCM模式时，当检测到流过功率MOS管的电流逐渐减小到0时。则关闭功率MOS管。RC吸收电路在启动、输出短路、输入电压过高,CCM模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止内置NMOS管过压击穿，可以在A和K之间接入RC吸收电路，以减小N点的尖峰电压。NMOS导通内阻由于NMOS管的本身存在的特性。在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低。可适当的增加散热面积，降低IC的工作温度。注意事项应用中需要测量同步芯片的耐压，确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片NMOS源漏耐压；应用中需要测量同步芯片的温度，评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。典型应用线路图正向整流反向整流封装外形及尺寸图SM-7SymbolDimensionsInMillimetersMinMaxA1.201.40A20.250.35b10.801.00b21.802.00D4.004.30D23.20NOME6.406.60e1.80NOME15.505.80E22.50NOML0.801.00L10.300.50L20.300.50编带及卷轴信息SymbolSPEC(mm)A04.30±0.10B06.80±0.10K01.40±0.10P04.00±0.10P18.00±0.10P22.00±0.10T0.25±0.05E1.75±0.10F7.50±0.10D01.50+0.1/-0D11.50+0.1/-0W16.00±0.30焊盘规范参考SymbolDimensionsInMillimetersC4.6E10.9X11.2X24.0Z7.2X1a3.0安徽省东科半导体有限公司注意：本产品为静电敏感元件，请注意防护！ESD损害的范围可以从细微的性能下降扩大到设备故障。精密集成电路可能更容易受到损害，因此可能导致元件参数不能满足公布的规格。注意：本产品为静电敏感元件，请注意防护！ESD损害的范围可以从细微的性能下降扩大到设备故障。精密集成电路可能更容易受到损害，因此可能导致元件参数不能满足公布的规格。感谢您使用本公司的产品，建议您在使用前仔细阅读本资料。安徽省东科半导体有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。安徽省东科半导体有限公司对任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任。安徽省东科半导体有限公司没有为用于特定目的产品提供使用和应用支持的义务。安徽省东科半导体有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利。任何半导体