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文档简介
2设某只CdS光敏电阻的最大功耗30m光电导灵敏度Sg= 0.510-6S/lx,暗电导g=0。试求当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V时的极限照度。0 在如下图的照明灯掌握电路中,将上题所给的CdS光敏电阻用作光电传感器,假设继电器绕组的电阻为5K ,继电器的吸合电流为2mA,电阻R 1K 。求为使继电器吸合所需要的照度。要使继电器在3lx时吸合,问应如何调整电阻器R?在如下图的电路中,Rb
820 ,Re
k,Uw
4V40lx6V,80lx9V。设该光敏电p阻在30~100lx之间的 值不变。试求:输出电压为8V假设Re
增加到6k ,输出电压仍旧为8V,求此时的照度。假设光敏面上的照度为70lx,求Re
3.3k 与Re
6k 时输出的电压。8V时的电压灵敏度。PN107Hz?的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于一样照度下的开路电压?率最大?〔1〕极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。在最正确负载电阻状况下负载可以Pmax光生伏特器件有几种偏置电路?各有什么特点?选择最适当的答案填入括号中〔只有一个答案正确〕〔15000r/min〕的转速时,最好选用APMT BCdS光敏电阻C2CR42D3DU假设要检测脉宽为107s的光脉冲,应选用〔A〕为光电变换器件。APIN型光电二极管 B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管 D2CR硅光电池11硅光电池在偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A恒流 B 自偏置 C 零伏偏置D反向偏置〔B〕状况下有最大的功率输出。A开路 B自偏置 C 零伏偏置 D反向偏置假设调制波是频率为500Hz,振幅为5V,初相位为0的正弦波,载波频率为10kHz,振幅为50V,求调幅波的表达式、带宽及调制度。利用2CU22光电二极管和3DG40三极管构成如以下图所示的探测电路。光电二极管的电流灵敏度Si=0.4A/ W,其暗电流I =0.2A,三极管3DG40的D电流放大倍数=50,最高入射辐射功率为400 W时的拐点电压UZ=1.0V。求入Re的值与输出信号Uo50W时的输出电压变换量为多少?利用2CU22光电二极管和3DG40三极管构成如图3-46所示的探测电路。光电二极管的电流灵敏度S 0.4A/ W,其暗电流Ii D0.2A3DG40的电流放大倍数 50,最高入射辐射功率为 400W时的拐点电压UZ
1.0V。求入射辐Re
U的o射变化50W时的输出电压变换量为多少?真空光电倍增管的倍增极有哪几种构造?各有什么特点?何谓光电倍增管的增益特性?光电倍增管各倍增极的放射系数δ主要的因素是什么?光电倍增管产生暗电流的缘由有哪些?如何降低暗电流?怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度?二者的区分是什么?二者有什么关系?光电倍增管GDB44F的阴极光照灵敏度为0.5μA/lm50A/lm,要求长期使用时阳极允许电流限制在2μA阴极面上允许的最大光通量。当阳极电阻为75K 时,最大的输出电压。假设该光电倍增管为12级的Cs实计算它的供电电压。
Sb倍增极,其倍增系数3
)0.7,DD当要求输出信号的稳定度为1%时,求高压电源电压的稳定度。为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区?这与电子、空穴的迁移率有关吗?17为什么发光二极管必需在正向电压下才能发光?反向偏置的发光二极管能发光吗?产生激光的三个必要条件是什么?粒子数反转分布的条件是什么?为什么LD必需有谐振腔?半导体激光器有什么特点?LD与LED发光机理的根本区分是什么?为什么LD光
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