半导体芯片制造中级复习题A

半导体芯片制造中级工复习题一判断题：1.单晶是原子或离子沿着三个不同样的方向按必定的周期有规则的摆列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。(√)迁徙率是反应半导体中载流子导电能力的重要参数。混杂半导体的电导率一方面取决于混杂的浓度，另一方面取决于迁徙率的大小。相同的混杂浓度，载流子的迁徙率越大，资料的电导率就越高。(√)点缺点，如空位、空隙原子、反位缺点、替位缺点，和由它们组成的复合体。(√)位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子走开规则的周期摆列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺点称为位错。(√)抛光片的电学参数包含电阻率，载流子浓度，迁徙率，直径、厚度、主参照面等。(×)6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。(√)离子源是产生离子的装置。（√）半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（×）光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不行溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（√）设施、试剂、气瓶等全部物件不需经严格洁净办理，可直接进入净化区。（×）11.干法腐化洁净、洁净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（√）12.光刻工艺要求掩膜国土形黑白地区之间的反差要低。（×）在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。所以要使它们起着预约的作用而不相互影响，就一定使它们在电性能上相互绝缘。（√）金属剥离工艺是以拥有必定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，此后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一同去除洁净。（√）表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与四周氛围间隔。（√）二选择题1.以下资料属于N型半导体是AC。A硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)B．硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te)D．砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁属于绝缘体的正确答案是B。1A金属、石墨、人体、大地B橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C硅、锗、砷化镓、磷化铟D各样酸、碱、盐的水溶液（A）10、说明组成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫：A、逻辑设计B、物理设计C、电路设计D、系统设计（D）11、腐化二氧化硅的水溶液一般是用A、盐酸B、硫酸C、硝酸D、氢氟酸D）12、以下晶体管构造中，在晶体管输出电流很大经常使用的是：A、单基极条图形B、双基极条图形C、基极和集电极引线孔都是马蹄形构造D、梳状构造3.位错的形成原由是C。A位错就是由弹性形变造成的B位错就是由重力造成的C位错就是由范性形变造成的D以上答案都不对硅外延生长工艺包含ABCD。A衬底制备B原位HCl腐化C生长温度，生长压力，生长速度D尾气的办理硅外延片的应用包含ABCD。A二极管和三极管B电力电子器件；C大规模集成电路D超大规模集成电路6.离子注入层的深度主要取决于离子注入的A。A能量B剂量7.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的B。A能量B剂量（D）16、从离子源引出的是：A、原子束B、分子束C、中子束D、离子束（B）17、恒定表面源扩散的杂质散布在数学上称为何散布？A、高斯函数B、余偏差函数C、指数函数D、线性函数A）18、在温度相同的状况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不可以确立哪个使用的时间长（D）19、以下说法错误的选项是：A、扩散是微观离子的一种热运动方式，运动结果使浓度散布趋于平均B、空隙式杂质从一个空隙到相邻地点的运动为空隙式扩散C、以空隙形式存在于硅中的杂质，主假如那些半径较小的杂质原子Ⅰ号液是A过氧化氢冲刷液.2A碱性B酸性C中性9.二氧化硅在扩散时能对杂质起掩盖作用进行C扩散。A预B再C.选择介质间隔是以绝缘性能优秀的电介质作为“间隔墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种间隔方法。常用的电介质是C层。A多晶硅B氮化硅C二氧化硅光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐化的特点在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺AA刻制图形B.绘制图形C制作图形将早先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照耀来进行曝光的方法，称为A曝光。A接触B凑近式C投影13.按蒸起源加热方法的不同样，真空蒸发工艺可分为：A蒸发、B蒸发、离子束蒸发等。A电阻加热B电子束C蒸气原子14.单相3线插座接线有严格规定AA“左零”“右火”B“左火”“右零”15.人们规定：A电压为安全电压.A36伏以下B50伏以下C24伏以下三填空题：1、在扩散以前在硅表面先聚积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质增补，这类扩散方式称为：恒定表面源扩散2、对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：逻辑单元符号库、和功能单元库、拓扑单元库、国土单元库。、在一个晶圆上散布着好多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫划片槽。4、大容量可编程逻辑器件分为复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列。5、全定制、半定制国土设计中用到的单元库包含符号图、抽象图、线路图和国土。36、半导体资料有两种载流子参加导电，拥有两种导电种类。一种是电子，另一种是空穴。7、半导体资料可依据其性能、晶体构造、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是依据其化学组成可分为元素半导体、化合物半导体、固溶半导体三大类。8、半导体资料的主要晶体构造有金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型。9、抛光片的质量检测项目包含：几何参数，直径、厚度、主参照面、副参照面、平展度、波折度等；电学参数，电阻率，载流子浓度，迁徙率等；晶体质量，晶向，位错密度。10、外延生长方法比好多，此中主要的有化学气相外延、液相外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、原子束外延、固相外延等。11、离子注入是借其动能强前进入靶资猜中的一个非平衡物理过程。12、半导体中的离子注入混杂是把混杂剂离子加快到的需要的能量，直接注入到半导体晶片中，并经合适温度的退火办理。13、空气中的一个小灰尘将影响整个芯片的完好性、成品率，并影响其电学性能和靠谱性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。14、在白光照耀二氧化硅时，不同样的厚度有不同样的干预色。15、在半导体工艺中，硫酸常用于去除光刻胶和配制洗液等。16、化学冲刷中是利用硝酸的强酸性和强氧化性将吸附在硅片表面的杂质除掉。17、用肉眼或显微镜可察看二氧化硅的以下质量：颜色能否平均、构造能否致密；表面无斑点、无白雾、不发花；表面无裂纹、无针孔。18、腐化V形槽一般采纳各向异性的湿法化学腐化方法.19、光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐化、去胶等步骤。20、工艺人员达成工艺操作后要仔细、实时填写工艺记录，做到记录内容详尽、真切、完好、书写工整、数据正确。四综合题衬底冲刷过程包含哪几个步骤？有什么作用？答：（1）擦洗表面的大块污物；（2）浸泡；（3）化学腐化；（4）水冲刷；（5）干燥。作用：（略）什么是离子？答：原子（原子团）、分子（分子团）失掉或获取电子后所形成的带电粒子称为离子4操作人员的质量职责是什么？答：操作人员的质量职责是：（1）按规定接受培训核查，以达到所要求的技术、能力和知识；（2）严格按工艺规范和工艺文件进行操作，对工艺质量负责；（3）按规定填写质量记录，对其正确性、完好性负责；（4）做好所使用的仪器、设施、工具的平时保护养护工作；（6）对违章作业造成的质量事故负直接责任。为何说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？答：半导体芯片制造，特别是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获取细线条、高精度、大面积的图形，各样形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和靠谱性。生产中的污染，除了因为化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不好引入以外，环境中的灰尘、杂质及有害气体、工作人员、设施、工具、日用杂品等引入的灰尘、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染根源。比方，PN结表面污染上灰尘、皮屑、油脂等将惹起反向漏电或表面沟道，手汗惹起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至致使晶体管电流放大系数不牢固，空气中灰尘的沾污将惹起器件性能降落，致使无效；光刻涂胶后灰尘的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗粒灰尘附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的灰尘将惹起局部混杂和迅速扩散，使结特点变坏。所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。5、关于大尺寸的MOS管国土设计，合适采纳什么样的国土构造？简述原由。答：(1)S管的国土一般采纳并联晶体管构造。采纳并联晶体管构造后，可共用源区和漏区，使得在相同宽长比的状况下，漏区和源区的面积被减小，并所以使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提升电路的动向性能很有利处。寸器件在国土设计时还采纳折叠的方式减小一维方向上的尺寸。因为器件的尺寸大，即叉指的个数好多，假如采纳简单并列的方式，将因为叉指到信号引入点的距离不同样惹起信号强度的差别。同时，因为在一维方向上的工艺失散性，也将致使最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和构造上产生失配。5、集成电路封装有哪些作用？答：(1)机械支撑和机械保护作用。传输信号和分派电源的作用。热耗散的作用。环境保护的作用。7、什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？答：光刻是一种图形复印和化学腐化相联合的精巧表面加工技术。对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完好、尺寸正确、边沿齐整、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐化洁净；图形套合十分正确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片