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文档简介

1.P型半导体霍耳效应的形成过程

一、P型半导体霍尔效应

§4-5 半导体的霍尔效应BzdbVHIlBAzyx○+_fεxfLfεy电场力：fε=qεx

磁场力：fL=qVxBz

y方向的电场强度为：εy

平衡后：

fεxfLqεy

令：

（RH）P为P型材料的霍尔系数。两种载流子同时存在霍尔效应？有四种横向电流分量：二、两种载流子同时存在时的霍尔效应1/TRH(－)1/TRH(+)(+)(－)(－)(2)p型半导体

1/TRH(－)(－)(3)N型半导体

四、霍尔效应的应用1．判别极性，测半导体材料的参数2．霍尔器件

3．探测器

§4.6半导体的磁阻效应

由于磁场的存在引起电阻的增加，称这种效应为磁阻效应。一、磁阻效应的类型

按电磁场的关系分纵向磁阻效应：B//，磁阻变化小，不产生VH

横向磁阻效应：

B，磁阻变化明显，产生VH

按机理分：

由于电阻率变化引起的R变化—物理磁阻效应由于几何尺寸l/s的变化引起的R变化—几何磁阻效应

磁阻的大小：

或二、物理磁阻效应

1．一种载流子

P型：电场加在x方向，磁场在z方向

达到稳定时：εxvxlfqεyV＜VxV＞VxV<Vx的空穴：

运动偏向霍尔场作用的方向V>Vx的空穴：偏向磁场力作用的方向2．同时考虑两种载流子

Bz=0、=x

时，电子逆电场方向运动，形成电场方向电流Jn

空穴沿电场方向运动，形成电场方向电流Jp

总电流：J0=Jn+Jp

–+JJpJn(a)JnJp+++–––εy(b)J+–Bz此种磁阻效应表示为：为横向磁阻系数

RHo为弱磁场时的霍尔系数三、几何磁阻效应1．长条样品

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