无机材料科学基础题库

选择题NaCl型结构中，Cl-按立方最紧密方式堆积，Na+充填于（B）之中。A、全部四面体空隙 B、全部八面体空隙 C、1/2四面体空隙 D、1/2八面体空隙在析晶过程中，若T较大，则获得的晶粒为（A）A、数目多而尺寸小的细晶B、数目少而尺寸大的粗晶 C、数目多且尺寸大的粗晶。、数目少且尺寸小的细晶在熔体中加入网络变性体会使得熔体的析晶能力（c）：a.不变b.减弱 c.增大在烧结过程的传质方式中，不会使坯体致密的是（a）a.扩散传质b.溶解-沉淀传质 c.蒸发-凝聚传质 d.流动传质过冷度愈大，临界晶核半径（c）相应的相变（e）a.不变b.愈大c.愈小d.愈难进行e.愈易进行f.不受影响从防止二次再结晶的角度考虑，起始粒径必须（c）a.细b.粗c.细而均匀 d.粗但均匀根据晶界两边原子排列的连贯性来划分，在多晶体材料中主要是（B）入、共格晶界8、非共格晶界 命半共格晶界玻璃结构参数中的Z一般是已知的，请问硼酸盐玻璃的Z=（B）A、2 B、3 C、4 D、5石英晶体结构属于（d）a.岛状结构b.链状结构 c.层状结构 d.架状结构在离子型化合物中，晶粒内部扩散系数"，晶界区域扩散系数Dg和表面区域扩散系数。三者中（C）最大sA、Db B、Dg C、Ds系统CaO+Si?r2CaOSiO+CaOSiQ+3CaO2SiQ中的独立组分数为（d）a.5 b.4 c.3 d.2熔体系统中组成越简单，则熔体析晶（B）A、不受影响 B、越容易 C、越难过冷度越大，相应的成核位垒（b）,临界晶核半径（b）,析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不变下列选项中不属于马氏体相变的特征的是（B）A、相变后存在习性平面 B、属扩散型相变 C、新相与母相间有严格的取向关系D、在一个温度范围内进行 E、速度很快颗粒不同部位的空位浓度存在差异，下列区域中（b）处的空位浓度最大A、晶粒内部 B、颈部表面张应力区 C、受压应力的颗粒接触中心塑性泥团中颗粒之间最主要的吸力为（B）A、范德华力 B、毛细管力 C、局部边-面静电引力CaTiO3（钛酸钙）型结构中，Ca2+和02-共同组成立方紧密堆积，Ca2+占据立方面心的角顶位置，02-占据立方面心的面心位置，Ti4+充填于（d）之间。a.全部八面体空隙b.1/8四面体空隙c.1/2八面体空隙d.1/4八面体空隙在下列几类晶体中，形成间隙型固溶体的难易次序（由易到难）是（B）。A、NaCl>TiO2>CaF2 B>CaF2>TiO2>NaCl C>CaF2>NaCl>TiO2一晶面在三晶轴上的截距分别为3a，3b，2c，该晶面的晶面指数为（d）(332)b.(112)c.(321)d.(223)从防止二次再结晶的角度考虑，起始原料的粒径应当（a）a.细而均匀 b.粗而均匀 c.细而不均匀 d.粗而不均匀下列质点迁移微观机构中，（B）最适用于置换型固溶体的扩散。A、易位机构 B、空位机构 C、亚间隙机构D、间隙机构在晶粒生长过程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移动b.背离凸面曲率中心移动 c.不移动当O/Si比趋近于2时，LiO-SiO、NaO-SiO、KO-SiO三种熔体的粘度大小TOC\o"1-5"\h\z2 2 2 2 2 2次序为（a）a.LiO-SiO<NaO-SiO<KO-SiOb.KO-SiO<NaO-SiO<LiO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2c.LiO-SiO<KO-SiO<NaO-SiOd.NaO-SiO<LiO-SiO<KO-SiO2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2划分单位平行六面体时，在满足对称性关系之后应考虑（B）A、体积最小 B、棱间直角关系最多 C、结点间距最小根据开尔文方程，固体颗粒越小，其熔化温度（A）A、越低 B、越高 C、不变若有一个变价金属氧化物XO,在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为X：O=1.1：1，则其化学式应为（c）a.X11O b.XO。”c.XO091 d.XO^KO.AlO.4SiO-SiO系统的独立组分数为（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1一晶面的晶面指数为（220），则其与c轴的关系为（B）A、垂直 B、平行 C、相交（非90°）若有n个等大球体作最紧密堆积，就必有（a）个八面体空隙。a.b.2n个c.3na.b.2n个c.3n个d.4n个30.烧结过程中，30.烧结过程中，只改变气孔形状不引起坯体致密化的传质方式是（C）A、扩散传质B、流动传质A、扩散传质B、流动传质C、蒸发-凝聚传质D、溶解-沉淀传质31.当31.当0/Si比趋近于4时，Li0-Si02、Na20-Si02、K20-Si02三种熔体的粘度大小次序为（）a.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02次序为（）a.Li0-Si0<Na0-Si0<K0-Si02 2 2 2 2 2b.K20-Si02<Na20-Si0<Li0-Si0c.Li0-Si0<K0-Si0<Na0-Si02 2 2 2 2 2d.Na20-Si02<Li20-Si02<K20-Si0232.右图为具有L22P对称的一个平面点阵，现要选取平面点阵的基本单位，图中给出了六种可能的划分方此L22P式，22 2若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取，被排的有（def）a.b.2c.d.4e.5f.633.下列选项中不属于晶体的基本性质的是（B）A、最小内能性B、各向同性C、A、最小内能性B、各向同性C、对称性D、自限性34.根据开尔文方程，固体颗粒越小，其溶解度（a）a.越小b.越大c.a.越小b.越大c.不变若有一个变价金属氧化物XO,在氧化气氛下形成阳离子空位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为X：0=1：1.1,则其化学式应为（）a.X011b.X°a.X011b.X°900c.X0.910d.X110从工艺的角度考虑，下列选项中不是造成二次再结晶的原因的是（B）A、原始粒度不均匀 B、A、原始粒度不均匀 B、烧结温度过低C、烧结速率太快D、坯体成型压力不均匀37、二元化合物AmBn若正离子的配位数为6，负离子的配位数为（B）A、m/nB、6m/nA、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m38、下列矿物中，属于架状结构的是（A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]2A、Mg2[SiO4]B、CaMg[SiO]22 411C、Be3Al2[Si6O18]D、Ca[Al2Si2O8]39、在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为A、1/6B、A、1/6B、 -1/6C、1/4D、 -1/440、在1850°C，15mol%CaO的添加到ZrO2中，形成的固溶体的化学式为（C）A、ZrA、Zr0.925Ca0.15O2B、Z%85C%3O2C、Zr0.85Ca°.15O1.8541、2NaO・CaO・AlO・2SiO的玻璃中，结构参数Y(C2 23 2A、2.25B、2.5C、3D、3.5A、2.25B、2.5C、3D、3.542、O2-在UO2晶体中的扩散机制为（B）A、空位BA、空位B、间隙C、易位43、刃位错位错线与柏格斯矢量关系（B）A、平行BA、平行B、垂直C、相交44、离子晶体中的空位扩散，扩散活化能随材料的熔点升高A、增加B、减小C、不变45、为提高陶瓷坯釉的附着力，应降低（A、C）A、SLA、SLB、SVC、LV46、P42晶系属于（A、三方B、A、三方B、四方C、立方D、正交47、Pm3m晶系属于（C）A、三方B、四方C、立方D、正交下列晶体结构缺陷中缺陷浓度主要受气氛分压影响的是（C）入、肖特基缺陷B、入、肖特基缺陷B、弗伦克尔缺陷C、非化学计量化合物 d.固溶体下列质点迁移微观机构中，（b）最适用于置换型固溶体的扩散间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构化合物 d.固溶体下列质点迁移微观机构中，（b）最适用于置换型固溶体的扩散间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构右图为具有L44P对称的一个平面点阵，现要选取此平面点阵的基本单位，图中给出了六种可能的划分方式，若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取，不被排除的有（d,e）a.1 b.2 c.3 d.4在晶粒生长过程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移动b.背离凸面曲率中心移动KO.AlO.4SiO-SiO系统的独立组分数为（C）2 23 2 2A、4 B、3 C、2d.易位机构L44Pe.5 f.6c.不移动D、1在析晶过程中，若AT较大，则获得的晶粒为（a）a.数目多而尺寸小的细晶b.数目少而尺寸大的粗晶c.数目多且尺寸大的粗晶d.数目少且尺寸小的细晶目前常用Ygb晶界能和Ysv表面能之比值来衡量烧结的难易，若材料Ygb/Ysv越大，则（a）a.愈容易烧结b.对烧结无影响 c.愈难烧结伯格斯矢量与位错线垂直的位错称为（b）a.螺型位错刃型位错a.螺型位错刃型位错混合位错在熔体中加入网络变性体会使得熔体的析晶能力（c）：a.不变b.减弱 c.增大塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为（c）a.范德华力 b.静电引力 c.毛细管力在7个晶系中，晶体几何常数为：a=b=c,a=8=Y^90°的是（c）a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系NaCl型结构中，Cl-按立方最紧密方式堆积，Na+充填于（b）之中a.全部四面体空隙b.全部八面体空隙 c.1/2四面体空隙 d.1/2八面体空隙下列质点迁移微观机构中，（a）最适用于间隙型固溶体的扩散a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构 d.易位机构划分单位平行六面体时，在满足对称性关系之后应考虑（b）a.体积最小b.棱间直角关系最多c.结点间距最小在烧结过程中，只改变气孔形状不引起坯体收缩的传质方式是（c）a.扩散传质 b.溶解一沉淀传质c.蒸发一凝聚传质d.流动传质过冷度越大，相应的成核位垒（b），临界晶核半径（b），析晶能力（a）a.越大 b.越小 c.不变在离子型化合物中晶粒内部扩散系数Db，晶界区域扩散系数Dg和表面区域扩散系数Ds之间的关系应为（b）。a.Db>D>D b.D>D>Db c.D>D>q均匀成核与非均匀成核相比（b）更容易进行？a.均匀成核 b.非均匀成核 c.二者一样在晶体中形成空位的同时乂产生间隙原子，这样的缺陷称为（b）a.肖特基缺陷 b.弗伦克尔缺陷 c.间隙缺陷在质点迁移的空位机构中，当温度较高时以（b）为主a.非本征扩散 b.本征扩散 c.非化学计量空位扩散过冷度愈大，临界晶核半径（c）相应地相变（e）a.不变b.愈大c.愈小d.愈难进行e.愈易进行 f.不受影响若有一个变价金属氧化物XO,在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为X：0=1.2：1,则其化学式应为（b）a.X12O b.X0083 c.X009i d.XO12立方结构的（112）与（113）晶面同属于（a ）晶带轴。a.[110] b.[111] c.[211]下列关于电动电位的描述错误的是（b）由一价阳离子饱和的粘土其Z-电位大于由三价阳离子饱和的同种粘土对于同价阳离子饱和的粘土而言，随着离子半径增大Z-电位增大由同种阳离子饱和的粘土，随着离子浓度增大Z-电位减小菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即扩散物质的浓度不随（b）变化。a.距离 b.时间 c.温度划分单位平行六面体时，在满足对称性关系之后应考虑（b）a.体积最小 b.棱间直角关系最多 c.结点间距最

在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质的变化是：非桥氧百分数（b），熔体粘度（a），熔体析晶倾向（b）a.增大 b.减小 c.不变下列质点迁移微观机构中，（b）最适用于置换型固溶体的扩散a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构晶核生长速率u与温度的关系为（C）A、随温度的升高而增大 B、随温度的升高而减小C、随温度的升高先增大后减小 D、随温度的升高先减小后增大在烧结过程中不会引起坯体致密化的传质方式是（d）a.溶解-沉淀传质 b.扩散传质 c.流动传质 d.蒸发-凝聚传晶体结构中所存在的一切对称要素的集合称为（c）L44Pd.平要选能的一条a.L44Pd.平要选能的一条右图为具有L44P对称的一个平面点阵，现取此平面点阵的基本单位，图中给出了六种可划分方式，若根据划分平行六面体的原则中第进行选取，不被排除的有（a,b）a.1 a.1 b.2 c.3 d.4 e.5f.6同价阳离子饱和的粘土，其Z-电位随着离子半径增大而（b）a.增大 b.减小 c.不变Si:O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为（d）a.岛状b.链状c.层状d.架状玻璃结构参数中的z一般是已知的，其中硼酸盐玻璃的z=（b）a.2 b.3 c.4 d.5在晶粒生长过程中晶界（c）a.不移动b.背离凸面曲率中心移动 c.向凸面曲率中心移动塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为（c）a.范德华力 b.静电引力 c.毛细管力在晶核形成过程中，临界晶核半径愈大，则相变（c）a.愈易进行 b.不受影响c.愈难进行NaO.AlO.4SiO-SiO系统的独立组分数为（c）2 23 2 2a.4 b.3 c.2 d.1立方晶体中的［001］方向是（b）a. 二次对称轴 b.四次对称轴 c.六次对称轴粘土颗粒周围存在附着定向的水分子层和水化阳离子，这部分水称为（b）a.结构水 b.结合水 c.自由水宏观晶体中所有对称要素的集合称为（a）a.空间群 b.平移群 c.点群在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为（c）a.原子互换机制 b.间隙机制 c.空位机制a-石英与a-方石英之间的晶型转变属于（a）a.重建型相变 b.位移型相变c.扩散型相变1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A:共价键向离子键 B:离子键向共价键C:金属键向共价键 D:键金属向离子键2、 离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子TOC\o"1-5"\h\z配位数（ ）。A:增大，降低 B:减小，降低C:减小，增大 D:增大，增大3、 氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。A:5 B:6C:4 D:34、 NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。A:全部四面体 B:全部八面体C:1/2四面体 D:1/2八面体5、 CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。A:全部四面体 B:全部八面体C:全部立方体 D:1/2八面体6、 MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。A:2 B:4C:6 D:87、 萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。A:八面体空隙的半数 B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙 D:全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8,ClA:2B:4C:6D:89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8,Cl-的配位数为（D）。A:2B:410、C:6D:8硅酸盐晶体的分类原则是（B）。A:正负离子的个数B:结构中的硅氧比C:化学组成C:化学组成D:离子半径11、锆英石11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代这种现象称为（C）。A:同质多晶B:有序一无序转变A:同质多晶B:有序一无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构14、C:链状结构D:架状结构对沸石、萤石、Mg。三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为A）。A:沸石〉萤石A:沸石〉萤石＞MgOB:沸石＞MgO＞萤石C:萤石〉沸石C:萤石〉沸石＞MgOD:萤石＞MgO＞沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。15、A:2 B:4C:6 D:816、 构成硅酸盐晶体的基本结构单元［SiO4］四面体，两个相邻的［SiO4］四面体之间只能（A）连接。A:共顶 B:共面C:共棱 D:A+B+C17、 点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。A：弗仑克尔缺陷 8：肖特基缺陷C：杂质缺陷 D：A+B18、 位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移 B:攀移C:增值 D:减少19、 对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:负离子空位 B:间隙正离子C:间隙负离子 D:A或B20、 对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:正离子空位 B:间隙负离子C:负离子空位 D:A或B21、 形成固溶体后对晶体的性质将产生影响，主要表现为（D）。A:稳定晶格 B:活化晶格C:固溶强化 D:A+B+C22、 固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件D:结构相同不是形成固溶体的条件23、 缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。

C:面缺陷 D:A+B+C24、 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。A:热缺陷 B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷 D:A+B+C25、 晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。A:线性增加 B:呈指数规律增加C:无规律 D:线性减少26、 间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成A:杂质质点大小C:电价因素A:杂质质点大小C:电价因素27、位错的滑移是指位错在（A形变。A:外力C:化学力B:晶体（基质）结构D:A+B+C）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久B:热应力D:结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A ），其符号表示为（ ）。A:刃位错；上B:刃位错；VXC:螺位错；D:刃位错;29、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现31、 位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。A:位错不一定是直线 B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部 D:位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移乂可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移乂可滑移D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、 硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。A:组成 B:温度C:时间 D:A+B+C34、 当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。A:降低；增加 B:不变；降低C:增加；降低 D:增加；不变35、 当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。A: 降低；增加 B: 不变；降低C: 增加；降低 D: 增加；不变36、 硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（ B），随温度下降而（ ）。A:增大，降低 B:降低，增大C:增大，增大 D:降低，降低37、 由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。A:极性共价键 B:离子键C:共价键 D:金属键TOC\o"1-5"\h\z38、 Na2O・Al2O3*4SiO2熔体的桥氧数为（ D）。A:1 B:2C:3 D:439、 Na2O・CaO・Al2O3・SiO2玻璃的桥氧数为（B）。A:2.5 B:3C:3.5 D:440、 如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。A:加和效应 B:混合碱效应C:中和效应 D:交叉效应41、 对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）。A:降低 B:升高C:不变 D:A或B42、 熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（ A）。A: 降低 B: 升高C:不变 D: A或B43、 由熔融态向玻璃态转变的过程是（C ）的过程。A:可逆与突变 B:不可逆与渐变C:可逆与渐变 D:不可逆与突变44、 当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。A:突变性 B:不变性C:连续性 D:A或B45、 熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、 不同氧化物的熔点孔和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一 B:三分之二C:四分之一D:C:四分之一47、 可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三丁曲线前端即鼻尖对应析出10-6体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。A:愈困难 B:愈容易C:质量愈好 D:质量愈差48、 不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易 B:越容易C:质量愈好 D:质量愈差49、 当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。A:低聚合 B:不聚合C:高聚合 D:A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。A:增大；不变 B:降低；增大C:不变；降低 D:增大；降低50、 对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。A:较高 B:较低C:相同 D:A或C51、 由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。A:表面收缩 B:表面弛豫C:表面滑移 D:表面扩张52、 固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。A:小于 B:大于C:小于等于 D:等于53、 重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A）。A:不同；相同 B:相同；相同C:相同；不同 D:不同；不同54、 粘附剂与被粘附体间相溶性（C），粘附界面的强度（）。A:越差；越牢固 B:越好；越差C:越好；越牢固 D:越好；不变55、 离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。A:收缩 B:弛豫C:双电层 D:B+C56、 表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（A）。A:越长；越低B:越长；越高A:越长；越低C:越短；越低D:C:越短；越低57、 界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D）的特性。A:会引起界面吸附 B:界面上原子扩散速度较快C:对位错运动有阻碍作用 D:A+B+C58、 只要液体对固体的粘附功（B）液体的内聚功，液体即可在固体表面自发展开。A:小于A:小于C:小于等于59、 当液体对固体的润湿角9<90°时体与固体之间的润湿（C）。A:更难C:更易60、 当液体对固体的润湿角9>90°时液体与固体之间的润湿（A）。A:更难C:更易B:大于D:等于即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液B:不变D:A或B即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，B:不变D:A或B61、粘附功数值的大小，标志着固-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值（B），固-液两相互相结合（）；相反，粘附功越小，则越易分离。A:越大；越松散 B:越大；越牢固C:越小；越牢固 D:越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固"气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力（B）。A:降低 B:升高

C:保持不变C:保持不变D:有时升高，有时降低63、对于附着润湿而言，附着功表示为W=Y+Y-y，根据这一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。A:尽量采用化学组成相近的两相系统B:尽量采用化学组成不同的两相系统C:采用在高温时不发生固相反应的两相系统D:前三种方法都不行64、 将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，则外加组分在表面层的浓度（C）体积内部的浓度。A:等于 B:大于C:小于 D:A或B65、 表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（A），断裂强度）。A:越长；越低A:越长；越低B:越长；越高C:越短；越低C:越短；越低D:越长；不变66、吸附膜使固体表面张力（B）。66、吸附膜使固体表面张力（B）。B:减小A:B:减小C:不变D:A或C:不变粗糙度对液固相润湿性能的影响是：CA:固体表面越粗糙越易被润湿B:A:固体表面越粗糙越易被润湿B:固体表面越粗糙越不易被润湿C:不一定D:粗糙度对润湿性能无影响68、 下列关于晶界的说法哪种是错误的。AA:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B:晶界上原子的堆积较晶体内部疏松C:晶界是原子、空位快速扩散的主要通道D:晶界易受腐蚀69、 相平衡是指在多相体系中，物质在各相间分布的平衡。相平衡时，各相的组成及数量均不会随时间而改变，是（C）。A:绝对平衡 B:静态平衡C:动态平衡 D:暂时平衡70、 二元凝聚系统平衡共存的相数最多为3,而最大的自由度数为（A）。A:2 B:3C:4 D:571、热分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根据系统在冷却过程中温度随时间的变化情况来判断系统中是否发生了相变化，该方法的特点是（D）。A:简便A:简便C:能确定相变前后的物相72、 淬冷法是相平衡的研究的动态方法，A:准确度高C:适用于相变速度快的系统73、 可逆多晶转变是一种同质多晶现象，A:低于C:等于B:测得相变温度仅是一个近似值D:A+B其特点是（D）。B:适用于相变速度慢的系统D:A+B多晶转变温度（A）两种晶型的熔点。B:高于D:A或B74、 不可逆多晶转变的多晶转变温度（B种晶型的熔点。A:低于 B:高于C:等于 D:A或B75、 在热力学上，每一个稳定相有一个稳定存在的温度范围，超过这个范围就变成介稳相。在一定温度下，稳定相具有（C）的蒸汽压。A:最高 B:与介稳相相等C:最低 D:A或B76、 多晶转变中存在阶段转变定律，系统由介稳状态转变为稳定态不是直接完成的，而是依次经过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳定状态。最终存在的晶相由（D）决定。A:转变速度 B:冷却速度C:成型速度 D:A与B77、 二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为（C）。A:3 B:2C:1 D:078、 根据杠杠规则，在二元凝聚系统的相图中，如果一个总质量为M的相分解为质量^和G/勺两个相，则生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段（B。A:成正比 B:成反比C:相等 D:A或C79、 三元相图中，相界线上的自由度为（C）。A:3 B:2D:0C:D:080、 固体中质点的扩散特点为：（D）。A:需要较高温度 B:各向同性C:各向异性 D:A+C81、 在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为（ C）。A：互扩散 B：无序扩散C：非本征扩散 D：本征扩散82、 固体中质点的扩散特点为：DA:需要较高温度 B:各向同性C:各向异性 D:A+C83、 扩散之所以能进行，在本质上是由于体系内存在（A）。A:化学位梯度 B:浓度梯度C:温度梯度 D:压力梯度84、 固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大影响。则H、C、Cr在Y-Fe中扩散的活化能的大小顺序为（B）。A:QH>QC>QCr B:QCr>QC>QhC:QC>QH>QCr D:Q/Qh>Qc85、 晶体的表面扩散系数D、界面扩散系数。和体积扩散系数Db之间存在（A）的关系。 ’ g "A:D>D>D B:D<D<Dsgb bgsC:D>D>Db D:D<D<Db86、 在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分别称为（B）。A:自扩散和互扩散 B:本征扩散和非本征扩散C:无序扩散和有序扩散 D:稳定扩散和不稳定扩散87、 稳定扩散（稳态扩散）是指在垂直扩散方向的任一平面上，单位时间内通过该平面单位面积的粒子数（B）。A:随时间而变化 B:不随时间而变化C:随位置而变化 D:A或B88、 不稳定扩散（不稳态扩散）是指扩散物质在扩散介质中浓度随（A）。A:随时间和位置而变化 B:不随时间和位置而变化C:只随位置而变化 D:只随时间而变化89、 菲克（Fick）第一定律指出，扩散通量与浓度梯度成正比，扩散方向与浓度梯度方向（C）。A:相同 B:无关C:相反D:C:相反90、由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（C）。A:易位扩散二间隙扩散＞空位扩散C:易位扩散〉间隙扩散〉空位扩散一般晶体中的扩散为（D）。A:空位扩散C:易位扩散由肖特基缺陷引起的扩散为（AA:本征扩散C:正扩散B:易位扩散〉间隙扩散二空位扩散D:易位扩散〈间隙扩散〈空位扩散91、92、B:间隙扩散D:A和BB:非本征扩散D:负扩散空