标准解读

《yb 1603-1983 硅单晶切割片和研磨片》这一标准详细规定了硅单晶材料在制备成切割片及研磨片过程中需要遵循的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的要求。该标准适用于电子工业中作为半导体器件基底或进一步加工前使用的硅单晶制品。

根据标准内容，硅单晶切割片与研磨片按照其直径大小分为多个规格等级，并且对每种规格的产品都设定了明确的尺寸公差范围。此外，还定义了几何形状上的具体要求，比如平面度、厚度均匀性等指标，确保产品能够满足后续工艺流程的需求。

对于物理性能方面，《yb 1603-1983》规定了包括电阻率、少数载流子寿命在内的关键参数值域限制，这些参数直接关系到最终制成的半导体器件性能表现。同时，标准也涵盖了外观质量检查项目，如表面缺陷（划痕、裂纹）、边缘状况等，以保证产品的视觉一致性和机械强度。

在检测方法上，本标准提供了多种测试手段来验证上述各项技术指标是否达标，例如使用四探针法测定电阻率、通过光谱分析仪测量杂质含量等。另外，还制定了抽样计划与合格判定准则，指导生产单位如何有效地进行质量控制。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1983-08-18 颁布
  • 1984-10-01 实施
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文档简介

YB中华人民共和国治金工业部部标准YB1603—83硅单晶切割片和研磨片1983-08-18发布1984-10-01实施中华人民共和国治金工业部批准

中华人民共和国治金工业部部标准YB1603-83硅单晶切割片和研磨片本标准适用于制造半导体器件（分立器件和集成电路）的三种等直径硅单品切割片和双面研磨片。用作其他器件的硅单晶切割片和研磨片，可参照本标准确定其相应的技术参数。本标准只列出硅片的外形几何尺寸和品向参数，硅片所涉及的硅单晶物理参数应符合YB1602—83《硅单晶》所规定的技术要求。技术要求1.1术语1.1.1晶向：品体结品方向。1.1.2品向偏离：切割硅片时，使硅片法线与晶体结品方向偏离一定的角度。1.1.3正交取向偏差：（111）硅单晶片作品向偏离时，硅片法线与最近的<110>方向在（11）平面上投影之间的夹角（见图I）11.4主参考面：硅单品键上磨制一确定方向的平面，用作硅片划片方向的标志。1.1.5次参考面：硅单品片导电类型和品向的标志。1.1.6硅片厚度；硅单晶片中心点厚度值.1.1.7厚度偏差：硅单品片中心点厚度的测量值与公称值之差。1.1.8总厚度变化：硅单晶片五点厚度（中心一点和距边缘6mm处间隔90“的四点）间的最大值与最小值之差。1.1.9弯曲度：硅片处于自由无夹持状态下相对于一理想平面的单纯凹或凸的体形变，1.1.10缺口：；硅片周边穿透两面的缺损。1.1.11边：：硅片边缘不穿透两面的破损，1.2技术要求1.2.1硅单品切割片和研磨片的技术参数应符合表1的规定，表1硅单晶切割片和研磨片技术参数直径及共允许偏差,品名称4050.8(50)mm76.2（975）允许偏差，不大于+0.3士0.4+0.5切235(翻片总厚度交化，世m弯曲度，1公老面长度，mm19~25沃参老面长度，mm10~1323002490厚度偏差总口医卖化：mum

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