标准解读

《YB 1601-1983 硅多晶》是一项关于硅多晶材料的技术标准，由当时的冶金工业部提出并负责起草。该标准主要规定了用于半导体器件制造的硅多晶的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的内容。

根据标准，硅多晶按照电阻率的不同被分为多个等级，每个等级对应着特定的应用领域。例如，高纯度的硅多晶适用于制备高性能的半导体元件，而较低纯度的产品则可能被用于太阳能电池板等对材料纯度要求相对不那么严格的应用场合。

对于硅多晶的质量控制，本标准详细列出了包括外观质量（如表面缺陷）、尺寸偏差在内的物理性能指标；同时也涵盖了电学性质如电阻率的具体数值范围及其测量方法。此外，还指定了通过拉伸试验来评估材料力学性能的要求，并且提供了有关样品准备、测试条件等方面的指导信息。

在检测过程中，除了上述提到的基本物理化学性质外，《YB 1601-1983》还特别强调了杂质元素含量分析的重要性，因为这些微量杂质的存在会直接影响到最终产品的性能表现。因此，标准中给出了使用光谱法或其他适当手段进行定量测定的具体操作步骤。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1983-08-18 颁布
  • 1984-10-01 实施
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文档简介

YB中华人民共和国治金工业部部标准YB1601-83硅务1983-08-18发布1984-10-01实施中华人民共和国治金工业部批准

中华人民共和国治金工业部标多YB1601-83中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100X45htp://电话：(01051299090、685220061984年11月第一版书号，1151692-5584版权专有浸权必究举报电话：（010）68522006

中华人民共和国治金工业部部标准YB1601-83硅品本标准适用于三氯氢硅、四氯化硅氢还原法和硅烧热分解法制取的棒状高纯硅多品技术要求1.1硅多晶技术参数指标应符合下表规定。一级特级品二级品级品三级品二结晶致密，表面较平整，，断面无夹层表面及断面状态结晶致密，裘面较平整，无氧化夹层直径，m加二25二25二25二25直径允许偏差，%+5+5士5全5基硼电阻率，R·m二4500二2600二1500二1000N型电阻宰，9·mn二450>150二300二60N型少数软流子寿命，s二500二300>150二100含碳量，个原子/cm°<2×100<5×1010<5×1010含氧量，个原子/cm°<1×1010<5×10！<5×101注：○基硼电阻率和殡、氧含最为保证值。生产厂应经常进行基硼电阻率的检测。每年定期进行碳、氧含量的分新。QN型少数载流子寿命值系指氢气下检验工艺测试的寿命值。“需方如有特珠要求，供需双方可另行协议。2试验方法和检验规购2.1试验方法2.1.1导电类型测试按GB1550一79*硅单品导电类型测定方法》进行。2.1.2N型少数载流子寿命测试按GB1553—7《高频光电导衰诚方法》进行，取其纵向中间部位所测得的寿命值。2.1.3P型、N型电阻率测试按GB1552-79《硅单晶电阻率直流器探针测量方法》进行。2.1.4含氧量、含碳量的测试分别按GB1557—83“硅单品中间隙氧含量的红外吸收方法》及GB1558一83《硅单品中代位碳含量的红外吸收方法》进行。2.1.5裘面状态用肉眼检查。2.1.6断面状态检验按GB4061一83《硅多品的断面夹层化学腐蚀检验方法》进行.2.1.7直径用游标卡尺测量.直径及其偏差测量位置（系指同一支多品棒）如下图所示。直径允许偏登的规定仅适用于区熔法用的硅多品。2.2检验规则2.2.1产品应由供方技术监督部门进行验收，保证产品符合本标准要求，并填写产品质量证明书。2.2.2需方可对收到的产品进行质量检验，如检验结果与本标准规定不符时，可在收到产品之

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