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中国第三代半导体产业现状一、第三代半导体行业概况第三代半导体是指化合物半导体，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半导体材料（导带与禁带间能隙差Eg>2.3eV），具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，主要应用在光电子、电力电子和射频芯片三大领域，其中光电子器件包括LED、激光器、探测器等，电力电子器件包括二极管、MOSFET等；微波射频器件包括PA、LNA和滤波器等。二、第三代半导体行业发展现状目前第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G基站、PD快充等应用领域，碳化硅主要应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超100亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54.14%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长83.13%。三、第三代半导体行业相关政策分析在SiC、GaN等第三代半导体产业链方面，国内产业也正在发力。由于下游领域关系国计民生（能源、交通等），并且下游大多是国内优势产业（新能源车、光伏、高铁等），国产替代意愿强、政策支持力度大。四、第三代半导体行业存在的主要问题分析半导体产业研发投入周期长，技术更新快，全球充分竞争，先行者有成本和供应链优势，持续盈利支撑技术不断进步，产业后进入者追赶难度大。一方面，以美国为主导的逆全球化浪潮加剧、贸易战频发，全球产业链供应链因非经济因素而面临冲击，中国亟需摆脱依赖；另一方面，5G、人工智能、新能源等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，国产化替代成为发展趋势，也出现了各地方半导体项目一哄而上、部分低水平重复的现象，第三代半导体相关项目估值过高，造成了非理性的市场表现和资源浪费。中国在第三代半导体技术创新和产业化方面主要存在以下问题：五、第三代半导体产业发展展望第三代半导体是5G/6G移动通信、新能源汽车、高速列车、智能电网等产业创新发展的核心材料与器件，是全球技术前沿和产业竞争焦点，国际高端材料禁运等问题对产业安全构成极大风险。“十四五”是中国第三代半导体产业发展的关键窗口期，能否建立长期战略优势至关重要，要着眼长远、把握大势。联盟将充分发挥桥梁作用，为政产学研合作搭建平台，打通产业链上下游、促进协同创新。围绕粤港澳大湾区、长三角区域一体化、京津冀协同发展等国家重大发展战略部署，瞄准国家重大需求，推动探索新型举国体制，建立上中下游互融共生、分工合作、利益共享的一体化、市场化机制，聚焦核心技术和卡脖子问题，实现信息、能源、交通、智能制造等领域第三代半导体

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