半导体材料-硅-其他 (2)课件

“硅器”时代

“硅器”

硅是一种常见的物质，它广泛的存在于我们的日常生活中，从你手中的手机，到家中的电视，陶瓷餐具，水晶工艺品，无不包含着硅的身影。可以说，硅在我们的生活中无处不在。远古时候的“硅器”陶瓷，主要成分为硅酸盐生活中的硅金丝水晶球水晶欣赏岱岳雄姿观音电脑中的硅芯片主板元素周期表Group12

3456789101112131415161718周期

11

H

氢

2

He

氦23

Li

锂4

Be

铍

5

B

硼6

C

碳7

N

氮8

O

氧9

F

氟10

Ne

氖311

Na

钠12

Mg

镁

13

Al

铝14

Si

硅15

P

磷16

S

硫17

Cl

氯18

Ar

氩419

K

钾20

Ca

钙

21

Sc

钪22

Ti

钛23

V

钒24

Cr

铬25

Mn

锰26

Fe

铁27

Co

钴28

Ni

镍29

Cu

铜30

Zn

锌31

Ga

镓32

Ge

锗33

As

砷34

Se

硒35

Br

溴36

Kr

氪537

Rb

铷38

Sr

锶

39

Y

钇40

Zr

锆41

Nb

铌42

Mo

钼43

Tc

锝44

Ru

钌45

Rh

铑46

Pd

钯47

Ag

银48

Cd

镉49

In

铟50

Sn

锡51

Sb

锑52

Te

碲53

I

碘54

Xe

氙655

Cs

铯56

Ba

钡56-70

镧系

*71

Lu

镥72

Hf

铪73

Ta

钽74

W

钨75

Re

铼76

Os

锇77

Ir

铱78

Pt

铂79

Au

金80

Hg

汞81

Tl

铊82

Pb

铅83

Bi

铋84

Po

钋85

At

砹86

Rn

氡787

Fr

钫88

Ra

镭89-102

锕系

**103

Lr

铹*104

Rf105

Db106

Sg107

Bh108

Hs109

Mt110

Uun111

Uuu112

Uub113

Uut114

Uuq115

Uup116

Uuh117

Uus118

Uuo锗常见半导体材料硅半导体材料的内部结构金刚石结构

半导体材料之所以具有介于导体与绝缘体之间的性质，一部分原因是因为它的特殊的结构。科学分析表明，硅原子是按照金刚石结构的形式占据空间位置（晶格）。

金刚石结构的排列特点是：晶格立方格子的8个顶点有一个原子晶格6个面的中心各有一个原子晶格的4个对角线离顶点的1/4处各有一个原子晶体的能带导体存在一个电子不能填满的导带，故能导电。金属导体的电阻率约为10－8～10－6欧姆·米；绝缘体只有满带和空带，没有导带，且禁带很大（3－6eV），故不能导电。绝缘体的电阻率约为108～1020欧姆·米；半导体只有满带和空带，但禁带很小（0.1－2eV），满带中的电子可以在光、热、电作用下进入空带，形成导带。电阻率约为10－8～107欧姆·米。本征半导体和杂质半导体

纯净半导体又叫本征半导体，就是指晶体中除了本身原子外，没有其他杂质原子存在。假如在本征半导体中掺入杂质，使其产生载流子以增加半导体的导电能力，这种半导体称为杂质半导体。n型和p型半导体

杂质半导体中以电子导电为主的称为n(negative)型半导体(硅掺磷、砷等Ⅴ族元素)，以空穴导电为主的称为p(positive)型半导体(硅掺硼、镓等Ⅲ族元素)。真空二极电子管的工作原理晶体管的接触面工作原理半导体在开关和整流器中的运用原理：一个P-N结，它的作用是只让电流向一个方向流通，是电的“单向阀”，可以用作开关，也可作为整流器。开关时间可短到几十～几百ns，超高速集成电路开关已达十几～几个ns。半导体材料制作晶体管晶体管原理图晶体管结构

1947年利用半导体材料锗制成的第一个晶体三极管在美国新泽西州贝尔电话实验室诞生，发明人是三位美国科学家（从左至右）巴丁、肖克利和布拉顿。他们三人获得1956年诺贝尔物理学奖。这一发明引起现代电子学的革命，微电子学诞生了，并获得迅速发展。1958年半导体硅集成电路的诞生，吹响了以集成电路为核心的微电子技术发展的号角。微电子技术正是电子计算机和当今信息技术发展的基础。集成电路

集成电路就是将电子线路中所采用的电阻、电容、二极管、三极管等元件及互联线制作在单个的半导体硅芯片上，具有和单个分开的分立器件制作的电子线路同等或更好的功能。制造工艺：主要是氧化、光刻、扩散掺杂和封装。其芯片的耗能及单位成本很低，并能提供较高的工作速度和可靠性。内存条计算机主板集成电路微电子技术的发展年代名称集成度（单位体积中的元件个数）50年代晶体管10060年代集成电路100070年代大规模集成电路1万～10万80年代超大规模集成电路100万～1亿90年代更大规模集成电路100亿～200亿芯片换代的标志

1密集程度高2同等功能的元件和整机的价格下降3尺寸减小4信息容量增大5运算速度提高

由于各元件及各元件间的隔离区的形状都是光刻技术完成的，所以通过光刻线宽的不断缩小，可使元件尺寸不断减小。激光光刻线宽的极限约为0.2微米，用X射线光刻甚至可小于0.1微米。目前利用0.3微米线宽工艺已在10mm×20mm的芯片上集成了1.4亿个元件，集成密度达70万个/mm2。半导体的生产半导体材料的运用和意义

20世纪是科学技术突飞猛进的100年，原子能、半导体、激光和电子计算机成为20世纪的“四大发明创造”。激光和计算机是以半导体材料为基础的，而激光和计算机都是信息技术的重要支撑技术。因此，半导体材料技术在信息技术，以至于整个高科技领域有着举足轻重的作用。半导体材料运用的树状图

半导体材料最常见的用途就是发光二极管，它主要用在仪器上做数字显示。半导体材料在照明中的运用手机、电脑、数码相机、汽车中，都有半导体照明的身影用半导体照明的上海东方明珠电视塔光生伏特效应

当入射光子的能量大于禁带宽度时，光照射在距表面很近的p－n结，就会在p－n结产生电动势，接通外电路就可形成电流。这称为光生伏特效应。太阳能电池就是利用光生伏特效应制成的。光生伏特效应太阳能电池光电效应和光电传感器

光电二极管是一个固态PN结器件，器件的一边(比如P层),做得非常薄，使光可以穿透到结中，形成一个与入射的光子通量成正比的电流。这称为光电效应。最简单的光电传感器是由一块芯片上的光电二极管传感器件和开关的阵列。半导体材料在显示器件中的运用夏普发布1/1.8英寸大小800万象素CCD

数码产品上常用的液晶显示屏小芯片改变大世界

集成电路的普及和发展给人类带来了小无止境的产品，也为人类带来了大无边际的网络。

电话网延伸了人们的听力——“铱星”系统；电视网延伸了人们的视力；计算机网延伸了人们的大脑。铱星系统

“铱星”系统的设计是由77颗卫星组成，运行在七条高度为765千米的太空中低轨道上，每条轨道上均匀分布着11颗卫星。实际运行的“铱星”系统由66颗通信卫星组成。由于卫星众多，所以通信效率极高，可以随时为世界上的任何地方的用户提供电话通信服务，而且不必担心与其他蜂窝电话系统不相容。目前，太空已有250多颗通信广播卫星运行，担负着80％的洲际通信业务和全部洲际电视传播。计算机网的诞生用于减少信息传输量的视频压缩/解压缩芯片;用于数码录放音及影像存储的记忆体元件芯片;

媒体处理芯片;

快速电池充电控制芯片;路由器芯片等

芯片发展到一定程度，直接导致了计算机网的诞生。各种各样的芯片大大支持了计算机的网络化。

芯片把数字的快速处理和快速传递融合在一起，形成了当今的信息网络。温差效应

当半导体材料两端的温度不同时，载流子就会从高温端流向低温端，结果半导体的两端就会产生电势差，这种现象成为温差效应。利用这种效应可以做成温差发电堆。砷化镓半导体

计算机的运算速度受到芯片材料中电子运动速度的限制在砷化镓单晶材料中电子的迁移率（电子在电场作用下的迁移速度）比在单晶硅材料中电子的迁移率大6～7倍，所以采用砷化镓晶体管的计算机的响应速度和运算速度都更快。砷化镓晶体结构

超晶格材料

超晶格就是用两种或两种以上不同半导体或半导体的n型或p型极薄膜层交替排列组成的周期阵列，即在原来的周期性的晶格势场上再加上一个人为的周期势。超晶体周期交替结构

超晶格材料的应用由于在与界面平行的方向电子可以自由运动，迁移率极高，故可制成世界上最快的晶体管。改变砷化镓薄层和镓铝