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文档简介
7.4霍耳传感器是利用霍耳效应将被测非电量转换为电量的一种传感器。特点:灵敏度高,线性好,稳定性高,体积小,耐高温。霍耳式传感器7.4.1霍耳效应
霍耳传感器就是基于霍耳效应,把一个导体(半导体薄片)两端通以控制电流Ⅰ,在与电流不同的方向施加磁感强度B的磁场,在薄片的另外两侧会产生一个与控制电流Ⅰ和磁场强度B的乘积成比例的电动势。通电的导体(半导体)放在磁场中,电流Ⅰ与磁场B方向不同时,在导体另外两侧会产生感应电动势,这种现象称霍耳效应。
霍耳式传感器霍耳效应是由于运动电荷受磁场力(洛伦兹力)和电场力共同作用的结果。一块长度为b、宽度为a、厚度为d的P型半导体薄片,将它置于磁场强度为B的磁场静止不动,当y轴方向有电流I流动时,则有一个负电子与电流反向以速度v运动,如图:7.4.1.1洛伦兹力的形成
由磁场理论,带电导体(电子)在磁场运动将受磁场力的作用,其大小为由矢量运算法则得大小为霍耳式传感器霍耳传感器7.4.1.3霍耳电势的形成
当作用于负电子上的两个反向力相等时,电子积累过程达到平衡,此时Fe=FL即:Ee=evBsinaE=vBsina所以AB前后两面形成的电势为霍耳电势为:通过(半)导体薄片的电流I与载流子浓度n,电子运动速度v,薄片横截面积a*d有关:
由霍耳传感器的工作原理式得:1)UH∝ⅠB2)UH∝1/d3)UH的方向与Ⅰ·B有关4)UH的灵敏度为5)霍耳系数霍耳式传感器讨论:任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势,但不是都可以制造霍尔元件。绝缘材料电阻率很大,电子迁移率很小,不适用;金属材料电子浓度很高,RH很小,UH很小。半导体电子迁移率一般大于空穴的迁移率,所以霍尔元件多采用N型半导体(多电子)。由上式可见,厚度d越小,霍尔灵敏度KH
越大,所以霍尔元件做的较薄,通常近似1微米。霍耳式传感器7.5.2组合使用电路控制端并联,输出端串联
霍耳式传感器7.5.3霍耳电势的输出电路霍耳器件本身是一个四端口器件,本身不带放大器。霍耳片每片输出电势为毫伏级,在实际使用时必须加差分放大器。霍耳元件的输出电路可分为线性电路和开关电路,线性电路通常选用灵敏度低一点,不等电位小的、稳定性和线性好的霍耳元件。开关电路一般选用放大器和灵敏度高的霍耳元件。霍耳式传感器霍尔接近开关线性霍尔元件
霍耳式传感器(1)当A、B极处于同一等电位面上时,电桥平衡,则不等电位(2)当A、B极不处于同一等电位面上时,根据两点电位高低,判断应在某一臂上并联一个电阻,使电桥平衡。常用的不等位电势补偿电路B霍耳式传感器霍耳式传感器2)寄生直流电势误差
产生寄生直流电势的主要原因是:控制极与霍尔极元件接触不良,形成非欧姆接触;2个霍尔电极大小不对称,使2个电极的热容量不同,散热状态不同,两极间出现温差电势,使霍尔元件产生温漂所致。3)感应零位电势误差
霍尔元件在交流或脉动磁场中工作时,即使不加控制电流,由于霍尔极分布不对称,霍尔端也有一定输出,其大小正比于磁场的脉动频率、磁感应强度的幅值和两霍尔电极引线构成的感应面积。4)自励磁场零位电势误差
当霍尔元件通以控制电流时,此电流也会产生磁场,称自励磁场。当电极引线不对称时,元件两边磁感应强度不相等,将有自励场的零位电势输出。
霍耳式传感器具体补偿方法:
在霍尔元件上并联一R0分流,当T增大时—Ri增大—UH
增大—ⅠH
减小—Ⅰ0增大—UH
下降,
R0
自动加强分流,使Ⅰ0增大
—ⅠH
下降—UH下降,补偿电阻
R0可选择负温度系数。其他补偿方法
:输出回路的负载补偿法,热敏电阻补偿法,输出回路并联电阻补偿法,桥路补偿法。霍耳式传感器常用的测量电路集成霍耳传感器
霍耳式传感器7.7霍耳式传感器的应用
霍尔元件符号霍耳式传感器霍耳式传感器霍耳式传感器霍耳式传感器线性集成电路(测位移、测振动)
霍耳式传感器
开关集成器件(测转速、开关控制、判断NS极性)B’、B’’形成切换回差,这是位置式作用传感器的特点,
作无触点开关时可防止干扰引起的误动作。形成切换回差
霍耳式传感器应用:无触点开关霍耳式传感器霍耳式传感器基于霍耳效应的压力传感器。它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上,在压力的作用下霍耳元件随弹性敏感元件的变形而在磁场中产生位移,从而输出与压力成一定关系的电信号。保持霍耳元件的激励电流不变,而使它在一个均匀梯度的磁场中移动时,它输出的霍耳电势大小就取决于它在磁场中的位移量(见半导体磁敏元件)。磁场梯度越大,灵敏度就越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系就越接近于线性。霍耳元件结构简单、形小体轻、无触点、频带宽、动态特性好、寿命长,而且已经商品化。霍耳元件用于压力传感器,按照弹性敏感元件的不同有多种结构形式。图a、b中的压力传感器分别采用膜盒和波登管作为弹性敏感元件,并由两块半环形五类磁铁产生梯度均匀的磁场。
霍耳式传感器7.5磁敏电阻磁敏电阻(Magnetoresistance)是指利用半导体磁阻效应而制成的可对磁场敏感的元
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