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文档简介

第五章正弦波振荡器5.1概述5.2反馈振荡器的工作原理5.3LC正弦振荡器5.4LC正弦振荡器的频率稳定度5.5晶体振荡器正弦波振荡器:能自动将直流电能转换成(具有一定频率和振幅的)正弦交流电能的电路。它与放大器的区别在于这种转换不需外部信号的控制。振荡器输出的信号频率、波形、幅度完全由电路自身的参数决定。应用:通信电路中作载波,本振信号;信号源及无线电测量仪表中。

产生方式:反馈式振荡器和负阻式振荡器分类:频率:低频,高频,微波振荡器

输出波形:正弦振荡器和非正弦振荡器要求:输出功率大,效率高,波形失真小,频率稳定度高5.1概述开关K接在1端,Uo=AUi。这时将开关迅速地转换到接于2端,去掉外部输入,此时Uf=UoF=UiAF若AF=1,则Uf=Ui,没有输入也能维持输出,构成了振荡电路。回归比:T=AF为反馈放大器的环路增益。

T>1:增幅振荡;T<1:减幅振荡反馈式振荡器:

利用正反馈产生自激振荡5.2反馈振荡器的工作原理反馈式振荡器的方框图A12UiFKU05.2.1基本组成反馈系数:开环增益:2、电路组成:放大器—完成能量转换选频网络—完成频率选择及滤波反馈网络—完成正反馈稳幅电路—决定振荡的稳态振幅放大器选频网络反馈网络2、平衡条件:T=1振幅平衡条件:|T|=|A|•|F|

=1

相位平衡条件:T()=φA+φ

F=2n(n=0,1,2,3…)相位平衡条件的含义----建立正反馈满足振荡平衡条件时,经过稳幅过程实现等幅输出。1、

起振条件:T>1振幅起振条件:|T|=|A|•|F|

>1相位起振条件:T()=φA+φ

F=2n(n=0,1,2,3…)二、振荡条件3、振荡稳定条件

当振荡器受到外部因素的干扰失去平衡后,能自动恢复到原来的平衡状态,或能够在原平衡状态附近重建平衡的,称为稳定的平衡。稳定条件分为振幅稳定条件和相位稳定条件,振幅稳定条件是指当外界因素造成振荡幅度变化后,振荡器能够自动恢复原来振荡幅度所需满足的条件。相位稳定条件是指相位平衡条件被破坏时,电路能够重新建立相位平衡的条件。相位稳定条件同时也是频率稳定条件,因为相位的变化必然引起频率的变化。相位稳定条件:负载回路相频特性:增大,T

减小相位条件的稳定是靠增大,T降低来实现的回路Q值越高稳定性越好AφT(ω)0A'Bω0φT(ω)(2)相位稳定条件图中A点为稳定平衡点,B点为非稳定平衡点。互感耦合反馈式振荡电路

利用互感耦合实现反馈振荡5.3LC正弦波振荡器改变同名端的位置,则反馈极性改变5.3.1互感耦合振荡器发射极调谐R1R2ReCeCbCLUCCM集电极调谐MCbR2R1CLCcReUCCMR2UCCCLReCeR1基极调谐Cb根据LC回路与三极管不同电极的连接方式分为集电极调谐型、发射极调谐型和基极调谐型电路,如图所示三种电路相比较,集电极调谐型电路在高频输出方面比其它两种电路稳定,而且输出幅度大,谐波成分小。而基极调谐型电路的振荡频率可以在较宽的范围内变化,仍能保持振荡幅度平稳。互感耦合振荡器一般工作于工作频率不太高的中、短波波段。两种典型的三端式振荡器的简化电路:左图:电容三端式电路,又称为考毕兹电路,它的反馈电压取自C1和C2组成的分压器;右图:电感三端式电路,又称为哈特莱电路,它的反馈电压取自L1和L2组成的分压器。X1X2X3ufu0IuiX1X2X3ufu0Iui二、电容三端式振荡器R1、R2、Re为直流偏置电阻;振荡产生后作为自偏压电阻,稳幅作用。Lc高频扼流圈,防止电源旁路Ce旁路电容、Cb

隔直流电容L、C1、C2构成谐振回路,决定振荡频率:CbR2R1R2ReCeC1C2LLCUCCRb包含在gie中;yfe=gm忽略晶体管内部反馈:yre=0Cie、Coe包含在C1、C2;gL'是集电极等效负载;Zce为三极管c、e端的等效阻抗;RbC1C2LRieC1C2LgiegoegL'gieUiUfU0gmUiZce拆环等效电路拆环:将闭合反馈环路的输入端断开,考虑到输入回路对输出回路的影响,在输出端加入gie。一般取:F=0.1~0.5,起振时T=3~5三、电感三端式振荡器紧耦合时,反馈系数为线圈匝数比L1L2Cu0uiCL2L1giegoegL'gieUiUfU0gmUiZce拆环等效电路通过改变回路电容调整频率时,基本不影响F;但产生信号的频率较低;由于反馈电压取自L2,使输出含有较大的谐波电压。两种振荡器的比较电容三点式电感三点式改变C1、C2比值来改变F能够振荡的最高频率较高:极间电容与C1、C2并联。输出电压波形好:c、e间接C2,高次谐波阻抗小,谐波电压小。改变抽头位置来改变F能够振荡的最高频率较低:极间电容与L1、L2并联,高频时会改变电抗性质。输出电压波形差:c、e间接L2,高次谐波阻抗大,谐波电压大。5.3.3两种改进型电容反馈式振荡器引入:晶体管各个电极与电抗元件并联,极间电容对振荡器的影响很大,为提高频率稳定性,要尽量减小晶体管与回路的耦合。一、克拉泼振荡器晶体管以部分接入方式与回路连接C3小,C主要由C3决定,C3小,频率可调范围小。C1C2C3LR1R2ReLRCUCCC1C2C3CbRL+UCCRbRbCbCc2CLCc1C1C2Luiu0uf-UBBI0VT1VT25.3.4其它LC振荡器简介一、差分对振荡器二、集成LC振荡器VT14VT1VT2VT3VT4VT5VT6VT7VT8VT9VT10VT11VT12VT13VD2VD1LCCbUCC输图是CE1648单片集成振荡器的内部电路。由VT10~VT14组成直流馈电电路;VT7、VT8、VT9及外接的LC并联回路构成差分振荡器;VT4、VT5组成共射—共基放大器,对VT8的集电极输出电压进行放大,VT2、VT3组成第二级差分放大,最后经射随器VT1输出。

VT6组成直流负反馈电路,当VT8输出电压增大时,VT6集电极直流电压减小,使差分振荡器恒流源I0减小,跨导gm减小,限制输出电压的增大,提高输出振幅的稳定性。振荡器的工作频率:

Ci是CE1648第10、12脚间的输入电容,典型值为6pF。当fg=100MHz时,C1取值为1~7pF,L1取值约0.22H;当fg=10MHz时,C1取值为15~150pF,L1取值约2.72H。

外部连接电路。如图所示1234567891011121314+5V+9VLC0.10.1输出CE1468

对频率稳定度的要求视用途而异,一般的短波、超短波发射机的相对频稳度为10-4~10-5数量级;电视发射机为10-7数量级;卫星通信发射机为10-9~10-11数量级。普通信号发生器为10-4~10-5数量级,高精度信号发生器为10-7~10-9数量级。用于国家时间标准的频率源,要求在10-12数量级。5.4.2LC振荡器的频率稳定分析其中,φfe是BJT正向传输导纳Yfe(ω)的相移,φF是反馈系数F(ω)的相移C1C2LRbRieU0Uf电容三端式振荡器交流通路Ui决定,振荡器的振荡频率由相位平衡条件

以图所示电容三端式振荡电路为例来分析频率稳定程度与元件参数的关系。

由电路可得到:凡能引起φz、φfe和φF变化的因素都会引起振荡频率的变化

因为在谐振频率附近,φfe和φF随ω的变化远小于Φz

(ω)的变化,在分析时将φF+φfe近似为一个常数,这样相位条件就变为:-f

Z()0g已知LC并联谐振回路的等效阻抗的幅角φz(ω)为:代入相位平衡条件式,得φz(ω)与-φf的交点就是相位平衡点,交点处对应的频率就是振荡频率ωg。

-φf

Z()ω(a)

0变化的影响00+0gg+gZ()-φf0gg+gQeQe+Q(b)Qe变化的影响ω-φf

Z()0gg+g(c)

f变化的影响-φf+∆φfω右图形象的表示了ω0、Qe和φf分别变化时ωg相应的变化过程。5.4.3提高频率稳定度的措施二、提高振荡回路的标准性一、减小外界因素的变化采用恒温槽减小温度变化的影响;采用屏蔽措施减小磁场变化的影响;加入减振装置减小机械振动的影响;采用隔离电路减小负载变化的影响等。选用参数高度稳定的L、C元件,如用石英晶体替代谐振回路的L,或者采用温度补偿来减小温度变化对元件带来的影响。已知:与谐振回路元件参数L、C的关系为:,则三、减小晶体管对振荡频率的影响采用加大回路总电容的方法可以减小极间电容的相对影响,但是大电容会使频率调谐范围变窄,使振荡变弱;减弱三极管与回路之间的耦合,也就是将三极管以部分接入方式接入回路,也可以减小极间电容对谐振回路的影响;通过稳定晶体管的工作点可以减小gm的变化,从而减小φf的变化,也能够稳定振荡频率等方法。5.5晶体振荡器优点:频率稳定度高。缺点:单频工作——标称频率。串联谐振频率:并联谐振频率:(Cq<<C0)q0X0感性容性容性C0Cq1Lq1Rq1iu~+-JT5.5.1石英晶体谐振特性并联型晶体振荡器:含有石英晶体的电容三端式振荡器,也称为皮尔斯振荡器,如图所示。振荡器的振荡频率在晶体的串联谐振与并联谐振频率之间,晶体等效为一个非线性电感。5.5.2晶体振荡器R1RcR2C1C2JTRLCcUCCCb(a)皮尔斯振荡器ReReC1C2RLL(b)等效交流通路一、并联型晶体振荡器密勒振荡器:属于电感三端式电路。晶体和L1C1回路均等效为电感,因此要求振荡器工作频率g低于L1C1回路的固有谐振频率01。输出波形较好,但有载Qe值低,与皮尔斯振荡器相比,频率稳定度较低,为了减少三极管输入电阻对石英晶体的影响,可以采用场效应管代替三极管构成振荡电路。R1R2JTReCeL1C1UCC(a)密勒振荡器C2L1C1C2JT(b)等效交流通路4.7H200pF3~10PF20PF5MHZUCC0.010.120330pF20K5.6Kuo4.7H330pF200pF3~10pF20pF5MHz15MHzUCCC16.6HL1220pF430pF20pF3~15pF6.6H430pF220pF3~15pF20pF泛音晶体振荡器串联型晶体振荡器:电路通过晶体形成正反馈,振荡器的振荡频率等于晶体的串联谐振频率,即o≈s,晶体等效为选频开关(一小电阻或近似短路线)。晶体工作于fs附近,呈现低阻抗,这时反馈最强且不带来附加相移,因此在这个频率上产生振荡。二、串联型晶体振荡器12V0.01F0.03FC1C2C3R1RcLReCbR2JT图所示电路,是一个电容三端式振荡器,在谐振回路与三极管之间的反馈支路中接入了一个具有选频能力的晶体。L、C1、C2、C3组成并联谐振回路,振荡频率调谐在串联谐振频率处,石英谐振器阻抗最小为,相移为0,形成正反馈,满足振幅和相位条件,产生振荡。+24V2.4k2k1.5k2k3.9k4.3k2.4k680JT100pF10100.041020F20FL

下图是某通信机用的9kHz串联晶体振荡器。9kHz石英谐振器串接在两级放大器的反馈支路上,只有在晶体和负载电容CL所决定的串联谐振频率上,正反馈最强,才产生振荡。第一级放大器采用谐振回路作负载,利用它的选频作用,输出端可以得到波形较好的正弦波。

三、集成晶体振荡器下图是用E1648组成的100MHz晶体振荡器,晶体标称频率为100MHz,LC回路应调谐于晶体标称频率处,不过回路谐振频率与标称频率偏差10%时仍能工作,但频率稳定度会受影响。实测此振荡器的频率稳定度为10-5,输出电压峰—峰值不小于750mV。0.223300p2-10p0.1JT+5V输出3300p1k1k0.147p86100.1100MHz12345678910111213145.6振荡器中的几种现象在实际振荡电路中,由于各种原因,还可能产生一些特殊的振荡现象。如寄生振荡,间歇振荡,频率占据,频率拖曳等。这些振荡现象一般应尽量避免,但有时也可以利用间歇振荡和频率占据现象来实现某些功能。5.6.1寄生振荡

寄生振荡是指某些特定频率上,由电路中某些集总参数和分布参数构成的闭合环路,满足振荡条件而产生的自激振荡,一般是叠加在正常振荡的波形上,引起振荡波形的畸变。低频寄生振荡——由电路中的电感量较大的高频扼流圈、电容量较大的隔直流电容或旁路电容所引起。超高频寄生振荡——分布参数(如引线电感、管子极间电容)所引起。RbCbCeReLCUBBUCCUfUbU0(a)t1t2UBBubtt(b)5.6.2间歇振荡如果振荡电路中某些元件参数选择不当,就会产生间歇振荡,这时输出电压的波形如下图(b)所示。电源接通后,振荡建立速度快,振荡电压迅速增加,管子进入非线性区域,实现稳幅,振荡很容易趋于稳定(图b的t1~t2时间段内)。如果在t2时刻,UBB继续变负,振荡幅度会有所减小,A也随之下降,造成环路增益小于1,若在此期间偏压不能迅速建立,则振荡迅速衰减到零,停振,直到偏压又增加到起振时的电压,开始新一轮振荡。

为防止间歇振荡的产生,偏置电压的变化速度必须跟上振荡振幅的变化速度。为此,可以通过增大回路的值来减小振荡振幅的变化速度,同时要减小偏置电路中Cb、Ce取值来加快偏压建立的瞬态过程。

R1R2CbCeReLCUCCUsf1f2f3f4f’1=f1|fs–f’1|f|fs–f1|455.6.3频率占据若从外部引入一个频率为的信号,当接近振荡器的振荡频率时,振荡器受外加信号的影响,会向fs附近变化,甚至就等于fs,产生强迫同步。 发生频率占据的fs范围称为占据频带,用Δf表示:Δf=Δf3-Δf2

实际中,外来信号往往来自周围的干扰或邻近的其它信号,当发生频率占据时,整个系统的工作都受到影响,可以采取措施切断或减弱振荡器与外来信号之间的耦合,以防止产生频率占据。但在某些情况下,可以利用频率占据现象实现注入同步,对振荡器进行强制的频率和相位的同步,或者实现同步分频,即对振荡频率的某次谐波进行强制同步。R1R2CbCeReL1C1U

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