项目一 晶体硅太阳电池制造工艺课件

项目一晶体硅太阳电池制造工艺项目导入知识目标技能目标

通过前面的学习，我们掌握了半导体的一些理论知识，了解了由石英砂到硅片的加工过程。但是，硅片的制备目的是什么呢？主要是为了下一步晶体硅电池片的制备。晶体硅太阳电池的制备工艺有哪些呢？从今天开始我们就进行这些方面的学习。项目导入

通过学习，了解制绒、扩散、刻蚀、PECVD、电极制备等设备的结构，并且会进行基本的操作。掌握椭偏移、冷热探针、电子天平秤、电子显微镜等检测设备的使用方法，并且能够通过检测数据判断制备工艺的合格与否。技能目标任务一硅片的清洗制绒任务二扩散制结任务三刻蚀任务四减反射膜的制备任务五电极制备项目内容任务一硅片的清洗制绒任务分析任务目的知识应用1、除去来料表面的机械损伤层；2、除去表面的有机物，金属杂质；3、在硅片两个表面形成一层绒面（或者表面织构化）以增加硅片对光的吸收，降低反射

任务目标一、晶体硅表面的反射原理二、单晶与多晶制绒区别三、单晶硅片的制绒四、多晶硅片的制绒知识应用一、晶体硅表面的反射原理：

当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。制绒后硅表面的反射光一、晶体硅表面的反射原理

对于单晶硅而言，选择择优化学腐蚀剂的碱性溶液，就可以在硅片表面形成金字塔结构，称为绒面结构，由不同晶粒构成的铸造多晶硅片，由于硅片表面具有不同的晶向，利用非择优腐蚀的酸性腐蚀剂，在铸造多晶硅表面制造类似的绒面结构，增加对光的吸收。二、单晶与多晶制绒区别二、单晶与多晶制绒区别单晶制绒后显微镜观测图多晶制绒后显微镜观测图晶硅制绒后的绒面二、单晶与多晶制绒区别

在低浓度NaOH水溶液中，硅片表面发生腐蚀，产生密集的金字塔型角锥体结构。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85oC化学反应方程式：

Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑（一）原理（碱性制绒）三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

槽号1#槽2-4#槽7#槽9#槽功能去损伤层制绒去Na2SiO3去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸NaOHNaOHIPANa2SiO3·9H2OHFHCl三、单晶硅片的制绒一共有10个槽，5、6、8、10槽中是去离子水异丙醇（Isopropanol

IPA）(CH3)2CHOH表面湿润作用Na2SiO3·9H2O作用：表面活性剂，以加快硅的腐蚀。氢氟酸作用：去除硅表面的硅酸钠以及氧化物。主要反应方程式为：Na2SiO3(无色粘稠的液体)+2HF===H2SiO3(不溶于水的白色胶状物)+2NaF

SiO2+6HF===H2SiF6+2H2O盐酸作用：去除硅片表面的金属离子。三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

1、插片（1）片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。（2）禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。（3）操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

2、上料（1）硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。化学药剂称重上料（2）将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，片盒之间有适当的间隔。上料三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

3、参数设置加热制绒液体到设定温度以后，根据本班目标生产量在控制菜单上进行参数设置（包括粗抛、碱蚀、喷淋、鼓泡漂洗时间和产量的设置）。三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

4、甩干从槽中取出硅片，然后把盛放硅片的花篮放在甩干机中甩干，根据实际情况设定甩干时间。往甩干机机中放置硅片时，要把放置的花篮对称放置，以防甩干机工作时运转不稳。硅片甩干机三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

化学腐蚀液的配制、添加化学药剂称重补加异丙醇三、单晶硅片的制绒制绒的设备三、单晶硅片的制绒（三）单晶制绒工艺流程

（四）影响单晶制绒的因素1、影响单晶制绒的因素（1）金字塔从硅片缺陷处产生。（2）缺陷和表面沾污造成金字塔形成。（3）化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金字塔形成。（4）异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。三、单晶硅片的制绒2、腐蚀速率快慢影响因子（1）腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率；（2）腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率；（3）生成物从被腐蚀物表面离开的速率。三、单晶硅片的制绒（四）影响单晶制绒的因素（一）原理（酸性制绒）HF和HNO3的混合液。其中HNO3

作为氧化剂，它与硅反应，在硅的表面产生致密的不溶于硝酸的SiO2层，使得HNO3

和硅隔离，反应停止；但是二氧化硅可以和HF反应，生成可溶解于水的络合物六氟硅酸，导致SiO2层的破坏，从而硝酸对硅的腐蚀再次进行，最终使得硅表面不断被腐蚀。四、多晶硅片的制绒化学反应方程式：Si+4HNO3H+H2O=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O（易挥发的四氟化硅气体）SiF4+2HF=H2SiF6（可溶、易挥发）四、多晶硅片的制绒（一）原理（酸性制绒）绒面制绒前显微镜观测图制绒后显微镜观测图四、多晶硅片的制绒（二）制绒前后的绒面四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程1、二号制绒槽：化学反应方程式：Si+4HNO3H+H2O=SiO2+4NO2↑+2H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O（易挥发的四氟化硅气体）SiF4+2HF=H2SiF6（可溶、易挥发）四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程2、四号碱洗槽

酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜。这个多孔硅膜具有极低的反射系数，但是，它不利于P-N结的形成和印刷电极，利用NaOH溶液洗除多空硅，使用稀释的NaOH溶液来去除这个多孔硅膜。四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程槽内结构六号酸洗槽：利于HCl和HF洗除杂质金属离子和进一步去除硅表面残留的二氧化硅。四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程我校学生在进行下料收片

硅片从六槽传递流经清洗槽、干燥槽、下料台。在此处，硅片被收集起来。四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程4、多晶制绒注意事项控制点:减薄量、绒面坑洞大小、反射率影响因素:溶液浓度、反应时间、温度减薄量过小：损伤层去除不干净，导致表面复合严重，影响Isc，最终影响EFF。减薄量过大：反射率大，吸收光小，影响Isc，最终影响EFF；片子薄，碎片率增加。四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程我校学生在进行制绒操作四、多晶硅片的制绒（三）多晶制绒的工艺流程任务二扩散制结任务分析任务目的知识应用

扩散制结是电池片制造中至关重要的一步，通过学习，要掌握制结的原理和制结的整个工艺流程，了解所用试剂的注意事项。任务分析1、用三氯氧磷（POCl3）管式扩散的方法，将原始的P型硅片的一面扩散进磷原子，形成P-N结。

2、吸杂，将硅片中的杂质吸附到硅片表面PSG层，然后通过酸洗的方式将PSG去除，从而去除杂质。

3、合适的PN结深度可以使得硅片在烧结阶段得到合适的欧姆接触，并且不会发生烧穿现象。任务目的一、扩散定义二、太阳电池磷扩散方法三、三氯氧磷（POCl3）液态源扩散原理四、扩散制结工艺过程五、扩散影响因素知识应用

当物质内有梯度（化学位、浓度、应力梯度等）存在时，由于物质的热运动而导致质点的定向迁移过程。扩散是一种传质过程，本质是质点的热运动。一、扩散定义1、三氯氧磷（POCl3）液态源扩散2、喷涂磷酸水溶液后链式扩散3、丝网印刷磷浆料后链式扩散二、太阳电池磷扩散方法三、三氯氧磷（POCl3）液态源扩散原理

三氯氧磷（POCl3）液态源扩散是现在企业中最常用的方法，即在高温的环境下，三氯氧磷与氧气反应形成五氧化二磷，五氧化二磷与硅反应生成二氧化硅和磷，磷在高温的环境下，以间隙态或替换位的形式进入硅片表面形成N型层。反应方程为：4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl22P2O5+5Si=5SiO2+4P晶硅内杂质的分布方式三、三氯氧磷（POCl3）液态源扩散原理

四、扩散制结工艺过程扩散炉的简易结构1、清洗所做清洗用的化学品为C2H2Cl3，熟称TCA，初次扩散前，扩散炉石英管首先连接TCA装置，当炉温升至设定温度，以设定流量通TCA60分钟清洗石英管。清洗开始时，先开O2，再开TCA；清洗结束后，先关TCA，再关O2。清洗结束后，将石英管连接扩散源瓶，待扩散四、扩散制结工艺过程2、饱和每班生产前，需对石英管进行饱和。炉温升至设定温度时，以设定流量通小N2（携源）和O2，使石英管饱和。20分钟后，关闭小N2和O2。初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时，需使石英管在950oC通源饱和1小时以上。四、扩散制结工艺过程3、装片戴好防护口罩和干净的塑料手套，将清洗甩干的硅片从传递窗口取出，放在洁净台上。用吸笔依次将硅片从硅片盒中取出，插入石英舟。我校学生正在进行扩散前的插片四、扩散制结工艺过程4、送片用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上，保证平稳，缓缓推入扩散炉。4、送片用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上，保证平稳，缓缓推入扩散炉。扩散制结用的设备四、扩散制结工艺过程5、回温打开O2，等待石英管升温至设定温度。6、扩散打开小N2，以设定流量通小N2（携源）进行扩散。三氯氧磷（POCl3）液态源扩散POCl3是无色透明的液体具有强烈的刺激性气味，承装在玻璃瓶中。四、扩散制结工艺过程7、关源，退舟扩散结束后，关闭小N2和O2，将石英舟缓缓退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取下石英舟。并立即放上新的石英舟，进行下一轮扩散。如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉，尽量缩短臂桨暴露在空气中的时间。四、扩散制结工艺过程8、卸片等待硅片冷却后，将硅片从石英舟上卸下并放置在硅片盒中，放入传递窗。9、方块电阻测量利用四探针测试法对扩散制结后的硅片进行方块电阻的测量。方块电阻测量仪四、扩散制结工艺过程温度：温度越高，扩散速率越快时间：时间越长，推进深度越大浓度：扩散浓度越大，方块越小五、扩散影响因素任务分析任务目的知识应用任务三刻蚀、去PSG

扩散后的硅片表面、周边以及背面都会形成N型层和PSG。通过学习，要掌握去除周边和PSG的原理和工艺。任务分析1、去除硅片四周边缘的N型层，消除硅太阳能电池短路。

2、去除扩散后硅片表面的PSG，提升电性能。任务目的一、刻蚀目的二、刻蚀种类三、去PSG四、湿法刻蚀流程五、注意事项知识应用

由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。一、刻蚀目的刻蚀主要有干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。1、干法刻蚀即等离子体刻蚀，是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被材料进行反应，形成挥发性反应物而被除去。干法刻蚀设备夹具与底座卡紧夹具放置好后腔体内全图二、刻蚀种类2、湿法刻蚀利用滚轴，将硅片边缘和背面与反应液面接触，采用硝酸和氢氟酸与硅片反应，将边缘和背面多余的N型层去除。再通过氢氟酸与硅片正面的磷硅玻璃反应，将磷硅玻璃去除。湿法刻蚀设备二、刻蚀种类3、控制点（1）等离子刻蚀参数：设定功率450-70w，反射功率15w，辉光时间600-1100s，辉光气压50-110Pa。（2）刻蚀后须测试硅片边缘是否为P型，刻蚀宽度小于0.5MM，如有刻蚀不彻底需要重新刻蚀。二、刻蚀种类

刻蚀后进行的是去PSG，去PSG工作原理为：扩散时POC13与Si反应生成副产物SiO2残留于硅片表面，形成一层磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2，含有未渗入硅片的磷源）。磷硅玻璃对于太阳光线有阻挡作用，并会影响到后续减反射膜的制备，需要去除。去除原理是，利用HF与SiO2能够快速反应的化学特性，使硅片表面的PSG溶解。主要反映方程式4HF+SiO2=SiF4+2H2O三、去PSG湿法刻蚀的工艺过程四、湿法刻蚀流程

湿法刻蚀是集去周边PN结和去PSG于一体的工艺过程，所用设备与清洗制绒设备类似，其工艺过程如表所示，整个过程一共有七个槽，槽与槽之间有以下关系：

1、“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。

2、除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。四、湿法刻蚀流程3、除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSG氢氟酸槽是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。

4、最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉，所以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。四、湿法刻蚀流程1、刻蚀前放片时盖板下第一片和最下面一片P面要朝外。2、刻蚀机石英罩用酒精擦洗完不可直接投片进行刻蚀辉光，必须等到酒精自动烘干之后方可进行操作。3、硅片清洗完未及时甩干，会有水纹印产生。4、影响刻蚀效果的因素有：刻蚀机压力、辉光颜色。五、注意事项5、去除PSG槽体清洗的注意事项：首先排掉清洗槽、背面储水槽的液体，用无尘布擦拭槽壁至干净，擦拭后纯水冲洗槽壁，然后进水至正常液位，至此完成清洗。6、交接班的事项：本版的运行状况（设备、工艺、质量），5S的状况确认，操作记录与流程卡填写到那个序号，生产那个厂家、批号、等级，在制品的数量，工装夹具，机器的产数。五、注意事项7、异常状况基本的处理和回馈的流程确认异常状况，停止生产，上报直接主管，等待相关人员处理。8、刻蚀后未清洗的在制品数量和存放时间的要求：数量小于1600片，存放时间小于2小时。9、清洗甩干后未镀膜的在制品数量和存放时间的要求：数量小于800片，存放时间小于0.5小时。五、注意事项10、生产运行前必须检查每个槽位的时间设定。11、换液时，必须穿戴防护用品和穿戴的先后顺序为：防护用品：防毒面具、连体防护服、防酸碱鞋、乳胶手套、长袖防护手套。首先戴好乳胶手套，把鞋子脱了，接着穿上连体防护服，然后把防酸碱鞋穿上，带好防毒面具，最好带好长袖防护手套。五、注意事项任务四减反射膜的制备任务分析任务目的知识应用

减反射膜是提高硅太阳电池转换效率的又一工艺，减反射膜不仅可以增加光的吸收，还可以增加少子寿命，是制备太阳电池的重要工艺流程。通过学习要掌握PECVD的工作原理，SiNx:H的钝化作用。任务分析

在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，利用光学增透原理，减少光线反射，并同时起到硅片表面的顿化作用，有利于提高转换效率。任务目的一、减反射原理二、SiNx:H减反射膜和PECVD技术三、PECVD种类四、SiNx:H简介五、制备过程六、SiNx:H的钝化作用七、PECVD对电性能影响九、PECVD技术的优势八、制绒与减反射膜知识应用

光照射到平面的硅片上，其中一部分被反射，即使对绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加了吸收，但也有约11%的反射损失。在其上覆盖一层减反射膜层，可大大降低光的反射。当减反膜的折射率和厚度的乘积等于四分之一入射波长，即n1d1=λ/4时，从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度，形成了相消干涉。一、减反射原理

若控制n1d1的乘积等于太阳光强度最强的蓝绿光波长的四分之一附近，则可有效的增加半导体对太阳光的吸收作用。产生相消干涉的条件

不考虑吸收系数，反射率公式一、减反射原理

如果膜材料的反射率是其两边材料的折射率的几何平均值，即n12=non2，则反射率的最小值为零。

除了有合适的折射率和膜后外，减反射膜材料还必须是透明的，减反射膜常沉积为非结晶的或无定形的膜层，以防止在晶界处的光散射问题。一、减反射原理二、SiNx:H减反射膜和PECVD技术

企业中常用的减反射膜是SiNx:H，制备技术是PECVD（等离子增强化学气相沉积）。制备原理为：利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。发生的反应方程式为：二、SiNx:H减反射膜和PECVD技术三、PECVD种类PECVD可分为直接式和间接式。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz）。

间接式：基片在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。

三、PECVD种类

正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H。Si/N比对SiNx薄膜性质的影响：

1、电阻率随x增加而降低

2、折射率n随x增加而增加

3、腐蚀速率随密度增加而降低四、SiNx:H简介五、制备过程进料腔(1)加热腔(2)工艺腔(3)冷却腔(4)出料腔(5)进料腔——有预热的作用，在载板进入腔体后，先冲入N2，再进行抽真空；加热腔——在工艺中起着加热的作用；工艺腔——在等离子及真空条件下，硅烷与氨气在400˚C时反应生成Si3N4，覆盖在硅片表面上；进料腔与出料腔——防止特色气体溢出，增加安全性。使电池片体逐渐降低温度

将刻蚀、去磷硅玻璃后的硅片从硅片盒中取出插入石墨舟中，如图，每个石墨舟可放置216片。插片完成后将石墨舟推入腔内。从硅片盒向石墨舟中插片五、制备过程PECVD设备扩散车间净化等级为1万级五、制备过程

镀完减反射膜的硅片取出后要进行检测，检测的主要内容是减反射膜的厚度和折射率，一般膜厚在80-90nm，折射率在2.04-2.10之间。所用的设备是椭偏移。椭偏仪五、制备过程六、SiNx:H的钝化作用

由于硅晶体表面存在大量的空键，他们会吸引周围的金属杂质成为复合中心，从而缩短少子寿命最终影响太阳电池的性能。因此对材料表面和体内缺陷进行钝化非常重要。钝化工艺一般分表面氧钝化和氢钝化。表面氧钝化：通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法，可使Si-SiO2界面的复合速率大大下降，其钝化效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电子、空穴的俘获截面。在氢气氛围中退火可使钝化效果更加明显。六、SiNx:H的钝化作用氢钝化：钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。对多晶硅可产生氢钝化效果。六、SiNx:H的钝化作用七、PECVD对电性能影响1、减反射膜提高了对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率。2、薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，从而提高了光电转换效率。多晶硅电池镀膜前后的I-V曲线八、制绒与减反射膜制绒与减反射膜是两个不同的工艺，都是高效电池工艺的一部分。制绒就是去除机械损伤层，制作光陷阱，减少光反射。是属于电池制造过程中的第一个重要工序。减反射膜的原理就是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行反射从而完全抵消。用SiO2或SiNx作为减反射膜还可以降低表面复合，增加少数载流子的寿命。八、制绒与减反射膜九、PECVD技术的优势1、低温成膜，常用温度区间300～400oC，对基体影响小，避免高温工艺的不利影响。如：膜层晶粒粗大，膜层和基体间生成脆性相。2、较低的压强下成膜（20-100Pa），粒子间碰撞、散射作用提高了膜厚及成分的均匀性，薄膜针孔少、组织致密，内应力小、不易产生裂纹。任务五电极制备任务分析任务目的知识应用

太阳能电池的关键是PN结，有了PN结即可产生光生载流子，但有光生载流子的同时还必须将这些光生载流子导通出来，而丝网印刷工序印刷浆料的主要作用就是为了导电，把电池片中的电子导通出来

。任务分析1、丝网：（1）印背电极：用银-铝浆，起导通作用，进行组件组装时方便焊接（2）印背电场：用铝浆，收集电流，产生背表面场。（3）印表面电极：用银浆，形成栅线，收集光生载流子。2、烧结：蒸发浆料中的有机成分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触任务目的一、基本原理二、工艺流程三、操作注意事项四、常见不良及对策知识应用

利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮胶对网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动中从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版通过自身的张力产生对刮胶的回弹力，并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。一、基本原理丝网网版外形印刷过程一、基本原理二、工艺流程丝网印刷设备二、工艺流程电极制备二、工艺流程第一道：背面（正）电极印刷使用Ag/Al浆(Ag浆)，起导通作用，进行组件组装时方便焊接，Al背场的可焊性不佳。印刷步骤：1、将镀好膜的硅片，镀膜的一面朝下，放入印刷机上料的承片盒内。2、机器自动运行，进行印刷。二、工艺流程3、用游标卡尺检测印刷是否偏移，并进行调整。4、观察是否有漏浆、虚印、堵网等现象，并可视情况进行处理。5、注意压板、粘板，碎片等异常情况，并及时处理。6、印刷完毕，进入烘箱烘干，后进行下道背面电场印刷。二、工艺流程第二道：背面电场印刷背电场印刷使用的是Al浆，有吸杂作用，并且对VOC有影响。高温情况下，杂质向Al-Si合金层移动，并共熔，从而起到吸杂。并且Al背场的存在，相当于补充了电池片中的的p+型掺杂，形成和P-N结方向相同的电场，提高VOC。二、工艺流程印刷步骤：1、经背面电极印刷烘干后的硅片