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文档简介

3.2结型场效应管JFET结构示意图及电路符号SGDSGDP+P+NGSDN沟道JFETP沟道JFETN+N+PGSDN沟道JFET管外部工作条件VDS>0(保证栅漏PN结反偏)VGS<0(保证栅源PN结反偏)3.2.1JFET管工作原理P+P+NGSD

+

VGSVDS+-

VGS对沟道宽度的影响|VGS|

阻挡层宽度若|VGS|

继续沟道全夹断使VGS=VGS(off)夹断电压若VDS=0NGSD

+

VGSP+P+N型沟道宽度沟道电阻Ron

当VDS增加到使VGD=VGS(off)时→A点出现预夹断

若VDS继续→A点下移→出现夹断区此时VAS=VAG+VGS=-VGS(off)+VGS（恒定）若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l

不变（即Ron不变）。因此预夹断后：VDS→ID基本维持不变。

NGSD

+VGSP+P+VDS+-ANGSD

+VGSP+P+VDS+-A

利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。JFET工作原理：

综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。NJFET输出特性

非饱和区(可变电阻区)特点：ID同时受VGS与VDS的控制。条件：VGS>VGS(off)V

DS<VGS–VGS(off)3.2.2伏安特性曲线线性电阻:ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V

截止区特点：沟道全夹断的工作区条件：VGS<VGS(off)IG≈0，ID=0

击穿区VDS增大到一定值时近漏极PN结雪崩击穿ID/mAVDS/V0VDS=VGS–VGS(off)VGS=0V-2V-1.5V-1V-0.5V造成

ID剧增。VGS越负则VGD越负相应击穿电压V(BR)DS越小

JFET转移特性曲线

同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。ID=0时对应的VGS值夹断电压VGS（off）。VGS(off)ID/mAVGS/V0IDSS

(N沟道JFET)ID/mAVGS/V0IDSSVGS(off)

(P沟道JFET)VGS=0时对应的ID值饱和漏电流IDSS。JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。

JFET电路模型VGSSDGIDIG0ID(VGS)+-gmvgsrdsgdsidvgs-vds++-SIDGD（共源极）（直流电路模型）（小信号模型）利用得

场效应管与三极管性能比较项目

器件

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