模拟电子技术基础01-3讲义晶体管课件

总结三、晶体管的共射特性曲线

特性曲线：晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。

（1）输入特性曲线：输入特性曲线

由于发射结是正向偏置的PN结，所以它的曲线与PN结的曲线相似。

uCE增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同uBE，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。输出特性曲线

发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置，此时截止区放大区发射结电压大于开启电压，即发射结正向偏置，且集电结反向偏置，此时当υCE增加时，集电结上加的反向偏置电压也随之增加，当υCE增加到一定电压（V(BR)CEO）时，集电结被击穿，iC突然猛增。击穿区两个结都正偏，即Vb>Ve、Vb>Vc(NPN)Vb<Ve、Vb<Vc(PNP)发射结正偏，集电结反偏，即Vc>Vb>Ve(NPN)Vc<Vb<Ve(PNP)发射结反偏，即Vb<Ve(NPN)Vb>Ve(PNP)总结饱和区截止区放大区例题1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。问：硅还是锗？管子是NPN还是PNP？A、B、C分别对应哪个极？管子工作在放大区分析A对应基极、B对应发射极VC最大发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（硅）或是0.2V（锗）硅管；A和B对应基极和发射极VA-VB=0.7VC肯定是集电极NPN在放大区时Vc>Vb>VePNP在放大区时Vc<Vb<VeNPN例题3测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为(1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V(2)Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V(3)Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V问：管子工作在输出特性曲线的什么区？分析(1)发射结正偏、集电结反偏；工作在放大区。(2)发射结正偏、集电结正偏；工作在饱和区。(3)发射结反偏；工作在截止区。⒈共射极电流放大系数β

β和在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等。β的值一般选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能力差。⒉极间反向电流①集电极—基极反向饱和电流ICBO②集电极—发射极反向饱和电流ICEO

四、晶体管的主要参数发射极开路，c、b间加上一定的反向电压时的反向电流。在一定温度下，这个反向电流基本上是个常数，所以成为反向饱和电流，这个电流很小，它随温度的变化而变化。基极开路，c、e间加上一定的反向电压时的集电极电流。该电流从集电区穿过基区流至发射区，所以又称穿透电流。ICEO=（1+β）ICBO集电结上允许损耗的功率最大值PCM。超过该值，管子发热，性能下降，甚至烧毁。温度越高，PCM值越小，所以晶体管的使用受到环境温度的限制。硅管的上限温度达150℃、锗管的达70℃。为了降低温度，常采用加散热装置的方法。

②最大集电极耗散功率V（BR）EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。③反向击穿电压V（BR）CBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。V（BR）CEO：基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。五、温度对晶体管的影响

ICBO：随温度的升高而增加。对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要。但对大功率硅管不能忽略。对锗管该变化也很重要。20℃40℃六、光电三极管光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。所以光敏三极管的外形，有光窗、