标准解读
《JJG 48-2004 硅单晶电阻率标准样片》是一项国家标准,其主要目的是规定硅单晶电阻率标准样片的计量性能要求、技术要求、检定方法及检定结果处理等。该标准适用于新制造、使用中和修理后的硅单晶电阻率标准样片的首次检定、后续检定以及使用中的检验。
根据标准内容,硅单晶电阻率标准样片需满足一定的物理特性要求,包括但不限于尺寸规格、表面状态等。此外,对于电阻率值及其不确定度也有明确的规定,确保这些样片能够作为准确可靠的参考物用于校准或测试其他材料的电阻率。
在检定过程中,需要采用适当的方法来测量硅单晶样片的电阻率,并对测量结果进行分析以确定是否符合标准要求。这通常涉及到使用四探针法或其他认可的技术手段来进行精确测量。同时,还应考虑环境条件(如温度)对测量结果的影响,并采取相应措施减少或消除此类影响。
标准中还详细描述了如何处理检定结果,包括记录保存方式、证书格式等内容,旨在保证整个过程的一致性和可追溯性。通过遵循此标准,可以有效提高硅单晶电阻率测量的准确性与可靠性,促进相关领域内质量控制水平的提升。
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文档简介
中华人民共和国国家计量检定规程
JJG48—2004
硅单晶电阻率标准样片
StandardSliceofSingleCrystalSiliconResistivity
2004-09-21发布2005-03-21实施
国家质量监督检验检疫总局发布
JJG48—2004
硅单晶电阻率标准样片
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检定规程췍JJG48—2004췍
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代替JJG48—1990췍
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VerificationRegulationofStandard
SliceofSingleCrystalSiliconResistivity
本规程经国家质量监督检验检疫总局于年月日批准并自
20040921
年月日施行
20050321。
归口单位:全国无线电计量技术委员会
主要起草单位:中国计量科学研究院
参加起草单位:广州半导体材料研究所
本规程委托全国无线电计量技术委员会负责解释
JJG48—2004
本规程主要起草人:
鲁效明中国计量科学研究院
()
参加起草人:
谢鸿波广州半导体材料研究所
()
JJG48—2004
目录
范围……………………
1(1)
概述……………………
2(1)
计量性能要求…………
3(1)
标准样片的电阻率的测量范围……………………
3.1(1)
标准样片的标称值…………………
3.2(1)
标准样片应具备的参数及性能要求………………
3.3(1)
通用技术要求…………
4(2)
计量器具控制…………
5(3)
检定条件……………
5.1(3)
检定项目及检定方法………………
5.2(5)
检定结果的处理……………………
5.3(7)
检定周期……………
5.4(8)
附录硅单晶电阻率标准样片温度修正系数表……
A(9)
附录硅单晶电阻率标准样片的清洗方法…………
B(10)
附录硅单晶电阻率标准样片检定原始记录………
C(11)
附录硅单晶电阻率标准样片检定证书及检定结果通知书内页格式……………
D(12)
附录硅单晶电阻率标准样片检定结果的计算与处理……………
E(13)
附录计算硅单晶电阻率标准样片的各种修正系数表……………
F(15)
附录不同直径的硅单晶电阻率标准样片距边缘处的修正系数表F…
G6mm(eg)(16)
JJG48—2004
硅单晶电阻率标准样片检定规程
1范围
本规程适用于硅单晶电阻率标准样片的首次检定后续检定和使用中的检验
、。
2概述
硅单晶电阻率标准样片以下简称标准样片是用高纯多晶硅经过单晶制备再
(),,
经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的具有一定几何尺寸的实物标准由不确定度已知的
,。
标准装置对该实物标准的电阻率及其它指标给予标定使用时以标准样片为准对相
,,,
关参数进行量值传递
。
3计量性能要求
标准样片的电阻率的测量范围
3.1
电阻率的测量范围
0.005Ω·cm~5000Ω·cm。
标准样片的标称值
3.2
标准样片的标称值应符合下述个规格中的一个见表
19,1:
表1标准样片的标称值
Ω·cm
电阻率标称值
0.0050.010.020.050.10.20.5125
102575180250500100020005000
标准样片应具备的参数及性能要求
3.3
标准样片除具有电阻率标称值和实际值外还应有下列参数或数据导电类
3.3.1,,:
型掺杂元素直径值厚度值和使用要求
、、、。
对不同级别的标准样片各项指标的要求见表
3.3.2,2。
表2标准样片的各项指标
样片级别
合格指标
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