标准解读

《GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法》与《GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法》相比，在多个方面进行了修订和完善。这些变化主要包括术语定义的更新、测量设备要求的明确化、以及测试步骤和数据处理方式的具体化。

在术语部分，《GB/T 6619-2009》对“硅片弯曲度”等关键概念给出了更加准确的定义，确保了行业内外对于该标准的理解一致性。同时，新版本还增加了对不同种类硅片（如单晶硅片、多晶硅片）适用性的说明，扩大了标准的应用范围。

关于测量设备，《GB/T 6619-2009》不仅指定了使用哪种类型的仪器进行检测，而且详细规定了其精度要求和技术参数，这有助于提高测试结果的一致性和可靠性。此外，新版标准还强调了环境条件控制的重要性，比如温度和湿度等因素如何影响最终的测量值。

测试程序方面，《GB/T 6619-2009》细化了样品准备、放置位置、读数记录等一系列操作流程，并且引入了更为科学的数据分析方法来评估硅片的弯曲程度。通过这种方式，可以更精确地反映硅片的实际状态，减少人为因素造成的误差。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
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文档简介

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犎８０

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜６６１９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５

硅片弯曲度测试方法

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

中华人民共和国

国家标准

硅片弯曲度测试方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—２００９

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街１６号

邮政编码：１０００４５

网址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

电话：６８５２３９４６６８５１７５４８

中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷

各地新华书店经销

开本８８０×１２３０１／１６印张０．７５字数１６千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

书号：１５５０６６·１３９５６０

如有印装差错由本社发行中心调换

版权专有侵权必究

举报电话：（０１０）６８５３３５３３

书

犌犅／犜６６１９—２００９

前言

本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６《硅片弯曲度测试方法》。

本标准与ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６相比，主要变化如下：

———本标准接触式测量方法格式按ＧＢ／Ｔ１．１格式编排；

———本标准根据我国实际生产情况增加了非接触式测量方法。

本标准代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５《硅片弯曲度测试方法》。

本标准与ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５相比，主要有如下变动：

———扩大了可测量硅片范围为直径不小于２５ｍｍ，厚度为不小于１８０μｍ，直径和厚度比值不大于

２５０的圆形硅片；

———增加了引用文件、术语、意义用途、测量环境条件和干扰因素等章节；

———修改了仪器校正的内容。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司。

本标准主要起草人：刘玉芹、蒋建国、冯校亮、张静雯。

本标准所替代标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ６６１９—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５。

Ⅰ

书

犌犅／犜６６１９—２００９

硅片弯曲度测试方法

方法１接触式测量方法

１范围

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）弯曲度的接触式测量方法。

本标准适用于测量直径不小于２５ｍｍ，厚度为不小于１８０μｍ，直径和厚度比值不大于２５０的圆形

硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片

弯曲度。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１计数抽样检验程序第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半导体

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