标准解读

GB/T 4937.15-2018 是《半导体器件 机械和气候试验方法》系列标准的一部分,专门针对通孔安装器件的耐焊接热性能进行规定。该标准旨在通过一系列严格的测试条件来评估这类半导体器件在经历焊接过程中的热应力后能否保持其功能性和可靠性。

根据标准内容,主要测试方法包括但不限于将被测样品暴露于模拟实际焊接条件下的高温环境中,具体温度、时间等参数需严格遵循标准中给出的规定值。目的是为了确保器件能够承受住电路板组装过程中可能遇到的极端温度变化而不发生损坏或性能下降。此外,还对试验后的外观检查及电气特性测试提出了要求,以验证器件是否仍符合使用前的技术规格。

此标准适用于所有采用通孔技术安装到印刷电路板上的半导体分立元件和集成电路产品。它为制造商提供了统一的测试依据,有助于提高产品质量控制水平,并促进不同供应商之间产品的互换性。同时,也为用户选择适合特定应用场景需求的产品时提供了重要参考信息。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-09-17 颁布
  • 2019-01-01 实施
©正版授权
GB/T 4937.15-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热_第1页
GB/T 4937.15-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热_第2页
GB/T 4937.15-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热_第3页
GB/T 4937.15-2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热_第4页
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文档简介

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493715—2018/IEC60749-152010

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第15部分通孔安装器件的耐焊接热

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part15Resistancetosolderintemeratureforthrouh-holemounteddevices

:gpg

(IEC60749-15:2010,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493715—2018/IEC60749-152010

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

GB/T493715—2018/IEC60749-152010

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493715。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-15:2010《15:

通孔安装器件的耐焊接热

》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验锡焊

———GB/T2423.28—20052:T:

(IEC60068-2-20:1979,IDT)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所北京大学微电子研究院无锡必创传感科

:、、

技有限公司

本部分主要起草人高金环彭浩柳华光黄杰高兆丰崔波张威陈得民周刚

:、、、、、、、、。

GB/T493715—2018/IEC60749-152010

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第15部分通孔安装器件的耐焊接热

:

1范围

的本部分规定了耐焊接热的试验方法以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或

GB/T4937,

烙铁焊接引线时产生的热应力的能力

为制定具有可重复性的标准试验程序选用试验条件较易控制的浸焊试验方法本程序为确定器

,。

件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤

,。

本试验为破坏性试验可以用于鉴定批接收及产品检验

,、。

本试验与基本一致但鉴于半导体器件的特殊要求采用本部分的条款

IEC60068-2-20,,。

2总则

电路板背面的焊接热可经过引线传导进入器件封装内本部分不适用于在器件本体所在的电路板

一侧进行波峰焊或回流焊的情况

3试验设备

31焊槽

.

焊槽尺寸应足够大至少可以容纳焊料并可将引线完全浸入而不触及槽底该焊槽应能使

,1kg,。

焊料保持在表所规定的温度

1。

32浸焊装置

.

表1浸焊参数

参数条件波峰焊条件烙铁焊

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