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基于ECM机理阻变存储器（RRAM）的细丝生长方向简介伍法才2015-7-20Outline基于ECM机理的RRAM介绍 导电通路生长过程的三种情况导电通路生长过程的影响因素导电通路生长位置的控制方法ECM典型机理活性电极惰性电极固态电解质基于ECMRRAM的典型结构基于ECM机理的RRAM简单介绍ECM——electrochemicalmetallizationmemoriesOutline基于ECM机理的RRAM介绍

导电通路生长过程的三种情况导电通路生长过程的影响因素导电通路生长位置的控制方法type1:导电通路生长方向-惰性电极开始type1—这种导电细丝生长方向一度被认为适用于所有ECM机理。这种生长例子还有Ag/Ag–As2S3/Au，Ag/Ag–Ge–Se/Ni(orAl,W)，Cu/Ta2O5/Pt等等。然而2012年后陆续观测到与此不同的生长方向。探索其背后的生长机理尤为重要。以H2O为电解质，在Ag上加正压Ref.GUOX,etal.AppliedPhysicsleeters,2010,21:045202.type2:导电通路生长方向-活性电极开始以ZrO2为电解质，在Pt上加负向扫描电压Ref.QiLiu,etal.Adv.Mater.2012,24,1844–1849.以这种生长方向的例子还有Ag(orCu,Ni)/ZrO2/Pt，Ag/a-Si/W，Au/ZnO/Au等。电解质PEDOT：PSS(两种有机聚合物)type3:导电通路生长方向-中间开始Ref.S.Gao,etal.Appl.Phys.Lett.102(2013)141606.总结e电解质PEDOT：PSS(两种有机聚合物)活性电极惰性电极+-e活性电极阳离子惰性电极+-活性电极惰性电极电解质ZnO活性电极阳离子e+-e活性电极活性电极阳离子惰性电极type1type2type3Outline基于ECM机理的RRAM介绍

导电通路生长过程的三种情况导电通路生长过程的影响因素导电通路生长位置的控制方法type1——情况a,dtype2——情况btype3——情况cμ代表离子迁移速率，Γi代表氧化还原反应速率μ决定离子成核位置从而控制细丝生长方向Γi决定离子供给从而控制细丝生长形状Ref.Y.C.Yangetal.Nat.Commun.5:4232(2014).Outline基于ECM机理的RRAM介绍

导电通路生长过程的三种情况导电通路生长过程的影响因素导电通路生长位置的控制方法μ电场越强，温度越高，离子迁移率越大。Ref.IliaValovetal.Nanotechnology22(2011)289502(1pp).b-h,forming过程。细丝从Ag开始生长延伸到W.升温加电压，发现形成的细丝在W这一侧更粗，说明细丝先从W开始生长延伸到Ag.Ref

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