标准解读

GB/T 4298-1984 标准规定了使用活化分析方法测定半导体硅材料中杂质元素含量的技术要求。该标准适用于通过核反应激活样品中的特定元素，然后测量放射性衰变产物来定量分析硅材料中微量或痕量杂质的方法。

根据此标准，首先需要对样品进行适当的预处理，包括清洗和称重等步骤，以确保分析结果的准确性。接着，将处理好的硅样品置于中子源中辐照一定时间，使样品内某些杂质元素发生核反应而被激活成放射性同素异形体。辐照结束后，取出样品并让其冷却一段时间，以便于短寿命放射性核素衰减到可检测水平。

随后，利用γ射线谱仪或其他适合的仪器设备对激活后的样品进行测量，记录下各个特征能量峰的位置及强度信息。基于这些数据，并结合已知的标准曲线或理论计算模型，可以推算出样品中目标杂质元素的具体浓度值。

在整个过程中，需要注意控制实验条件（如辐照剂量、冷却时间等）的一致性和重复性，同时也要考虑到背景辐射等因素可能带来的干扰影响。此外，对于不同类型的杂质元素，由于它们与中子相互作用的概率以及生成的放射性同位素性质存在差异，因此在实际操作时还需针对具体情况选择合适的活化参数和技术手段。


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  • 废止
  • 已被废除、停止使用，并不再更新
  • 1984-03-28 颁布
  • 1985-03-01 实施
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UDC669.782:543.06:621.315.592中华人民共和国国家标准GB4298-84半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法Theactivationanalysismethodforthedeterminationoflimpuritiesinsemiconductorelementalrsiliconmaterials1984-03-28发布1985-03-01实施家标佳局批准

中华人民共和国国家标准半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB4298-84中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471984年10月第一版20106年7月电子版制作书号：15169·1-2627版权专有浸权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准UDC669.782半导体硅材料中杂质元素的：543.06:621.315.592活化分析方法GB4298-84Theactivationanalysismethodforthedeterminationofelementalimpuritiesinsemiconductorsiliconmaterials本标准适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质元素和非金属杂质元素含量的测定。本标准包括杂质元素（十六个）的反应堆中子活化仪器分析方法、铜和砷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、磷的反应堆中子活化放射化分离分析方法、氧的粒子活化仪器分析方法和碳的尔子活化仪器分析方法。第一篇杂质元素（十六个）的反应堆中子活化仪器分析方法适用范围本篇方法适用于单晶硅、多晶硅中十六个杂质元素的测定。测定范围：航量大于1×10ppmi镍量大于2×10-ppm，铁量大于1×10-2ppm，钴量大于2×10-ppm，铜量大于5×10-5ppmi锌量大于5×10"ppm，家量大于9×10°ppm，砷址大于6×10-ppm；银量大于6×10-ppmi第量大于2×10-ppm，钢量大于1×10ppm；销量大于3×10-ppm，担世大于3×10ppm;鸽量大于7×10ppm；金量大于6×10ppm；铬量大于1×10“ppm。原理硅材料经反应堆中子辐照后，硅基体和待测元素「镇除外，镍经（"，p）反应】均经（"，？）反应生成放射性核素（见表1）。冷却适当时间，待“Si衰变后（"Si的半衰期为2.62h)，用y谱仪测量各生成核的特征》射线的强度，进行各元素的定量分析。在测定铜量时，要扣除“Na和天然本底在511keV峰中的贡献。·本适用范围由正文中所给下限实验条件（取样最、辐照和测

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