标准解读
《GB/T 4023-1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管》相较于《GB 4023-1986》,在多个方面进行了更新与修订,以适应技术进步及市场需求的变化。首先,在标准的名称上,《GB 4023-1986》直接指明为国家标准,而1997年的版本则增加了“T”,表明其性质转为了推荐性国家标准,这反映了国家对于此类产品标准定位的一种调整。
其次,新版标准对整流二极管的技术要求更加细化和完善,包括但不限于电气特性、环境适应性等方面的要求都得到了加强或补充。例如,在反向恢复时间、正向压降等关键参数的规定上可能有所改进,使得这些指标更能满足实际应用的需求。此外,考虑到环境保护等因素,新版本还可能增加了关于有害物质限制的内容。
再者,《GB/T 4023-1997》也可能引入了新的测试方法和技术条件,以确保产品的质量控制更为科学合理。比如,可能会采用更先进的测量仪器或者规定了更为严格的检验流程来保证数据准确性。
最后,随着国际标准化组织(ISO)以及其他相关国际机构发布的最新指南文件,该版标准也有可能参考并采纳了一些国际通用的做法,旨在促进我国半导体行业与国际接轨。通过这种方式,不仅提高了国内产品的竞争力,也为进出口贸易提供了便利。
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文档简介
TCS31.080.10L41中华人民共和国国家标准GB/T.4023-1997eavIEC747-2.1983半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratedcircuitsPart2:Rectifierdiodes1997-10-07发布1998-09-01实施国家技术监督局发布
GB/T4023-1997次前言IEC序言/IEC前言第I篇1引言2范围3整流二极管的标志第I篇术语和文字符号通用术语2关于额定值和特性的术语2.1电压2.2电流2.3耗散功率2.44其他特性3文字符号3.1、概述·…3.2补充的通用下标3.3文字符号一览表·····第工第基本额定值和特性溉述1.1、适用范围1.2颜定方式1.3推荐温度2额定条件2.1环境额定的整流二极管2.2管壳额定的整流二极管3电压和电流的额定值(极限值)3.1电压额定值3.2电流额定值4频率额定值(极限值)…耗散功率额定值(极限值)S5.1反向(不重复)浪涌耗散功率(雪崩整流二极管和可控雪崩整流二极管的)5.2反向重复峰值耗散功率(可控雪崩整流二极管的》……5.3反向平均耗散功率(可控雪崩整流二极管的)
GB/T4023-19976温度额定值(极限值)……6.1冷却流体温度或基准点温度(环境额定或管壳额定的整流二极管)6.2财存温度(T·)6.3等效结温(T)……………电特性……………….7.1正向特性…·7.2正向电压(在热平衡条件下)……………7.3击穿电压(V.r,)不重复使用时雪崩整流二极管的)7.4反向重复峰值电流。………·…·…………·………··…··…·7.5总耗散功率…单个正弦半波正向电流脉冲的最大总能量(特别适用于快开关二极管)7.67.7恢复电荷(Q,)…7.8反向恢复峰值电流·………………·7.9反向恢复时间(z。)…·7.10正向恢复时间(ta)8热特性?……………·138.1腰态热阻抗(Zm,)…….···机械特性和其他资料·13910应用资料10.1稳态工作10.2瞬态条件14第N篇测试方法1电特性…………i.1一般注意事项……11.2正向电压…151.3雪崩整流二极管和可控雪崩整流二极管的击穿电压(V.er,)反向电流…·1.4181.5恢复电荷Q,和反向恢复时间211.6正向恢复时间"和正向恢复峰值电压Vrrm22.11基准点温度…2.2热阻和态热阻抗…263额定值(极限值)验证…正向(不重复)浪涌电流(/rsu)……………3.1283.2反向不重复峰值电压(Vrsm)…·33.3雪崩和可控雪崩整流二极管的反向峰值功率(重复或不重复的)PrmM.Pew)3.4管亮非破坏峰值电流………….334热循环负载试验………………····…······335
GB/r4023-1997第V篇接收和可靠性第1节定型试验和例行试验定型试验352例行试验·侧量和试验方法·36第2节电耐久性试验一般要求.362特殊要求……………36附录A(提示的附录)随时间变化的负载能力计算方法附录B(提示的附录)瞬态热阻抗测试方法(快速测试法)44
GB/T4023-1997前国家标准GB4023—86《半导体分立器件第2部分:整流二极管》是80年代中期,根据当时的工业科技水平及使用的实际需要而制订的,等效采用了IEC747-2(1983)《半导体器件分立器件和集成电路第2部份:整流二极管》的全部内容及其所引用的IEC747-1(1983)《半导体器件总则》的有关部分。此外,又根据我国国情,补充了“瞬态热阻抗”的(快速)测试方法等。随著科学技术的发展和生产技术的进步,十年来国内情况发生了不同程度的变化。国际电工委员会也对IEC747-2作过两次修订,为此本标准等效采用IEC747-2:1983《半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》和1992、1993年两次修订的全部技术内容,这样,通过使我国标准尽可能与国际一致或等同,以尽快适应国际贸易、技术和经济交流以及采用国际标准飞跃发展的需要。本标准适用于整流二极管的一般要求、参数测试以及接收和可靠性的要求。在引用本标准时,有关的具体要求应在相应的详细规范中加以规定。本标准的附录A、附录B是提示的附录。本标准由中华人民共和国电子工业部提出本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口.本标准由中国振华集团永光电工厂和西安电力电子技术研究所负责起草。本标准主要起草人:王继红、杨子江、秦贤满、邹盛琳。
GB/T4023-1997IEC本标准由国际电工委员会第47技术委员会(半导体分立器件和集成电路)制定IEC747-2号标准构成IEC747半导体器件通用标准的第2部分。除IEC747-1通用标准之外,本标准中所给出的各项标准使整流二极管的标准超于完善。1982年9月在伦敦举行的第47技术委员会会议上,批准了将IEC147和IEC148号标准改编成现在按器件编排的形式的建议。由于所有组成部分都已预先按·六个月法'或·二个月程序"表决批准,所以不需要重新表决。以前出现在IEC147和IEC148中有关集成电路的内容,现在将包括在IEC748中。以前出现在IEC147-5和IEC147-5A中有关机械和气候试验方法,现在将包括在IEC749中。由于第47技术委员会不断的进行工作,并注意到各种半导体器件领域中的进步,所以通过对本标淮的修订和扩充将使本标准跟上时代的发展。IEC前言1)IFC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议,以推荐标准的形式供国际上使用,并在此意义上为各国家委员会所认可3)为了促进国际上的统一,IEC希型各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准。IEC标准与相应国家标准之间的差异,应尽可能在国家标准中指明。
中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件和集成电路CB/T4023-1997第2部分:整流二极管cqvIEC747-2.1983代特GB4023-86SemiconductordevicesDiscretedeyicesandintegratedcircujtsPart2:Rectifierdiodes第!篇总1引通常,本标准要与IEC747-1一起使用,本标准涉及以下全部基础资料:·术语:文字符号:基本额定值和特性;-测试方法;-接收和可靠性。2范围本标准给出了下列种类或分类器件的标准:整流二极管,包括雪崩整流二极管;可控雪崩整流二极管:-快开关整流二极管。3整流二极管的标志每只整流二极管必须清晰、年固地打印上下列标志:-制造厂名称或商标;制造厂或供应商的标
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