GB/T 40110-2021表面化学分析全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染

ICS7104040

CCSG.04.

中华人民共和国国家标准

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化学分析

全反射X射线荧光光谱法TXRF

()

测定硅片表面元素污染

Surfacechemicalanalysis—Determinationofsurface

elementalcontaminationonsiliconwafersbytotal-reflection

X-rafluorescenceTXRFsectrosco

y()ppy

(ISO14706:2014,IDT)

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………2

原理

5………………………2

仪器设备

6…………………2

试样制备及其测量环境

7…………………2

校准参考物质

8……………3

安全性

9……………………3

测量程序

10…………………3

结果表达

11…………………4

精密度

12……………………5

测试报告

13…………………5

附录资料性参考物质

A()………………6

附录资料性相对灵敏度因子

B()………………………7

附录资料性参考物质制备

C()…………10

附录资料性法

D()VPD-TXRF………………………13

附录资料性掠射角设置

E()……………14

附录资料性国际实验室间试验结果

F()………………17

参考文献

……………………20

Ⅰ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化学分析全反射射线荧光光谱法测定硅片表

ISO14706:2014《X(TXRF)

面元素污染

》。

与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

洁净室及相关受控环境第部分空气洁净度等级

———GB/T25915.1—20101:(ISO14644-1:

1999,IDT)

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本文件起草单位中国计量科学研究院华南理工大学

:、。

本文件主要起草人王海张艾蕊王梅玲任丹华徐昕荣范燕

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

引言

本文件是为了测量硅片表面元素污染的需要而制定的它是在和基础半

,ASTMF1526、SEMIM33

导体技术发展研究所发布的一个

(InstituteofBasicSemiconductorTechnologyDevelopment)UCS

超洁净学会标准化文件的基础上制定而成的

(Ultra-CleanSociety,)。

需要利用参考物质来做定量分析原子表面密度低于102的有证参考物质难

TXRF。10atoms/cm

以获得即使能够获得从环境引入的污染也可能会缩短这些参考物质的有效期

。,。

出于校准目的相关分析实验室都将需要制备和分析参考物质因此需要分别制定

,TXRF。,

测量程序和参考物质制备两个标准化文件本文件为前者即关于测量程序的标准化

TXRF。,TXRF

文件

。

Ⅳ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化学分析

全反射X射线荧光光谱法TXRF

()

测定硅片表面元素污染

1范围

本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的

TXRF

方法

。

本文件适用于以下情形

:

原子序数从到的元素

———16(S)92(U);

原子表面密度介于102142之间的污染元素

———1×10atoms/cm~1×10atoms/cm;

采用气相分解样品制备方法得到的原子表面密度介于8212

———VPD()5×10atoms/cm~5×10at-

2之间的污染元素见

oms/cm(3.4)。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

洁净室及相关控制环境第部分空气洁净度等级

ISO14644-11:(Cleanroomsandassociated

controlledenvironments—Part1:Classificationofaircleanliness)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

全反射totalreflection

掠入射射线辐照到一种具有较大射线光密度的介质时在两种介质边界处发生的完全反射

XX,。

注硅片对于射线的折射率小于以小的掠射角入射到硅片表面的射线会在硅片表面发生全反射此时反