GB/T 32814-2016硅基MEMS制造技术基于SOI硅片的MEMS工艺规范

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技术

基于SOI硅片的MEMS工艺规范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

SpecificationforcriterionoftheSOIwaferbasedMEMSprocess

2016-08-29发布2017-03-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32814—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

工艺流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片清洗

4.2……………2

掩膜制备

4.3……………2

干法刻蚀

4.4……………4

结构释放

4.5……………5

硅片去掩膜

4.6…………………………7

工艺加工能力

5……………7

工艺能力要求

5.1………………………7

工艺稳定性要求

5.2……………………8

工艺保障条件要求

6………………………8

人员要求

6.1……………8

环境要求

6.2……………8

设备要求

6.3……………8

原材料及辅助材料要求

7…………………9

安全与环境操作要求

8……………………9

安全

8.1…………………9

化学试剂

8.2……………10

排放

8.3…………………10

检验

9………………………10

总则

9.1…………………10

关键工艺检验

9.2………………………10

最终检验

9.3……………11

GB/T32814—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准主要起草单位西北工业大学中机生产力促进中心

:、。

本标准主要起草人苑伟政谢建兵李海斌乔大勇马志波常洪龙刘伟

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32814—2016

硅基MEMS制造技术

基于SOI硅片的MEMS工艺规范

1范围

本标准规定了采用硅片进行器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求

SOIMEMS。

本标准适用于硅基制造技术中基于硅片的器件的加工和质量检验

MEMSSOIMEMS。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

洁净厂房设计规范

GB50073

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T26111。

31

.

绝缘体上硅silicon-on-insulatorSOI

;

在两层硅中间引入一层氧化层形成一种硅二氧化硅硅的三明治结构的技术其中顶层硅称

,“--”。

为器件层底层硅称为衬底层二氧化硅层称为埋层

(devicelayer),(handlelayer),(buriedlayer)。

注目前制备硅片的技术包括注氧隔离技术硅片键合和背面减薄

:SOI(separationbyimplantedoxygen,SIMOX)、

技术和将键合与注入相结合的智能剥离技术

(bondingSOI,BSOI)(smartcut)。

32

.

释放releasing

使结构中的可动部分与其余部分分离使其可动的过程

MEMS,。

33

.

深反应离子刻蚀deepreactivelonetchingDRIE

;

一种具有高深宽比的反应离子刻蚀方法通常采用感应耦合等离子体