标准解读
《GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范》是一项国家标准,旨在为基于绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)材料的微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)器件的设计与制造提供指导。该标准详细规定了使用SOI晶圆作为基底材料时,在MEMS加工过程中应遵循的技术要求、操作步骤及质量控制方法。
标准首先明确了适用范围,指出其适用于以SOI硅片为衬底材料进行MEMS结构制备的各种应用场景。接着定义了一些关键术语和缩略语,帮助读者理解后续内容中出现的专业词汇。在材料方面,对用于MEMS制造的SOI硅片提出了具体的质量要求,包括但不限于厚度均匀性、表面平整度以及缺陷密度等参数指标。
关于工艺流程,《GB/T 32814-2016》提供了从设计到最终测试整个生产链路中的重要环节说明。这其中包括但不限于图案转移(如光刻)、刻蚀技术(湿法或干法)、薄膜沉积、键合以及释放等核心工序的操作指南。对于每一步骤,标准都给出了推荐的方法和技术参数,并强调了在整个过程中保持高精度与一致性的必要性。
此外,还特别关注了安全环保问题,提醒相关企业在实施上述工艺时应注意遵守国家有关化学品管理、废物处理等方面的法律法规。同时,也提到了产品检验规则,建议采用适当的方法对成品进行性能评估,确保符合既定规格要求。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2016-08-29 颁布
- 2017-03-01 实施




文档简介
ICS31200
L55.
中华人民共和国国家标准
GB/T32814—2016
硅基MEMS制造技术
基于SOI硅片的MEMS工艺规范
Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—
SpecificationforcriterionoftheSOIwaferbasedMEMSprocess
2016-08-29发布2017-03-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T32814—2016
目次
前言
…………………………Ⅰ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
工艺流程
4…………………1
概述
4.1…………………1
硅片清洗
4.2……………2
掩膜制备
4.3……………2
干法刻蚀
4.4……………4
结构释放
4.5……………5
硅片去掩膜
4.6…………………………7
工艺加工能力
5……………7
工艺能力要求
5.1………………………7
工艺稳定性要求
5.2……………………8
工艺保障条件要求
6………………………8
人员要求
6.1……………8
环境要求
6.2……………8
设备要求
6.3……………8
原材料及辅助材料要求
7…………………9
安全与环境操作要求
8……………………9
安全
8.1…………………9
化学试剂
8.2……………10
排放
8.3…………………10
检验
9………………………10
总则
9.1…………………10
关键工艺检验
9.2………………………10
最终检验
9.3……………11
GB/T32814—2016
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC336)。
本标准主要起草单位西北工业大学中机生产力促进中心
:、。
本标准主要起草人苑伟政谢建兵李海斌乔大勇马志波常洪龙刘伟
:、、、、、、。
Ⅰ
GB/T32814—2016
硅基MEMS制造技术
基于SOI硅片的MEMS工艺规范
1范围
本标准规定了采用硅片进行器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求
SOIMEMS。
本标准适用于硅基制造技术中基于硅片的器件的加工和质量检验
MEMSSOIMEMS。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
微机电系统技术术语
GB/T26111(MEMS)
洁净厂房设计规范
GB50073
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T26111。
31
.
绝缘体上硅silicon-on-insulatorSOI
;
在两层硅中间引入一层氧化层形成一种硅二氧化硅硅的三明治结构的技术其中顶层硅称
,“--”。
为器件层底层硅称为衬底层二氧化硅层称为埋层
(devicelayer),(handlelayer),(buriedlayer)。
注目前制备硅片的技术包括注氧隔离技术硅片键合和背面减薄
:SOI(separationbyimplantedoxygen,SIMOX)、
技术和将键合与注入相结合的智能剥离技术
(bondingSOI,BSOI)(smartcut)。
32
.
释放releasing
使结构中的可动部分与其余部分分离使其可动的过程
MEMS,。
33
.
深反应离子刻蚀deepreactivelonetchingDRIE
;
一种具有高深宽比的反应离子刻蚀方法通常采用感应耦合等离子体
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