标准解读

《GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法》是中国国家标准之一，该标准规定了碳化硅单晶片表面平整度的测量方法。其主要适用于直径不小于2英寸（约50.8毫米）且厚度不超过635微米的碳化硅单晶片。

根据此标准，平整度定义为样品表面上任意两点间最大高度差值。标准中推荐使用接触式或非接触式的轮廓仪作为主要检测工具，并对这些仪器的操作条件进行了详细说明，比如环境温度应控制在23±2℃范围内，相对湿度保持在45%～75%之间等。

对于具体的测试步骤，《GB/T 32278-2015》给出了详细的指导：首先需要清洁待测样品表面，然后将样品放置于指定位置进行固定；接着按照选定的方法调整好设备参数后开始扫描整个表面；最后通过分析获得的数据来计算出样品的最大峰谷值即为其平整度。

此外，该标准还提供了不同尺寸规格下碳化硅单晶片的平整度要求以及如何处理异常数据等方面的指导信息。例如，在某些情况下如果发现有明显缺陷或者污染点影响到了最终结果，则需排除这部分数据再重新计算平均值。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-12-10 颁布
  • 2017-01-01 实施
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GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法_第1页
GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法_第2页
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文档简介

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T32278—2015

碳化硅单晶片平整度测试方法

Testmethodforflatnessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32278—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位北京天科合达蓝光半导体有限公司中国科学院物理研究所

:、。

本标准主要起草人陈小龙郑红军张玮郭钰

:、、、。

Ⅰ

GB/T32278—2015

碳化硅单晶片平整度测试方法

1范围

本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度即总厚度变化局部厚度变化弯曲度

,(TTV)、(LTV)、

翘曲度的测试方法

(Bow)、(Warp)。

本标准适用于直径为厚度碳化硅单晶抛光片平整

50.8mm、76.2mm、100mm,0.13mm~1mm

度的测试

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

洁净厂房设计规范

GB50073

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

局部厚度变化localthicknessvariationLTV

;

以晶片的底平面为参考面晶片表面特定面积区域内厚度最高点最大值和最低点最小值之

,()()()

间的差晶片的指整片上所有测试区域的最大值示意图见图

。LTVLTV,1。

图1局部厚度变化LTV示意图

()

4方法提要

一束平行光被分光镜棱镜分为两束光其中一束经过固定的反射镜形成参考光另一束经过移动

(),,

的反射镜形成测量光参考光和测量光经过分光镜棱镜后汇合如果两束光相位相同光波叠加增

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