GB/T 30701-2014表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定

ICS7104040

G04..

中华人民共和国国家标准

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

表面化学分析硅片工作标准样品表面

元素的化学收集方法和全反射X射线

荧光光谱法TXRF测定

()

Surfacechemicalanalysis—Chemicalmethodsforthecollectionofelements

fromthesurfaceofsilicon-waferworkingreferencematerialsandtheir

determinationbtotal-reflectionX-rafluorescenceTXRFsectrosco

yy()ppy

(ISO17331:2004,IDT)

2014-06-09发布2014-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

缩略语

4……………………2

试剂

5………………………2

仪器设备

6…………………5

试样制备及其测量环境

7…………………5

校准试样的制备

8…………………………6

绘制校准曲线

9……………7

工作标准样品上铁和或镍的收集

10/……………………8

工作标准样品上所收集铁和或镍的测定

11/……………9

精密度

12……………………9

测试报告

13…………………9

附录资料性附录国际实验室间试验项目结果

A()……………………11

附录资料性附录国际实验室间试验项目的和测量结果

B()GF-AASICP-MS……14

Ⅰ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准使用翻译法等同采用表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学

ISO17331:2004《

收集方法和全反射射线荧光光谱法测定

X(TXRF)》。

本标准纳入了的修正内容这些修正内容涉及的条款已通过在其外

ISO17331:2004/Amd.1:2010,

侧页边空白位置的垂直双线进行了标示

(‖)。

本标准由全国微束分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC38)。

本标准起草单位中国计量科学研究院

:。

本标准主要起草人王海宋小平王梅玲高思田冯流星

:、、、、。

Ⅲ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

引言

在半导体工业领域普遍采用全反射射线荧光光谱法测量硅片表面的金属杂质

,X(TXRF)。

规定了测量硅片表面金属杂质原子表面密度介于102142

ISO147061×10atoms/cm~1×10atoms/cm

范围的方法也规定了原子表面密度介于82122范围的气相

TXRF,5×10atoms/cm~5×10atoms/cm

分解方法

(VPD)。

在超大规模集成电路制造中目前需要对硅片表面非常低含量低于102的金

(ULSI),(10atoms/cm)

属杂质进行测量

。

低含量金属杂质的标准样品在分析中很重要见但是标准样品的使用寿命有

TXRF(ISO14706),

限尤其在考虑到表面污染时因此需要对工作标准样品的制备方法进行标准化

,。,。

本标准适用于计算标准硅片和试验硅片表面的金属杂质含量在不同国家的个实验室间完成的

。9

试验表明本标准方法具有良好的复现性和重复性

,。

Ⅳ

GB/T30701—2014/ISO173312004

:

表面化学分析硅片工作标准样品表面

元素的化学收集方法和全反射X射线

荧光光谱法TXRF测定

()

1范围

本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和或镍的化学收集方法气相分解法或直接酸性液滴

/(

分解法和全反射射线荧光光谱法测定

)X(TXRF)。

注可采用石墨炉原子吸收光谱法或电感耦合等离子体质谱法代替全反射射线荧光光谱法来测定所收集的

:X

元素

。

本标准适用于原子表面密度介于92112范围的铁和或镍

6×10atoms/cm~5×10atoms/cm/。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

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(ISO5725-2:1994,IDT)

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ISO14644-1:19991:(Cleanroomsand

associatedcontrolledenvironments—Part1:Classificationofaircleanliness)

表面化学分析硅片表面元素污染的全反射射线荧光光谱法测定

ISO14706:2000X(TXRF)

[Surfacechemicalanalysi