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文档简介

第2章.AC/DC变换(整流变换)2.1(传统)相控整流电路(Rectifier)

目的:将AC→可调DC。主要类型:相控、斩控(PWM整流)。i2ThZTu1u2i0u0Th1ZTu1u2i21u0u2Th2i22i0Th1Zu1u2i2u0Th2i0TTh3Th4Th1Zu1u2i2u0D1i0TTh2D2Th1Zu1u2i2u0Th2i0TD1D2DTh1ZuAuBu0i0TTh4Th3Th6Th5Th2uCabc单相三相桥式2023/2/412.1(传统)相控整流电路Th1Zu0i0Th4Th3Th6Th5Th2uauaubucubuabuacucbubauabucaubcuacuabuacucbubauabucaubcuac261211u0iTh1uGuTh1uφ1665544332三相桥式双反星型(低压大电流)改变触发脉冲位置(出发角)改变输出整流电压大小。触发脉冲形式:宽脉冲脉宽(70-80o,不多用);双窄脉冲(宽约20o相隔60o强触);高频脉冲列(常为10k左右,省去强触,可靠、数字触发)。功率因素λcosα,直流脉动6f0,网侧谐波奇次,大小随α↑而↑。有源逆变:α+β=180o,一般βmin>30o(考虑重叠角等)TuAuBuC135462*********abcabc多相整流(12、18、36相)→多重化:多组三相桥串(并)获取高压(大电流)输出、低直流脉动、低网侧谐波→顺序控制:输出分为多段,不同段投入不同组,使α不致过大进一步减小谐波影响。2023/2/422.1(传统)相控整流电路2.1.2

相控(传统)整流的主要缺陷1.网侧功率因素低、谐波大相控整流电路功率因素:尤其深控,α较大↑→cosα↓,μ↓

(谐波增加)→λ降低。2.闭环系统难以实现快速调节

SCR导通后失控,相邻两个转换点之间相隔:单相桥式电路10ms,三相桥式3.3ms,时滞在0~10ms(3.3ms)之间随机分布;为了抑制输出端纹波,一般带有较大输出滤波电容电感→电路难以对扰动做出快速反应。相控方式本身难以克服上述缺点。解决之道→PWM整流!2023/2/43第2章.

AC/DC变换1.技术思路α相控:调节α斩控PWM调节占空比2.2

PWM整流CrLrRC0D4T4T3D3D2T2T1D1abLsusuNu0isi02.电路拓扑及工作原理单相电压型为例电路拓扑如图:Ls:电路工作在Boost状态所需。Lr、Cr:滤除i0中二次谐波。2023/2/442.2

PWM整流CrLrRC0D4T4T3D3D2T2T1D1abLsusuNu0isi0工作原理:假设C0足够大,使得u0≡U0。(1)

i0>0,us>0(电源电压正半周),D1、D4导通,uN

=+U0;i0>0,us<0(电源电压负半周),D2、D3导通,uN

=-U0。此时Ls释放能量,与电源us一起向负载供电。(2)

is>0,D1、T2或T3、D4导通;is<0,D2、T1或T4、D3导通,电源us沿Ls短路,此时uN

=0,Ls储能,负载R则依靠C0放电维持。(3)i0<0,us<0,T1、T4导通,uN

=+U0;i0<0,us>0,T2、T3导通,uN

=-U0。负载馈能,与电源us一起向Ls储能。U0-U0uNt由以上分析可见,电路工作在Boost状态。桥路的输入电压uN波形将如图所示。若uN波形是采用SPWM调制而成,uN中将含有很少的谐波成分。2023/2/45第2章.

AC/DC变换3.对调制波的要求:进一步分析i0。忽略整流电路的内部损耗,则有:2023/2/462.2

PWM整流2023/2/47第2章.

AC/DC变换

事实上,在电源电压us一定的情况下,改变uN1的幅值以及与us之间的相位差,可以得到PWM整流电路的不同工作状态,如下图所示:整流运行逆变运行SVG运行(StaticVarGenerator)任意容性(或感性)运行三相PWM整流电路分析类似,可参见有关文献。2023/2/482.2

PWM整流4.电路控制主要两类控制方案:(1)间接电流控制PI××RsωLs---+又称幅相控制,优点:简单易实现。不足:(1)运算系根据系统的静态模型,动态性能欠缺。(2)运算使用电路参数,实际参数变化影响控制效果。2023/2/49第2章.

AC/DC变换(2)直接电流控制PI×-

直接电流控制结构简单,电流调节响应快,对扰动鲁棒性好,故应用较多。近多年对于三相PWM则多采用SVPWM。2023/2/410第2章.

AC/DC变换2.3

同步整流(SR:SynchronousRectifier)主要用于低压大电流集成电路中。如,现代高速集成电路的电源电压甚至降到1V以下。对于这种情况,即使采用SBD(SchottchBarrierDiode)作为整流管往往也难以满足要求,因为SBD通态压降约为0.3~0.6V:整流管承担了相对于电源电压的较大压降;整流效率极低,尤其是在高频的开关电源中。

将功率MOS反接作为整流电路中的整流管→称为同步整流,可以较好解决低压大电流情况的上述问题,近多年被广为采用。以Intersil公司的型号为HUF67145P3的功率MOS为例:UDQ=30V,ID=75A,导通电阻Ron=4.5mΩ

→假设用于输出电压2V,20A负载电流(输出功率40W),

器件导通压降只有90mV:单管管压降占输出电压的0.5%;单管管耗1.8W:占输出功率的4.5%。若采用通态压降0.3V的SBD,管耗将达6W

→单管管压降占输出电压的15%;单管管耗占输出功率的15%。现已开发出导通电阻Ron=1~2mΩ,电流却高达100A的专用MOS。2023/2/4112023/2/412门极驱动信号和源极电压同步,如源极为高电平时,驱动信号也是高电平则MOS管导通;反之,源极为低电平时,驱动信号也是低电平,则MOS管关断;这样就自然实现了整流,而且电流也只能由源极s流向漏极D。由于是通过门极信号和源极电压同步来实现整流的,因此把这种整流方式称为同步整流。功率MOS管反接,其固有的体二极管极性却是正向的。有时要利用它先导通,以便过渡到功率MOS管进入整流状态。但由于体二极管的正向压降较大,常常不希望它导通或导通时问过长。2.3

同步整流1.同步整流原理uGS=0UDSuGS1uGS2uGS3uGS3>uGS2>uGS1IDMOS的静态输出特性如图所示。正向使用时(漏源极电压为正),栅极施加正向电压会形成导电通道,栅极不加电压或者施加反向电压则会使导电通道夹断。但MOS是逆导器件,反向使用时(漏源极电压为负),栅极不加电压或者施加反向电压MOS也会导通。若栅极再施加正向电压,反而会拓宽导电通道,使导通电阻更小。

如图,将MOS反接在半波整流电路中,即构成所谓同步整流电路。us>0,使MOS的uGS

>0;us<0,使MOS的uGS

<=0。uGS与us保持同步,故称同步整流。usu0u0ustt

同步整流的技术关键是掌握好反接MOS的控制时序。若MOS开通过晚、关断过早,电流将流过体二极管,使导通损耗加大。若MOS开通过早、关断过晚,在桥臂回路中就可能形成桥臂断路。2023/2/4132.典型同步整流电路及其控制时序EVT1VF1+-VT1VF1(1)SR-Buck

SR-Buck是SR在非隔离开关变换器中的典型应用,也是新一代微处理机电源电压调节器模块的基本拓扑。与传统Buck相比,滤波电感更小。美国IR、TI、Intersil公司2001年之后已相继推出用于20A以下的专用集成电路及网络处理单元。但是,如何进一步减小变换器损耗仍是热点话题。VT1VF1EVF1VT1+-**

输入电压较高时,应采用隔离式→取得合适的电压匹配,易于获得低压输出。美国弗吉尼亚电力电子中心早在1998就研究SR在Flyback中的应用,现已有不少型号的模块产品推出。现在主要研究话题:如何进一步减小体积、加大输出功率以及应用软开关等。(2)SR-Flyback2023/2/4142.3

同步整流(3)SR-ForwardEVF1VT1+-**VF2VT1VF1VF2

此外尚有SR-半桥、SR-全桥等等,可参见有关文献不再多述。3.同步整流驱动方式主要有:自驱动(Self-driven:驱动信号来自电路自身中某一元件的电压或电流)、外(控制)驱动(External-drivenorcontrol-driven);电压型、电流型驱动等。***VF1VF2SR全波VF1**VF2SR正激**VF1VF2SR倍流几种典型SR电路的电压型自驱动方式,驱动都直接取自变压器二次绕阻。2023/2/415第2章.

AC/DC变换电压型自驱动尚有通过变压器耦合(驱动取自变压器副边另加的附加绕组)以及驱动取自滤波电感的电路等,可参阅有关文献,不再一一列举。电流型驱动使用相对较少,外驱动则有专门的驱动芯片,也不多贽述。自驱动尤其是电压型自驱动简单易行,但自驱动方式的驱动信号存在:易受变压器原边输入电压以及负载影响、开关管通断状态转换时有较大信号尖峰、变换器死区时段无法提供驱动信号等问题,故建议尽量选用外驱动方式。2.4倍流整流出于电隔离、尤其是电压匹配需要,DC/DC变换器常采用DC→逆变为AC→变压器变换→整流为DC的方案。且为提高功率密度,逆变频率较高(几十kHz)。整流采用桥式,导通元件较多→损耗较大。采用全波(推挽),变压器需中间抽头。故低压大电流多用倍流整流。**VD1VD2usiD1iD2iL1iL2iLiLiCi0u0L1L2CRis倍流整流电路拓扑如图:图中,L1=L2。当us>0:is→L1→负载→VD2构成回路(电源供能,L1储能)。同时,L2经负载→VD2构成回路释能,有is=iL1,iL=iL1+iL2。

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