• 现行
  • 正在执行有效
  • 2013-05-09 颁布
  • 2014-02-01 实施
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GB/T 29507-2013硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法_第1页
GB/T 29507-2013硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法_第2页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T29507—2013

硅片平整度厚度及总厚度变化测试

、

自动非接触扫描法

Testmethodformeasurinflatnessthicknessandtotalthicknessvariation

g,

onsiliconwafers—Automatednon-contactscanning

2013-05-09发布2014-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T29507—2013

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC203)。

本标准起草单位上海合晶硅材料有限公司有研半导体材料股份有限公司

:、。

本标准主要起草人徐新华王珍孙燕曹孜

:、、、。

Ⅰ

GB/T29507—2013

硅片平整度厚度及总厚度变化测试

、

自动非接触扫描法

1范围

本标准规定了直径不小于厚度不小于的切割研磨腐蚀抛光外延或其他表面

50mm,100μm、、、、

状态的硅片平整度厚度及总厚度变化的测试

、。

本标准为非破坏性无接触的自动扫描测试方法适用于洁净干燥硅片的平整度和厚度测试且不

、,、,

受硅片的厚度变化表面状态和硅片形状的影响

、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

31界定的术语和定义适用于本文件

.GB/T14264。

32硅片平整度参数的缩写及定义见表

.1。

表1硅片平整度参数的缩写及定义

测试基准面

缩写基准面测试参数

方法基准面构成区域

GBIR质量

总的背表面理想背表面

(globalflatnessbacksidereferenceplane合格区TIR

idealrange)

GF3R

总的正表面三点构成的基准面

(globalflatnessfrontsidereferenceplaneTIR

3pointsrange)

GF3D

总的正表面三点构成的基准面

(globalflatnessfrontsidereference3FPD

pointsdeviation)

GFLR质量

总的正表面最小二乘法构成的基准面

(globalflatnessfr

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