GB/T 29054-2019太阳能电池用铸造多晶硅块

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T29054—2019

代替

GB/T29054—2012

太阳能电池用铸造多晶硅块

Castingmulticrystallinesiliconbrickforphotovoltaicsolarcell

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T29054—2019

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替太阳能级铸造多晶硅块本标准与相比除

GB/T29054—2012《》。GB/T29054—2012,

编辑性修改外主要技术变化如下

:

修改了适用范围将适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块改为适用于从铸造技术

———,“”“

制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块包括类单晶硅块产品用于切割成硅片后进一步

()。

制作太阳能电池见第章年版的第章

”(1,20121)。

删除了规范性引用文件中增加了

———GB/T6616、SEMIPV1-0709,GB/T1554、GB/T2828.1—

将移到了参考文献见

2012、GB/T31854,GB/T1551、GB/T1553、GB/T1557、GB/T1558(

第章年版的第章

2,20122)。

删除了硅块的定义增加了有效高度类单晶和最大晶粒面积比例的定义见第章年

———,、(3,2012

版的第章

3)。

删除了分类见年版的第章

———(20124)。

端面尺寸由改为其他尺寸

———125mm×125mm、156mm×156mm156.75mm×156.75mm,,

建议增减量为的整数倍见见年版的第章

1mm(4.1.1,20124)。

修改了端面尺寸及允许偏差见年版的第章

———(4.1.1,20124、5.1.6)。

修改了载流子寿命的要求由改为不小于见年版的

———,≥1μs2μs(4.2.3,20125.2)。

修改了间隙氧含量的要求由173改为不大于173见

———,≤8×10atoms/cm6×10atoms/cm(4.3,

年版的

20125.2)。

增加了类单晶硅块的最大晶粒面积比例和缺陷密度要求及试验方法检验规则等见

———、(4.7、4.8、

第章

5.13、5.14、6)。

删除了硼浓度的要求见年版的

———(20125.2)。

修改了检验项目取样及检验结果的判定见年版的

———、(6.3、6.4、6.5,20127.3、7.4、7.5)。

增加了附录列出了常见的不同最大晶粒面积比例的类单晶硅块见附录

———A,(A)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江苏协鑫硅材料科技发展有限公司镇江仁德新能源科技有限公司江西赛维

:、、

太阳能高科技有限公司宜昌南玻硅材料有限公司有色金属技术经济研究院扬州荣德新能源科

LDK、、、

技有限公司英利能源中国有限公司

、()。

本标准主要起草人万跃鹏唐骏游达林清香苏磊杨素心余刚高长昆常传波李建敏何亮

:、、、、、、、、、、、

陈发勤孙培亚张雷

、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T29054—2012。

Ⅰ

GB/T29054—2019

太阳能电池用铸造多晶硅块

1范围

本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块以下简称硅块的要求试验方法检验规则标志包

()、、、、

装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容

、、、()。

本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块包括类单晶硅块

()。

注多晶硅块切割成硅片后用于制作太阳能电池

:。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1554

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

半导体材料术语

GB/T14264

光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

GB/T31854

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

有效高度effectiveheight

硅块符合各项技术要求的可切割高度

。

32

.

类单晶quasi-monocrystallinesilicon

通过单晶籽晶以定向凝固法生长形成的铸造多晶该晶体具有明显与籽晶同方向的大晶粒也可

,,