标准解读

《GB/T 2900.32-1994 电工术语 电力半导体器件》相较于《GB 2900.32-1982》进行了多方面的调整和更新，主要体现在以下几个方面：

首先，在标准的性质上，《GB 2900.32-1994》从强制性国家标准（GB）转变为推荐性国家标准（GB/T），这表明了标准适用范围的变化，即由原先要求必须遵守转为建议采用。

其次，在内容上，《GB/T 2900.32-1994》增加了许多新的术语定义。随着电力半导体技术的发展，新型器件不断涌现，如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）等更先进的元件被纳入其中，并给予了明确的专业解释。

再者，对于原有术语，《GB/T 2900.32-1994》也做了部分修订和完善。例如，某些旧版中可能存在的模糊不清或过时表述得到了澄清与更新，使得整个文档更加符合当时的技术水平及行业需求。

此外，《GB/T 2900.32-1994》还对一些基本概念进行了重新分类整理，使其结构更为合理、逻辑更加清晰。通过这种方式，不仅方便了读者查阅相关信息，也有利于促进相关领域内知识的传播与交流。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1994-05-16 颁布
  • 1995-01-01 实施
©正版授权
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文档简介

9DS621382.213：001.4K04中华人民共和国国家标准GB/T2900.32-94电工术语电力半导体器件ElectrotechnicalterminologyPowersemiconductordevice1994-05-16发布1995-01-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T2900.32-94电工术语电力半导体器件Electrotechnicalterminology代替GB2900.32-82Powersemiconductordevice本标准参照采用了国际电工委员会（IEC）出版物747《半导体器件》和出版物50（521）《国际电工词汇半导体器件和集成电路》中有关整流管、品体管、晶闸管及其通用的术语。主题内容与适用范围本标准规定了电力半导体器件的专用术语，本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。基础术语2.1物物理学名词2.1.1半导体：semiconductor一种电阻率通常在金属和绝缘体之间，并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物质。2.1.2本征半导体intrinsicsemiconductor；I-型半导体I-typesemiconductor一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体。2.1.3非本征半导体extrinsicsemiconductor一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体。2.1.4N型半导体N-typesemiconductor电子型半导体electronsemiconductor一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体。2.1.5P型半导体P-typesemiconductori空穴型半导体holesemiconductor一种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导体。2.1.6结iunction在半导体中或金属与半导体之间,具有不同电特性两区域之间的过渡区域。2.1.7PN结PNjunction半导体P型区和N型区之间的结。2.1.8合金结alloyediunction由由一种或几种金属材料与半导体品体合金化形成的结。2.1.9扩散结diffusediunction由杂质扩散进入半导体品体内形成的结。2.1.10生长结grownjunction由熔融态半导体生长晶体形成的结.2.1.11外延结epitaxyjunctio

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