• 现行
  • 正在执行有效
  • 1994-05-16 颁布
  • 1995-01-01 实施
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GB/T 2900.32-1994电工术语电力半导体器件_第1页
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9DS621382.213：001.4K04中华人民共和国国家标准GB/T2900.32-94电工术语电力半导体器件ElectrotechnicalterminologyPowersemiconductordevice1994-05-16发布1995-01-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T2900.32-94电工术语电力半导体器件Electrotechnicalterminology代替GB2900.32-82Powersemiconductordevice本标准参照采用了国际电工委员会（IEC）出版物747《半导体器件》和出版物50（521）《国际电工词汇半导体器件和集成电路》中有关整流管、品体管、晶闸管及其通用的术语。主题内容与适用范围本标准规定了电力半导体器件的专用术语，本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业手册、教材及书刊。基础术语2.1物物理学名词2.1.1半导体：semiconductor一种电阻率通常在金属和绝缘体之间，并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物质。2.1.2本征半导体intrinsicsemiconductor；I-型半导体I-typesemiconductor一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体。2.1.3非本征半导体extrinsicsemiconductor一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体。2.1.4N型半导体N-typesemiconductor电子型半导体electronsemiconductor一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体。2.1.5P型半导体P-typesemiconductori空穴型半导体holesemiconductor一种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导体。2.1.6结iunction在半导体中或金属与半导体之间,具有不同电特性两区域之间的过渡区域。2.1.7PN结PNjunction半导体P型区和N型区之间的结。2.1.8合金结alloyediunction由由一种或几种金属材料与半导体品体合金化形成的结。2.1.9扩散结diffusediunction由杂质扩散进入半导体品体内形成的结。2.1.10生长结grownjunction由熔融态半导体生长晶体形成的结.2.1.11外延结epitaxyjunctio

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