标准解读

《GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法》与《GB/T 249-1989》相比，在内容上进行了多方面的调整和补充，以适应技术发展及市场需求的变化。主要变更包括但不限于以下几点：

首先，《GB/T 249-2017》对半导体分立器件的分类进行了更新，增加了新型号类别，并对原有类别进行了细化或重新定义，以便更准确地反映当前市场上存在的各种类型产品。

其次，在命名规则方面，《GB/T 249-2017》引入了更为详细且灵活的规定。例如，对于特定功能、封装形式或是特殊应用条件下的器件，新版标准提供了更加具体而全面的标识方式，使得通过型号即可快速获取到关于该器件的关键信息。

再者，《GB/T 249-2017》还加强了对外观标记的要求，明确了如何在物理实体上正确标注型号及其他必要信息，这对于提高生产制造过程中的一致性以及后续使用维护都有积极意义。

此外，《GB/T 249-2017》也考虑到了国际接轨的需求，在某些条款设置上参考了国际通行做法，旨在促进国内半导体行业与全球市场的更好融合。

最后，新版本还特别强调了对环境保护的关注，鼓励采用绿色材料和技术，这反映了当今社会对企业社会责任的新要求。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-05-12 颁布
  • 2017-12-01 实施
©正版授权
GB/T 249-2017半导体分立器件型号命名方法_第1页
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文档简介

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T249—2017

代替

GB/T249—1989

半导体分立器件型号命名方法

Theruleoftypedesignationfordiscretesemiconductordevices

2017-05-12发布2017-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T249—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替半导体分立器件型号命名方法与相比主要技

GB/T249—1989《》,GB/T249—1989

术变化如下

:

混频管和检波管分别命名见年版的

———(3.1,19893.1);

二极管第二部分增加了符号代表化合物或合金材料见

———E,(3.1);

增加了噪声管和限幅管的命名见

———(3.1);

增加了晶体管阵列的命名见

———(3.2);

由代表整流管阵列改为代表二极管阵列见年版的

———“ZL”(3.2,19893.2);

增加了肖特基二极管的命名见

———(3.2);

增加了触发二极管的命名见

———(3.2)。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本标准起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所

:。

本标准主要起草人陈海蓉崔波李丽霞

:、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T249—1964、GB/T249—1974、GB/T249—1989。

Ⅰ

GB/T249—2017

半导体分立器件型号命名方法

1范围

本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则组成部分的符号及其意义

、。

本标准适用于各种半导体分立器件

。

2型号组成原则

21半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下

.:

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用汉语拼音字母表示规格号

用阿拉伯数字表示登记顺序号

用汉语拼音字母表示器件的类别

用汉语拼音字母表示器件的材料和极性

用阿拉伯数字表示器件的电极数目

22半导体分立器件的型号一般由第一部分到第五部分组成也可以由第三部分到第五部分组成

.,。

3型号组成部分的符号及其意义

31由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表

.1。

表1由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用阿拉伯数字表用阿拉伯用汉语拼音

用汉语拼音字母表示

示器件的电极数用汉语拼音字母表示器件的类别数字表示字母表示

器件的材料和极性

目登记顺序号规格号

符号意义符号意义符号意义

二极管型锗材料小信号管

2AN,P

型锗材料混频管

BP,H

型硅材料检波管

CN,V

型硅材料电压调整管和电压基准管

DP,W

化合物或合金变容管

EC

材料整流管

Z

三极管型锗材料整流堆

3APNP,L

型锗材料

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