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文档简介
电子器件基础湖南大学电子科学与技术专业1第3章晶体管直流特性
第1节晶体管基本结构与放大机理第2节晶体管直流电流电压方程第3节晶体管电流放大系数与特性曲线第4节晶体管反向电流与击穿电压第5节晶体管基极电阻电子器件基础晶体管直流特性2掌握双极型晶体管的结构和杂质分布,放大机理和电流放大系数,直流电流——电压方程,反向电流和反向击穿特性,基区电阻和寄生参数,直流特性的影响因素及其关系。本章要求:电子器件基础晶体管直流特性3电子器件基础晶体管直流特性第1节晶体管基本结构与放大机理C(N)B(P)E(N)C(P)B(N)E(P)B(基极)C(集电极)E(发射极)P(N)P+(N+)N(P)集电结集电区发射结发射区基区1晶体管结构晶体管又称为晶体三极管两种类型:P+NP、N+PN3区:集电区、基区、发射区3极:集电极、基极、发射极两个PN结:发射结、集电结(背靠背,有机结合)4电子器件基础晶体管直流特性晶体管的分类5电子器件基础晶体管直流特性6电子器件基础晶体管直流特性7电子器件基础晶体管直流特性合金管WbxjexjcN-GeECBInIn+Ga
PPxjexjcPPNWb1019cm-31018cm-31015cm-3NA-NDx0N-Ge为衬底,杂质浓度最低;发射结、集电结均为突变结;均匀基区晶体管:基区杂质均匀分布(3个区)8电子器件基础晶体管直流特性合金扩散管PN+NP-GeEBCIn+Ga+SbZn+SbP
PNxjexjcNA-NDx0NSWB=xjc-xje发射结(合金结)为突变结;集电结(扩散结)为缓变结;缓变基区晶体管:基区杂质浓度变化。9电子器件基础晶体管直流特性外延平面晶体管EBCNPN+N+-SiN-Si衬底N+发射区集电区绝缘层(SiO2)P基区金属层(Al
)N+
PNxjexjcNA-NDx0NSWB=xjc-xjeN+N-Si为外延层浓度最低;发射结、集电结均为缓变结;台面管:采用磨角使集电结形成台面结构10电子器件基础晶体管直流特性PN结二极管的重要作用是具有单向导电性;晶体管的重要作用是具有放大能力;以均匀基区晶体管为例,分析晶体管内部载流子传输,定性说明晶体管的放大作用。对N+PN晶体管分析,P+NP管类似。2晶体管的放大机理11电子器件基础晶体管直流特性无外加电压作用统一费米能级EF多子:nne
>
ppb
>
nnc杂质浓度:NE>NB>NC少子:pne
<
npb
<
pnc发射结自建电场Ee集电结自建电场Ec势垒高度:qVDE>qVDC势垒宽度:xme
<xmc平衡态WeWbWcxmexmcEBCN+PNqVDCqVDEEcEFEVpncnncnpbppbnnepnenpxx1x2x3x40Ee
Ec
12电子器件基础晶体管直流特性晶体管放大工作发射结:外加正偏电压:VE>0势垒高度减小为q(VDE-VE)发射区电子注入基区nb(x)基区空穴注入发射区pe(x)集电结:外加反偏电压:VC<0势垒高度增加为q(VDC-VC)结附近的少子被反向抽取VEEBCN+PNVCq(VDE-VE)q(VDC-VC)pncpc(x)npbnb(x)pnepe(x)npxx1x2x3x40LpeLpc13电子器件基础晶体管直流特性晶体管共基极连接VEEBCN+PNVCICIEIBIVB发射区注入基区的电子电流InE基区注入发射区的空穴电流IpE基区电子与空穴的复合电流IVB集电结收集到的电子电流InC通过集电结的反向电流ICBO电流关系:IE=InE+IpEIC=InC+ICBOInC=InE-IVBIB=IpE+IVB-ICBO
IE=IC+IB
如nne>>ppb:
IE=InE+IpE≈InE如WB<<LnB:
InC=InE-IVB≈InE14电子器件基础晶体管直流特性载流子传输ECBPNN+IVBIEICIBInEInCIpEICBO15电子器件基础晶体管直流特性第2节晶体管直流电流电压方程
1均匀基区晶体管假设:(1)理想突变结近似,杂质都是均匀分布;(2)一维晶体管,平行平面结;(3)电压降在势垒区,势垒区外无电场;
(4)势垒区宽度比少子扩散长度小得多,势垒复合可以忽略;(5)小注入,注入基区的少子浓度比基区多子浓度少得多。16电子器件基础晶体管直流特性载流子浓度分布且Wb<<Lnb,解得基区少子浓度线性分布:注入基区的少子浓度满足连续性方程:利用基区的边界条件:17电子器件基础晶体管直流特性pncpc(x)npbnb(x)pnepe(x)npx-x1Wbx40LpeLpc同理可推出发射区少子分布:集电区少子分布:晶体管放大工作时发射结正偏,集电结反偏,均远大于KT/q,则有:18电子器件基础晶体管直流特性基区电子电流密度:
19电子器件基础晶体管直流特性集电结反偏且时,有:
基区宽度很小(Wb<<Lnb)时,式中的双曲函数展开,并只取一次幂,即x→0时,cosh(x)=0,sinh(x)=x,有:
基区内载流子复合可忽略,没有载流子损失,jnb为常数。20电子器件基础晶体管直流特性发射区空穴电流密度:发射区内无电场,只有空穴扩散电流:x≤-x1We<LpeLpe<We21电子器件基础晶体管直流特性集电区空穴电流密度:集电区内无电场,只有空穴扩散电流:x≥x4Wc<LpcLpc<Wc22电子器件基础晶体管直流特性发射极电流与集电极电流23电子器件基础晶体管直流特性则上面两式可简化为:当Wb<<Lnb
时,24电子器件基础晶体管直流特性2缓变基区晶体管缓变基区中的自建电场形成:
大多数晶体管是缓变基区,基区多子存在浓度梯度,引起空穴向浓度低的地方扩散,空穴扩散破坏基区电中性,在基区建立电场
Eb,方向为集电结指向发射结。N+
PNxjexjcNA-NDx0NSWb=xjc-xjeEb25电子器件基础晶体管直流特性阻碍多子空穴继续扩散,Eb
对空穴的漂移与空穴的扩散方向相反,达到动态平衡时净空穴电流为零;对发射区注入到基区的非平衡少子电子,Eb
起加速作用,使电子在基区运动得更快,集电结收集的电子数增加,电流增加。基区自建电场的作用:N+
PNxjexjcNA-NDx0NSWb=xjc-xjeEb26电子器件基础晶体管直流特性动态平衡时净空穴电流密度为零:基区自建电场:由基区掺杂浓度NB(x)→Eb(x);对均匀基区晶体管,NB(x)=NB,Eb(x)=0。27电子器件基础晶体管直流特性如基区杂质浓度为指数分布:NB(0):基区靠发射结边界处杂质浓度,η:电场因子均匀基区:NB(Wb)=NB(0)=NB,η=0如NB(Wb)=5×1015cm-3,NB(0)==5×1017cm-3,η=4.6与x无关,为均匀电场取决于基区杂质浓度差28电子器件基础晶体管直流特性缓变基区中少子浓度分布及电流密度近似认为基区复合可忽略:jnb(x)=jnB;电子在基区内既有扩散运动,也有漂移运动;移项后,从x到Wb积分,集电结反偏,且nb(Wb)=0,对于基区杂质浓度为指数分布,推得:电子电流密度为:29电子器件基础晶体管直流特性均匀基区晶体管η=0,可求得nb(x)线性分布(罗比塔法则)η越大,基区电场越强,nb(x)下降,尤其靠发射区附近,载流子浓度梯度减小,是电场的漂移加速载流子运动的结果。30电子器件基础晶体管直流特性从0到Wb积分有:jnb(x)=jnB=jnE,集电结反偏,nb(Wb)=0,且:同样方法可推得
jpE,则IE=A(jnE+jpE)31电子器件基础晶体管直流特性基区少子连续性方程:代入jnB得:基区杂质浓度指数分布时,代入基区均匀电场得:解方程求出nb(x),得到jnB,同样方法推得jnE、
jpE、
jnC、jpC,得到IE和IC:严格推导思路(具体过程略):32电子器件基础晶体管直流特性其中:33电子器件基础晶体管直流特性第3节晶体管电流放大系数与特性曲线电流放大系数是晶体管的主要直流参数之一;不同偏置电压接法,有不同的电流放大系数;输出端电压对放大系数有影响,先讨论输出短路情况;讨论缓变基区晶体管电流放大系数。34电子器件基础晶体管直流特性1晶体管电流放大系数
VEEBCN+PNVCICIEIBICBOInCInEIpEIVB电子运动三个过程:发射结发射电子;电子在基区输运;集电结收集电子。共基极电流放大系数
35电子器件基础晶体管直流特性发射效率:注入基区的电子电流与发射极电流的比值
输运系数:到达集电极的电子电流与进入基区的电子电流之比,其差别即基区复合的损失。
集电区倍增因子:反向饱和电流比电子(多子)电流小得多。反压接近雪崩击穿电压时,考虑集电结空间电荷区雪崩倍增:
36电子器件基础晶体管直流特性晶体管的放大作用输入电流变化ΔIE,引起输出端电流变化ΔIC,且ΔIC=αΔIE,因为α<1,所以ΔIC<ΔIE,无电流放大。电压增益:功率增益:VEEBCN+PNVCICIEIBICBOInCInEIpEIVBRCRE37电子器件基础晶体管直流特性·VBEBCN+PNVCICIEIBRCRB共发射极电流放大系数晶体管的放大作用输入电流变化ΔIB,引起输出端电流变化ΔIC,且ΔIC=βΔIB,因为β>>1,同时具有电流放大、电压放大和功率放大。38电子器件基础晶体管直流特性晶体管放大要求:IC~IE>>IB外部条件:发射结正偏,有载流子注入,re小;集电结反偏,能够收集载流子,rc大。内部条件:
NE>>NB,发射区注入基区载流子数多,发射效率高;
Wb<<Lnb,基区载流子复合损失少,集电结收集到的载流子数多,基区输运系数大。39电子器件基础晶体管直流特性2晶体管的特性曲线反映各电极之间电流与电压的关系输入特性曲线共基极:(VCB一定时IE~VBE的关系)VCB=0时,集电结短路,输入特性即发射结正向特性;VCB增加,
xmc增加,Wb减小,InE增加,
IE增加。40电子器件基础晶体管直流特性共发射极(VCE一定时IB~VBE的关系)VCE=0时,集电极与发射极短路,集电结与发射结并联,输入特性即两个并联PN结的正向特性;VCE增加,
xmc增加,Wb减小,IB减小;VBE
=0时,基极与发射极短路,如VCE≠0,则VCB≠0,有集电结反向电流ICBO流过基极。ICBO41电子器件基础晶体管直流特性输出特性曲线
共基极:(IE一定时IC~VCB的关系)
IC=
αIE+ICBOIE
=0时,发射极开路,只有集电结反向电流ICBO流过;IE增加(VBE增加),
IC增加;VCB
=0时,集电结短路,发射结正偏,仍有电流IC流过;VCB
<0时,集电结正偏,发射结仍正偏,发射结和集电结向基区注入载流子方向相反,作用抵消,
IC下降。42电子器件基础晶体管直流特性共发射极(IB一定时IC~VCE的关系)
IC=
βIB+ICEOIB
=0,基极开路,VCE使集电结反偏和发射结正偏,基区电流为ICBO,集电极电流(穿透电流)
ICEO=(1+β)ICBO;IB增加(VBE增加),
IC增加;VCE=VCB+VBE,VCE=VBE时VCB
=0,集电结零偏,仍有电流IC流过,VCE
再下降,VCB<0时,集电结正偏,发射结仍正偏,IC下降。43电子器件基础晶体管直流特性晶体管三个工作区饱和区放大区截止区ICVCE0IB=0IB↑ICEOVCE=VBE放大区:发射结正偏,集电结反偏,IB与IC近似成线性关系IC=
βIB,IB微小的变化可引起IC
较大的变化,且IC几乎与VCE无关,晶体管可看成受基极电流控制的恒流源。截止区:发射结反偏,集电结反偏,IC为穿透电流ICEO,晶体管呈现高电阻状态,相当于开路。44电子器件基础晶体管直流特性饱和区:发射结正偏,集电结正偏,VCE=VBE为临界饱和线(集电结零偏),当VCE<VBE时,IC≠
βIB,晶体管压降为饱和压降VCES;硅管VCES≈0.3V,锗管VCES≈0.1V,晶体管呈现低电阻,相当于短路。晶体管放大工作:放大区晶体管开关工作:饱和区截止区饱和区放大区截止区ICVCE0IB=0IB↑ICEOVCE=VBE45电子器件基础晶体管直流特性发射效率取:根据爱因斯坦关系:由定义:3电流放大系数理论分析
46电子器件基础晶体管直流特性(缓变基区与均匀基区注入效率有相同表达式)基区方块电阻:发射区方块电阻:发射区电阻率:基区电阻率:47电子器件基础晶体管的直流特性基区输运系数基区体内复合电流:
0基区非平衡少子总数:
48电子器件基础晶体管的直流特性系数λ取决于电场因子η:均匀基区电场因子η→0,λ→2;η增加,λ增加,β*增加,缓变基区自建电场对载流子渡越基区起加速作用,基区复合减小。49电子器件基础晶体管的直流特性α↑(β↑):NE↑,增加注入电流,提高发射效率;
Wb↓,减少基区载流子复合;
λ↑,即η↑,加速基区少数载流子运动;
Lnb↑,即μnb↑,τnb
↑,减少载流子损失。电流放大系数
50、表达式1.表达式=**(3)*=12.表达式>>151
理想晶体管的输入、输出特性1.共基极IE
/mAVBE
/VVCB输入特性输出特性IeIbIcVbeVcb52理想晶体管的输入、输出特性2.共射极VCE输入特性输出特性IbIeIcVbeVce53电子器件基础晶体管的直流特性4影响电流放大系数的其他因素
对电流放大系数的影响除上述因素外,还有一些次要因素。发射结势垒区复合N+•••••••••••••••••••••••••••••NPInEIpEIVEIEEBC发射结正偏,空间电荷区内载流子浓度高于平衡值,有净复合产生,使从发射极进入的电子流过发射结势垒区时要复合损失一部分,使发射效率降低。54电子器件基础晶体管的直流特性考虑IVE
的总发射极电流:发射结势垒区复合电流:发射效率:55Vbe
Ic
IvbIeIreIpeIne-x10增益
随电流Ic变化56电子器件基础晶体管的直流特性发射区重掺杂
NE增加使提高,但NE过高又使发射区禁带宽度变窄、俄歇复合增强,从而使下降。(1)禁带宽度变窄不考虑禁带变窄时本征载流子浓度为:考虑禁带宽度变窄,则本征载流子浓度为:57电子器件基础晶体管的直流特性发射区浓度分布不均匀,少子空穴分布不均匀产生自建电场,用少数载流子浓度表示:考虑禁带变窄后的少子浓度:禁带变窄附加电场与杂质浓度梯度形成电场的方向相反,它加速基区向发射区流入空穴,使发射效率降低。58电子器件基础晶体管的直流特性考虑重掺杂影响后的发射效率为:
有效杂质浓度:重掺杂时禁带变窄∆Eg使本征载流子浓度nie增加,附加电场加速基区向发射区流入空穴,发射区复合增加,有效杂质浓度Neff降低,发射效率γ降低。59电子器件基础晶体管的直流特性同时考虑两种复合,发射区空穴寿命为:
为SHR复合寿命,典型值。为俄歇复合寿命。(2)俄歇复合(Auger复合)一般载流子复合是通过复合中心的间接复合,其理论模型是Shocly、Hall和Read建立的,称为SHR复合。实验证明重掺杂硅中载流子复合主要是俄歇复合,是一种带间复合,复合率与n2有关,复合时伴随发射声子,多余能量传给晶格,加剧晶格振动。60电子器件基础晶体管的直流特性在重掺杂(杂质浓度在1019cm-3以上时)的发射区中,杂质(多子)浓度高,俄歇复合增加,发射区载流子寿命缩短,载流子复合增加,使注入到发射区的空穴浓度增加,空穴电流增大,发射效率降低。实验得N型硅中:P型硅中:俄歇复合系数:61电子器件基础晶体管的直流特性表面复合在上节讨论基区输运系数时,我们只考虑基区输运系数受体内复合损失的影响,实际上注入基区少子一部分要流到基区表面,在基区表面复合,形成表面复合电流ISB,到达集电极的载流子减少,基区输运系数下降。考虑表面复合后,基区输运系数为:
62电子器件基础晶体管的直流特性对缓变基区晶体管:表面复合主要取决于表面状态,在半导体表面必须有良好的保护;由于Si-SiO2界面存在界面态,使表面复合速度加大;基区浓度大,基区宽度大,表面复合严重。基区输运系数:63电子器件基础晶体管的直流特性基区宽度调变效应(Early效应)晶体管放大工作,发射结正偏,结电压变化不大,近似认为发射结空间电荷区宽度xme不变。而集电结反向偏压VCE增加时,集电结空间电荷区宽度xmc增加,有一部分向基区扩展,使有效基区宽度Wb减小,电流放大系数β增大。+NNPxmexmc64N+PNWb*WbVcb
Wb*
dnb/dx
IneIc
Early电压对非均匀基区晶体管影响输出电阻65电子器件基础晶体管的直流特性IB不变时,IC=βIB随VCE增加而增大,输出特性曲线倾斜,特性曲线延长线与横坐标轴的交点电压VEA称为厄尔利电压。ICIC’VCE由三角形相似关系可得:66电子器件基础晶体管的直流特性电流放大系数为:VCE越大,基区宽变效应越严重,输出特性曲线越倾斜,VEA绝对值越小,电流放大系数β增加越大;由于β与VCE
有关,测量电流放大系数时,必须规定电压的测试条件,如VCE=5V;
由于β与IC
有关,测量电流放大系数时,必须规定电流的测试条件,如ICE=5mA。67
晶体管的非理想现象5.大注入效应之一Webster效应Dnb2Dnb基区大注入条件:npb(0)~NbEx.:Sinpn晶体管:若Nb=1017cm-3,计算当npb(0)=0.1Nb时所需的发射结偏压Vbe.(答案:0.76V)qVbe/kTqVbe/2kT68Webster效应
晶体管的非理想现象5.大注入效应之一Webster效应增益
随电流Ic变化Ic发射结复合电流基区复合Webster效应69
晶体管的非理想现象5.大注入效应之二Kirk效应(基区展宽效应)pnxn+E集电区大注入:nc~Nc集电极电流Jc
ncq(Nb+nc)q(Ncnc)饱和漂移速度70
晶体管的非理想现象中性nc=Ncnc>Nc--------------Emax问题:计算Jc0,nc0
即Jc>Jc0WbWb+Wb
5.大注入效应之二Kirk效应Kirk效应临界Jc0nc=nc071
晶体管的非理想现象5.大注入效应之三发射极电流集边效应(基极电阻自偏压效应)Seff-发射极有效半宽SeJ(Seff)=J(0)/ezyx72
晶体管的非理想现象5.大注入效应之三发射极电流集边效应(基极电阻自偏压效应)发射极电流分布V(y)Je(y)Seff=?yyy+dy+dIBJCy……0EBrbb’73
晶体管的非理想现象6.发射结结面积对的影响n+pnAje*AjeoIne’Ine本征基区:Wb
<<Lnb非本征基区:Wb
>>Lnb要
则要Ajeo/Aje*
结面积大、结浅74实际晶体管的输入、输出特性Webster/Kirk效应发射结复合电流影响Si晶体管发射结复合电流Webster/Kirkrbb’自偏压Vbe(V)752.3.6实际晶体管的输入、输出特性2.3直流特性281.共基极输入、输出特性EBCEarly效应输入特性输出特性N+PNWb*WbVcb
Wb*
dnb/dx
IneIc
dnb/dx
762.3.6实际晶体管的输入、输出特性2.3直流特性292.共射极输入、输出特性输入特性输出特性BECEarly效应Early效应问题:为什么Early效应对共发射极输出特性有明显影响,而共基极输出特性却无明显影响?基区复合减少77电子器件基础晶体管直流特性第4节晶体管反向电流与击穿电压NPN+CEBVCBICBONPN+CEBVEBIEBOICBO:发射极开路,集电结的反向电流。IEBO:集电极开路,发射结的反向电流。ICEO:基极开路,集电极与发射结之间的反向电流——穿透电流。1晶体管反向电流特点:不受输入电流控制,对放大无贡献;消耗部分电源能量;影响稳定工作。78电子器件基础晶体管的直流特性BNPN+CEVCEICEO基极开路由于:基极开路时,虽IB=0,但VCE同时使集电结反偏,发射结正偏,晶体管具有放大作用,流过集电极和发射极的总电流ICEO是集电结反向电流ICBO的1+β倍。79电子器件基础晶体管的直流特性VCE使集电结反偏,有电流ICBO流入基区,相当于基极电流IB=ICBO
;基极开路,有:发射结正偏,发射区注入基区电流InE,基区输运过程复合损失电流IVB,集电结收集电流InC=
βIB,则:
80电子器件基础晶体管直流特性NPN+CEBBVCBOICBONPN+CEBBVEBOIEBO晶体管击穿电压(决定了外加电压的上限)BVCBO:发射极开路,集电结反向击穿电压。BVEBO:集电极开路,发射结反向击穿电压。81电子器件基础晶体管直流特性考虑集电结高反压偏置,有载流子倍增因子:BNPN+CEBVCEOICEO当αM→1时,IC→∞集电结击穿,V=BVCEO基极开路,IB=0BVCEO:基极开路,集电极与发射极间的反向击穿电压。82电子器件基础晶体管直流特性由于α≤1,只要M稍大于1,集电结只要发生小量倍增,就能满足αM=1,就会引起IC剧增而发生击穿;单独集电结击穿电压BVCBO是雪崩倍增因子M→∞时集电结的反向偏压;BVCEO<BVCBO,取决于电流放大系数;由于测试时,发射极正偏,集电极反偏,晶体管具有放大作用。击穿条件:83电子器件基础晶体管直流特性BVCEO的测试曲线:反偏电压达到BVCEO时发生击穿,击穿后电压降低,电流升高,出现负阻特性。谷值电压Vsus称维持电压。电流放大系数α
与电流IC有关:在IC
较小时,空间电荷区的复合作用影响较大,α
较小;随着IC增大,这种影响逐渐减弱,α
随IC上升而增大;大电流时,由于发射区向基区大注入,产生大注入效应使α
随IC增大而降低。84电子器件基础晶体管直流特性由对VCE微分,得CE间动态电阻:(i)当VCE增加到接近于BVCEO时,M值明显增大,但电流IC很小且几乎不变,则α不变,dα/dIC=0,而(1-αM)2减小,直到BVCEO时,αM=1,集电结发生击穿,rCE=0,对应于峰值,此时VCE=BVCEO;(ii)发生击穿后,IC迅速增大,引起α
增大,dα/dIC>0,
rCE式中分子出现负值,rCE<0,出现负阻特性;85电子器件基础晶体管直流特性(iii)随着IC不断增大,
α增大变缓,dα/dIC减小,再次使rCE式中分子为0,再次出现rCE=0,电压出现谷值Vsus。(iv)当IC到达谷值后再继续增大时,大电流时α
减小,dα/dIC<0,rCE>0,故IC随VCE增加而增大。86电子器件基础晶体管直流特性峰值处:1-αM=0,集电结产生雪崩击穿,V=BVCEO,VB=BVCBO87电子器件基础晶体管直流特性谷值处:集电结产生雪崩击穿,V=Vsus,集电结VB=BVCBO因ICBO很小,可以忽略时,Vsus=BVCEO
,负阻区很小,电压下降很小。88电子器件基础晶体管直流特性不同基极偏置条件的击穿电压○○VCEBVCEORLCEBrbRBRBVBBVCESBVCERBVCEXTBVCEZRBVB晶体管工作时,基极并不只是开路的,常在基极与发射极之间串接外电阻,或者电源,或者短路。晶体管的工作情况不同,C-E极间的击穿电压也不同。BVCEZ<BVCEO<
BVCER<
BVCES<
BVCEX≤BVCBO89电子器件基础晶体管直流特性3穿通电压发射区基区集电区(外延层)耗尽层衬底CBEPN+NN+WcWb集成电路中外延平面晶体管正常工作时的结构如图,有正常击穿特性;为减小晶体管集电区的电阻,采用高掺杂的N+衬底;为保证击穿电压的要求选择集电区外延层的杂质浓度。90电子器件基础晶体管直流特性PN+NN+外延层穿通
Wc<xmc,集电结到达N+为PN+结,集电结两边杂质浓度较高,集电结击穿电压降低,由外延层穿通使集电结击穿。VB:集电结雪崩击穿电压,由NC决定;WC:外延层厚度;xmc:VB时集电结最大耗尽层宽度。外延层穿通电压:91电子器件基础晶体管直流特性PN+NN+基区穿通基区穿通使发射结电压增加,当发射结电压达到BVEBO时,发射结击穿,同时诱发集电结击穿,此时BVCBO远小于由NC决定的集电结雪崩击穿电压,为:Wb较小,集电结势垒区与发射结势垒区在基区相连,基区消失,集电极与发射极之间直接导通,基区穿通电压:VPB=BVCEO发生基区穿通必然满足上述关系,但满足上述关系不一定发生基区穿通。92电子器件基础晶体管直流特性硅平面晶体管:NB>NC,集电结空间电荷
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