南京工业大学模拟电子技术综合复习题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P型半导体。A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后，C。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由C构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是C。A.ISeUD.IS9、稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿B.基本不变C.变宽D.无法确定B.C.10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。A.83B.91C.100D.1013、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量D。A.IBB.ICC.UBED.UCE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D；图2为A。[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压B，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压D。A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C。A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。A.夹断电压UGS(off)B.低频跨导gmC.饱和漏极电流IDSSD.开启电压UGS(th)20、场效应管是D器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是B。A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为A。A.Rb短路B.Rb开路C.Rc短路D.β过小24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是B失真。A.饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是A。A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积